掺杂硅晶片的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107690693A(43)申请公布日2018.02.13(21)申请号201680033418.X(74)专利代理机构上海和跃知识产权代理事务所(普通(22)申请日2016.06.03合伙)31239代理人尹洪波(30)优先权数据15171263.52015.06.09EP(51)Int.Cl.H01L21/225(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L31/18(2006.01)2017.12.07(86)PCT国际申请的申请数据PCT/EP2016/0626762016.06.03(87)PCT国际申请的公布数据WO2016/198338EN2016.12.15(71)申请人国际太阳能研究中心康斯坦茨协会地址德国康斯坦茨(72)发明人瓦伦丁·丹·米哈莱奇权利要求书2页说明书7页附图5页(54)发明名称掺杂硅晶片的方法(57)摘要本发明提供了一种使用扩散炉(1)掺杂硅晶片(8)的方法，所述扩散炉(1)具有用于装载和卸载硅晶片(8)的门(2)、内部容积(6)、用于反应气体、掺杂气体和载气的气体入口(4)以及用于修改所述反应气体、所述掺杂气体和所述载气至扩散炉(1)的内部容积(6)中的流速的工具，所述方法包括下列步骤：将硅晶片(8)装载至扩散炉(1)中，至少在沉积时间中根据预定温度曲线加热扩散炉(1)，使反应气体、掺杂气体和载气同时流至内部容积(6)中并从扩散炉(1)卸载掺杂的硅晶片(8)，其中在反应气体、掺杂气体和载气同时流至扩散炉(1)的内部容积(6)中的沉积时间中，反应气体的流速与掺杂气体的流速之比从第一比率至第二比率改变至少一次和/或载气的流速从第一流速至第二流速改变至少一次。CN107690693ACN107690693A权利要求书1/2页1.使用扩散炉(1)掺杂硅晶片(8)的方法，所述扩散炉(1)具有用于装载和卸载所述硅晶片(8)的门(2)、内部容积(6)、用于反应气体、掺杂气体和载气的气体入口(4)以及用于改变所述反应气体、所述掺杂气体和所述载气至所述扩散炉(1)的所述内部容积(6)中的流速的工具，所述方法包括下列步骤：-将硅晶片(8)装载到所述扩散炉(1)中，-至少在沉积时间过程中根据预定温度曲线加热所述扩散炉(1)，-使反应气体、掺杂气体和载气同时流到所述内部容积(6)中，以及-从所述扩散炉(1)卸载掺杂的硅晶片(8)，其特征在于，在反应气体、掺杂气体和载气同时流到所述扩散炉(1)的所述内部容积(6)中的所述沉积时间过程中，反应气体的流速与掺杂气体的流速之比从第一比率至第二比率改变至少一次和/或所述载气的流速从第一流速至第二流速改变至少一次。2.根据权利要求1所述的掺杂硅晶片的方法，其特征在于，反应气体的流速与掺杂气体的流速之比从第一比率至第二比率改变至少一次，并且以这种方式选择所述第一比率或所述第二比率，使得在整个所述沉积时间应用时所述气体入口附近产生均匀掺杂的硅晶片，且以这种方式选择所述第二比率或所述第一比率，使得在整个所述沉积时间应用时在位于所述气体入口对面的所述内部容积(6)的区域中产生均匀掺杂的晶片。3.根据权利要求2所述的掺杂硅晶片的方法，其特征在于，所述方法还包括确定所述第一比率并确定所述第二比率的步骤，所述第一比率在整个所述沉积时间内应用时在所述气体入口附近产生均匀掺杂的晶片，所述第二比率在整个所述沉积时间内应用时在位于所述气体入口对面的所述内部容积(6)的区域中产生均匀掺杂的晶片。4.根据权利要求2或3所述的掺杂硅晶片的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述沉积时间过程中将反应气体的流速与掺杂气体的流速之比改变到至少第三比率至少一次。5.根据权利要求4所述的掺杂硅晶片的方法，其特征在于，以这种方式选择所述第三比率，使得在整个所述沉积时间内应用时在所述扩散炉(1)的所述内部容积(6)的中心区域(6b)中产生均匀掺杂的晶片。6.根据权利要求1所述的掺杂硅晶片的方法，其特征在于，所述载气的流速从第一流速至第二流速改变至少一次，并且以这种方式选择所述第一流速或所述第二流速，使得在整个所述沉积时间内应用时在所述气体入口附近产生均匀掺杂的硅晶片(8)，且以这种方式选择所述第二流速或所述第一流速，使得在整个所述沉积时间内应用时在位于所述气体入口对面的所述内部容积(6)的区域中产生均匀掺杂的晶片。7.根据权利要求6所述的掺杂硅晶片的方法，其特征在于，所述方法还包括确定所述第一流速并确定所述第二流速的步骤，所述第一流速在整个所述沉积时间内应用时在所述气体入口附近产生均匀掺杂的晶片，所述第二流速在整个所述沉积时间内应用时在位于所述气体入口对面的所述内部容积(6)的区域中产生均匀掺杂的晶片。8.根据权利要求6或7所