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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114318516A(43)申请公布日2022.04.12(21)申请号202111599386.9(22)申请日2021.12.24(71)申请人国宏中宇科技发展有限公司地址100089北京市海淀区长春桥路11号3号楼12层1204(72)发明人鲍慧强李宪宾王增泽井琳刘振洲刘冬冬乔建东杨帅刘素娟刘雪梅叶欣怡赵然(74)专利代理机构北京润平知识产权代理有限公司11283代理人吴瑛(51)Int.Cl.C30B23/00(2006.01)C30B28/12(2006.01)C30B29/36(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称长晶炉进气结构及长晶炉(57)摘要本发明涉及晶体生长设备领域,公开了一种长晶炉进气结构及长晶炉,所述长晶炉进气结构包括炉体和端盖,炉体设有具有开口的反应腔体,端盖用于封闭开口,端盖设有测温通道,测温通道的一端与反应腔体连通,另一端设有测温窗,测温通道的通道壁设有用于向测温通道内部通入吹扫气的第二进气口。通过上述技术方案,在端盖的测温通道设置用于向测温通道内部通入吹扫气的第二进气口,第二进气口的进气从测温通道进入反应腔体,在流动过程中能够将已经进入测温通道的挥发物吹回至反应腔体内,并同时能够阻挡反应腔体内的挥发物进入测温通道,从而避免挥发物凝结在测温窗上,保证测温窗的洁净程度。CN114318516ACN114318516A权利要求书1/1页1.一种长晶炉进气结构,其特征在于,包括:炉体(1),所述炉体(1)设有具有开口的反应腔体(2);和端盖(4),所述端盖(4)用于封闭所述开口,所述端盖(4)设有测温通道(5),所述测温通道(5)的一端与所述反应腔体(2)连通,另一端设有测温窗(6),所述测温通道(5)的通道壁设有用于向所述测温通道(5)内部通入吹扫气的第二进气口(7)。2.根据权利要求1所述的长晶炉进气结构,其特征在于,所述测温通道(5)的所述另一端在所述端盖(4)上形成通道口,所述端盖(4)上设有环绕所述通道口的密封圈(8),所述测温窗(6)设置在所述密封圈(8)上并封闭所述通道口。3.根据权利要求1所述的长晶炉进气结构,其特征在于,所述测温通道(5)内设有沿其横向设置的滤网(9),所述滤网(9)位于所述第二进气口(7)与所述反应腔体(2)之间。4.根据权利要求3所述的长晶炉进气结构,其特征在于,所述测温通道(5)的内周壁上设有沿其周向的环形安装槽,所述滤网(9)嵌设在所述安装槽内。5.根据权利要求3所述的长晶炉进气结构,其特征在于,所述滤网(9)为环形结构,环形结构形成的中孔用于红外测温线通过。6.根据权利要求5所述的长晶炉进气结构,其特征在于,所述滤网(9)的网孔直径为0.3mm‑0.5mm,所述中孔的直径为7mm‑9mm。7.根据权利要求1所述的长晶炉进气结构,其特征在于,所述炉体(1)的炉壁上设有用于向所述反应腔体(2)内通入气体的第一进气口(3),所述反应腔体(2)的开口处设有环绕所述开口的环形气室(10),所述环形气室(10)与所述第一进气口(3)连通,且所述环形气室(10)设有沿所述开口的周向排布的多个第三进气口(11)。8.根据权利要求7所述的长晶炉进气结构,其特征在于,所述炉体(1)包括炉本体(12)和设置在所述炉本体(12)上的法兰(13),所述法兰(13)的内孔为所述反应腔体(2)的开口,所述法兰(13)内部设有所述环形气室(10),且所述法兰(13)的外周壁设有所述第一进气口(3),所述法兰(13)的内周壁设有绕所述开口轴向均匀排布的多个所述第三进气口(11)。9.根据权利要求7或8所述的长晶炉进气结构,其特征在于,所述长晶炉进气结构还包括连接所述第一进气口(3)的第一进气管(14)、连接所述第二进气口(7)的第二进气管(15)、以及连接所述第一进气管(14)和所述第二进气管(15)的总进气管(16),所述总进气管(16)和所述第二进气管(15)上均设有调节阀(17)。10.一种长晶炉,其特征在于,包括权利要求1‑9中任一项所述的长晶炉进气结构。2CN114318516A说明书1/4页长晶炉进气结构及长晶炉技术领域[0001]本发明涉及晶体生长设备领域,具体地涉及一种长晶炉进气结构及长晶炉。背景技术[0002]长晶炉是用于人工合成晶体的设备。在利用长晶炉获取碳化硅晶体时,首先需要将高纯碳化硅粉料置于密闭的石墨坩埚中,而后将密闭的石墨坩埚放入长晶炉的腔体内,利用真空泵对腔体抽取真空后向腔体内通入定量惰性气体,然后通过感应线圈实现石墨坩埚的感应加热以合成碳化硅晶体,同时炉体上设有石英玻璃制成的测温窗口,以通过红外测温仪获取腔体内的温度并根据温度调节加热功率。而在晶体合成的过程