晶圆承载盘维修方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109841556A(43)申请公布日2019.06.04(21)申请号201711217561.7(22)申请日2017.11.28(71)申请人桦榆国际有限公司地址中国台湾台北市(72)发明人颜天渊(74)专利代理机构北京维澳专利代理有限公司11252代理人王立民张应(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)H01L21/687(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图14页(54)发明名称晶圆承载盘维修方法(57)摘要本发明提供了一种能延长晶圆承载盘使用寿命的晶圆承载盘维修方法，包括下列步骤：检测步骤：在每次MOCVD磊晶制程后，对晶圆承载盘进行检测作业，检查是否存在损伤；判断步骤：判断损伤是否有发生石墨底材裸露的状况；以及修补步骤：针对判断结果，在损伤处设置相应并具有纯硅的修补对象，紧接着置入真空高温炉，加热至硅熔点以上的温度，保持一段时间，让纯硅转为液相硅，渗透入损伤处反应生长出碳化硅，与原有的碳化硅镀层合为一体，让晶圆承载盘恢复到不会被氨气侵蚀的状态，能重新投入制程继续使用。CN109841556ACN109841556A权利要求书1/1页1.一种晶圆承载盘维修方法，应用于晶圆承载盘(100)的修补，所述晶圆承载盘(100)包含有一顶面凹设有至少一口袋(110)的石墨底材(10)、及一包覆在所述石墨底材(10)表面外的碳化硅镀层(20)，其特征在于：包括下列步骤：检测步骤(Ⅰ)：在每次MOCVD磊晶制程后，对晶圆承载盘(100)进行检测作业，检查所述晶圆承载盘(100)是否存在损伤(1)，存在前述损伤(1)时，进行下一步骤，不存在前述损伤(1)时，则留下等待进行下一次的MOCVD磊晶制程；判断步骤(Ⅱ)：上述损伤(1)存在时，需取出所述晶圆承载盘(100)，以对所述损伤(1)进行判断，是否有发生所述石墨底材(10)裸露的状况；以及修补步骤(Ⅲ)：针对上述判断结果，在所述损伤(1)处，设置相应的修补对象(2)，所述修补对象(2)具有纯硅(21)，紧接着再将所述晶圆承载盘(100)置入真空高温炉，加热至硅熔点以上的温度，保持一段时间，让所述纯硅(21)转为液相硅(211)，以渗透入所述损伤(1)处，最终在所述损伤(1)处，反应生长出碳化硅(3)，与原有的所述碳化硅镀层(20)合为一体，修补完成便能将所述晶圆承载盘(100)投入MOCVD磊晶制程，以继续正常使用。2.如权利要求1所述的晶圆承载盘维修方法，其特征在于：所述纯硅(21)为纯硅颗粒或纯硅粉末；所述纯硅(21)的纯度至少为98％以上。3.如权利要求1所述的晶圆承载盘维修方法，其特征在于：所述修补对象(2)还包括碳膏(22)、胶黏剂(23)和胶结剂(24)中的一种或几种组合；所述碳膏(22)，其能在判断所述石墨底材(10)未发生裸露状况时，配合所述纯硅(21)应用在修补上；所述胶黏剂(23)，其能在判断所述石墨底材(10)发生裸露状况时，配合所述纯硅(21)应用在修补上；所述胶结剂(24)，其能在判断所述石墨底材(10)未发生裸露状况时，配合所述纯硅(21)及所述碳膏(22)，应用在修补上，而当判断所述石墨底材(10)发生裸露状况时，则还能配合所述纯硅(21)，应用在修补上。4.如权利要求1所述的晶圆承载盘维修方法，其特征在于：所述修补步骤(Ⅲ)中，其真空高温炉的真空压力范围为0.5至0.001torr。5.如权利要求1所述的晶圆承载盘维修方法，其特征在于：所述修补步骤(Ⅲ)中，其真空高温炉的加热温度范围，为1450℃至1650℃。6.如权利要求1所述的晶圆承载盘维修方法，其特征在于：所述检测步骤(Ⅰ)中，所述检测作业为下列方式之一或下列方式的混合：人工检测和计算机检测。2CN109841556A说明书1/7页晶圆承载盘维修方法技术领域[0001]本发明涉及一种晶圆承载盘维修方法，尤其涉及一种应用于有机金属化学气相沉积(MetalOrganicChemicalVaporDeposition,简称MOCVD)磊晶炉的晶圆承载盘(susceptor,wafercarrierorsubstrateholder)的维修方法。背景技术[0002]近年来氮化镓(GaN)系列化合物半导体材料，已经被成功应用于发光二极管(LightEmittingDiode,简称LED)照明，并将成为新一代5G行动通讯系统中，不可或缺的高频与大功率微波电子组件，未来氮化镓(GaN)电子组件若能大量应用于电力转换设备上，还可在每个变电环节，减少电能耗损，堪称最具发展潜力的第三代半导体材料，而目前商品化的氮化镓(GaN)系半导体光电组件，大都是以MOCVD磊晶技术制