长晶炉及结晶系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109695055A(43)申请公布日2019.04.30(21)申请号201910182656.2(22)申请日2019.03.11(71)申请人苏州新美光纳米科技有限公司地址215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW-20#107、108、109、110(72)发明人夏秋良范雪峰(74)专利代理机构北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371代理人倪静(51)Int.Cl.C30B15/14(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称长晶炉及结晶系统(57)摘要本申请提供一种长晶炉及结晶系统，涉及炉体结构领域。该长晶炉包括：炉体、第一坩埚、点热源、底部隔热结构和加热器；第一坩埚设置在炉体内；加热器设置在第一坩埚外侧；点热源设置在第一坩埚底部中心处；底部隔热结构套设于点热源外。点热源对第一坩埚中心处实现集中加热，从而保证单晶硅棒中心与熔融多晶硅的温差与单晶硅棒表面熔融多晶硅的温差一致，使得单晶硅棒中心与表面的结晶速度一致，保证了单晶硅棒的品质。CN109695055ACN109695055A权利要求书1/1页1.一种长晶炉，其特征在于，包括：炉体、第一坩埚、点热源、底部隔热结构和加热器；所述第一坩埚设置在所述炉体内；所述加热器设置在所述第一坩埚外侧；所述点热源设置在所述第一坩埚底部中心处；所述底部隔热结构套设于所述点热源外。2.根据权利要求1所述的长晶炉，其特征在于，还包括：辅热器；所述辅热器位于所述第一坩埚开口侧。3.根据权利要求2所述的长晶炉，其特征在于，还包括：冷却器和中部隔热层；所述冷却器的一端固定设置于所述炉体的炉口处，且延伸至所述炉体内；所述中部隔热层的一端与所述冷却器的另一端连接；所述中部隔热层的另一端与所述辅热器连接。4.根据权利要求1所述的长晶炉，其特征在于，还包括：冷却器和中部隔热层；所述冷却器的一端固定设置于所述炉体的炉口处，且延伸至所述炉体内；所述中部隔热层的一端与所述冷却器的另一端连接，且所述中部隔热层位于所述第一坩埚开口侧。5.根据权利要求1所述的长晶炉，其特征在于，还包括：第二坩埚；所述第二坩埚套设在所述第一坩埚外侧。6.根据权利要求1所述的长晶炉，其特征在于，还包括：侧壁隔热层；所述侧壁隔热层固定在所述炉体的侧壁上，且位于所述加热器和所述侧壁之间。7.根据权利要求1所述的长晶炉，其特征在于，还包括：底部隔热层；所述底部隔热层固定在所述炉体的底壁上。8.根据权利要求7所述的长晶炉，其特征在于，还包括：底部支撑台；所述底部支撑台与所述点热源固定连接。9.根据权利要求8所述的长晶炉，其特征在于，还包括：底杆；所述底杆的一侧与所述底部支撑台连接，另一侧依次穿过所述底部隔热层和所述炉体的底壁。10.一种结晶系统，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的长晶炉、单晶硅棒和拉晶线；所述单晶硅棒一端与所述拉晶线固定连接，另一端伸入所述长晶炉的炉口内。2CN109695055A说明书1/5页长晶炉及结晶系统技术领域[0001]本申请涉及炉体结构技术领域，特别涉及一种长晶炉及结晶系统。背景技术[0002]单晶硅作为半导体的重要原材料，被广泛地应用于是半导体行业。随着半导体材料技术的发展，对于单晶硅的质量也提出了更高的要求。[0003]单晶硅的制备过程中，需要对晶体进行拉晶，即对熔融状态下的单晶硅进行结晶生长，以获得单晶硅棒。在拉晶的过程中，由于结晶处硅棒中心热传递速度比表面热传递速度慢，硅棒中心的温度比表面的温度高，因此硅棒中心与熔融多晶硅的温差比表面与熔融多晶硅的温差小，导致硅棒中心的结晶速度比表面的结晶速度慢。[0004]硅棒中心的结晶速度与表面的结晶速度不一致，使得结晶界面生长不均匀，导致晶格缺陷，影响单晶硅的品质。发明内容[0005]本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种长晶炉及结晶系统，以解决在长晶过程中，单晶硅棒结晶处各部分结晶速度不一致，导致单晶硅棒品质低的问题。[0006]为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：[0007]第一方面，本申请实施例提供了一种长晶炉，包括：炉体、第一坩埚、点热源、底部隔热结构和加热器；所述第一坩埚设置在所述炉体内；所述加热器设置在所述第一坩埚外侧；所述点热源设置在所述第一坩埚底部中心处；所述底部隔热结构套设于所述点热源外。[0008]可选地，所述长晶炉还包括：辅热器；所述辅热器位于所述第一坩埚开口侧。[0009]可选地，所述长晶炉还包括：冷却器和中部隔热层；所述冷却器的一端固定设置于所述炉体的炉口处，且延伸至所述炉体内；所述中部隔热层的一端与所述冷却器的另一端连接；所述中部隔热层的另