硅晶片的缺陷检查方法及硅晶片的缺陷检查系统.pdf
含秀****66
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外延晶片的缺陷检查方法.pdf
提供一种能够识别滑移位错缺陷和失配位错缺陷的外延晶片的检查方法。在外延晶片(WF)中存在包含滑移位错缺陷以及失配位错缺陷的位错缺陷(DF)时,利用晶片应力测定而求得前述外延晶片的残留应力,在前述残留应力为既定值(S
一种用于硅晶片缺陷检测和面形测量的方法.pdf
本发明提供了一种用于硅晶片缺陷检测和面形测量的方法,该方法将相位偏折轮廓术(PMD)用于硅晶片的面形测量中。基于PMD的镜面物体三维面形测量方法是一种高灵敏、高精度、快速、非相干的光学全场测量技术,并且实验装置简单,主要包括计算机、数码相机和显示屏。将PMD用于硅晶片面形测量中可以直接得到晶片表面的梯度分布,仅需对梯度求导数即可得到硅片表面的曲率分布,通过曲率分布检测缺陷,也可以对梯度积分得到硅片表面的高度数据,观测三维形貌。本发明的主要增益:提供了一种高精度、快速的全场测量技术对硅晶片表面缺陷检测和面形
硅晶片的制造方法.pdf
本发明提供一种硅晶片的制造方法,其在由硅锭制造硅晶片时,可以改善成品率并可以防止生产效率的降低。在硅块表面的研磨中,通过使用环形研磨带(30)(金刚石研磨布)作为研磨工具,可以大幅度缩短硅块表面的研磨所需时间。另外,用环形研磨带(30)(金刚石研磨布)进行的研磨与用金刚石砂轮进行的研磨不同,可实现弹性研磨,因此,可以减轻研磨中进入硅块表面的微小的裂纹。
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