一次性全表面气相沉积支架、气相沉积炉及其沉积方法.pdf
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一次性全表面气相沉积支架、气相沉积炉及其沉积方法.pdf
本发明揭示了一次性全表面气相沉积支架、气相沉积炉及其沉积方法,一次性全表面气相沉积支架包括共轴的第一支架和第二支架,所述第一支架上形成有至少一个第一支撑平面,所述第二支架上形成有与每个第一支撑平面匹配且共轴的第二支撑平面;第一状态下,每个所述第一支撑平面高于与其对应的所述第二支撑平面;第二状态下,每个所述第一支撑平面低于与其对应的所述第二支撑平面。本发明设计精巧,采用两套支架结构,并使一支架中的每个支撑平面可高于或低于另一支架中的对应支撑平面,可以自动切换与工件接触的支架,进而改变工件被遮蔽的位置,实现一
气相沉积炉的均匀供气装置及气相沉积炉.pdf
本发明揭示了气相沉积炉的均匀供气装置及气相沉积炉,气相沉积炉的均匀供气装置,包括至少一条呈T字形的匀气管路,所述匀气管路的出气孔的朝向与反应气体的上升方向相反且背向工件。本发明设计精巧,通过设置出气孔的朝向,能够使反应气体流出后逐步的扩散到工件区域,避免了一个气口直接朝向工件供气时易造成气流冲击以及易使反应气体集中于某一区域,造成反应气体分布不均匀的问题,能够保证反应气体供应的均匀性,有利于提高薄膜沉积的质量。
气相沉积炉、其使用方法及气相沉积系统.pdf
本发明揭示了气相沉积炉、其使用方法及气相沉积系统,其中气相沉积炉,包括罩体及盖板,它们均连接一轴,罩体的侧壁上设置有第一气道、第二气道及第一电极及第二电极,第一电极电连接架设于罩体内的导电工件放置架,第二电极电连接位于罩体内且与导电工件放置架位置对应的导电板;盖板连接驱动其绕轴转动且在第一状态和第二状态之间切换的翻转驱动机构,第一状态下,盖板密封所述罩体的开口并与罩体形成一密封腔,第二状态下,盖板使罩体的开口保持敞开状态。本方案通过罩体与盖板形成腔体,且盖体可相对罩体翻转,极大的方便进行上下料作业,不需要
气相沉积均匀加热装置及气相沉积炉.pdf
本发明揭示了气相沉积均匀加热装置及气相沉积炉,包括至少两个间隙设置的加热板,所述加热板在与它们平行的同一投影面上的投影重合,且相邻加热板之间的间隙形成用于放置工件的加热空间,每个所述加热板的两端分别连接一石墨电极,每个所述石墨电极连接用于连接电源的铜电极。本发明设计精巧,通过在两个加热板的间隙之间形成用于放置工件的加热空间,两个加热板同时从两个相反方向直接对工件进行加热,一来具有更高的加热效率,减少热传递过程的热损耗,有利于降低能耗;同时,两面同时加热,有利于保证加热的均匀性,避免工件受热不均。
用于沉积膜的化学气相沉积炉.pdf
公开了一种用于沉积氮化硅膜的化学气相沉积炉。该炉包括沿基本竖直方向伸长的处理室和用于在处理室中支撑多个晶片的晶片舟。处理气体注射器设置在处理室内,其基本在晶片舟高度上沿基本竖直方向延伸,并且包括连接到硅前体源和氮前体源的进给端和多个竖直间隔的气体注射孔,以从进给端向处理室提供气体。该炉可以包括吹扫气体注射系统,以在处理室的下端附近将吹扫气体提供到处理室中。