硼氮共掺的碳纳米管薄膜及其制备方法和应用.pdf
论文****酱吖
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
硼氮共掺的碳纳米管薄膜及其制备方法和应用.pdf
本发明公开了一种硼氮共掺的碳纳米管薄膜及其制备方法和应用,所述制备方法包括:1)按照(90‑100):(1.3‑1.7):(0.5‑1.5)的质量比称量乙醇、二茂铁和噻吩得到混合溶液,再加入所述混合溶液1‑3wt.%的硼酸和2‑4wt.%的吡啶,在40‑60℃分散均匀,作为前躯体溶液;2)将CVD炉完全密封,持续通入惰性气体,以排除炉内空气,调节CVD炉升温至1100‑1200℃并保温2‑5h,为后续碳纳米管膜的生长提供恒温环境;3)关闭惰性气体,持续通入H2作为反应气至H
硼掺杂碳纳米管薄膜及其制备方法和应用.pdf
本发明公开了一种硼掺杂碳纳米管薄膜及其制备方法和应用,制备方法包括以下步骤:1)按照(90‑100):(1.3‑1.7):(0.5‑1.5)的质量比称量乙醇、二茂铁和噻吩得到混合溶液,再加入所述混合溶液1‑3wt.%的硼酸,在40‑60℃分散均匀,作为前躯体溶液;2)将CVD炉完全密封,持续通入100‑200sccm的Ar,以排除炉内空气,调节CVD炉升温至1100‑1200℃并保温2‑5h,为后续碳纳米管膜的生长提供恒温环境;3)关闭Ar,持续通入700‑900sccm的H
氧化硅复合硼掺杂碳纳米管薄膜及其制备方法和应用.pdf
本发明公开了一种氧化硅复合硼掺杂碳纳米管薄膜及其制备方法和应用,所述制备方法包括以下步骤:步骤1,将立式CVD炉完全密封,持续通入Ar,将立式CVD炉升温至1100—1200℃保温;步骤2,按照95:1.5:1的质量比称量乙醇、二茂铁、噻吩,混合得到混合溶液;再在所述混合溶液中加1‑3wt.%,优选为2wt.%的硼酸作为反应的硼源,0.2—1wt.%的正硅酸乙酯作为反应的硅源,分散均匀后转移至立式CVD炉顶端的微量注射器,作为前驱体溶液;步骤3,关闭Ar,持续通入持续通入600‑1000sccm的H
硼-镓共掺单晶制备设备及其制备方法.pdf
本公开涉及一种硼‑镓共掺单晶设备及其制备方法,所述设备包括单晶炉,二次加料装置,提拉装置和单独的加料小管,制备方法包括以下步骤:步骤S1:通过二次加料装置向单晶炉加入第一原料,所述第一原料包括以下组分:第一硅料80000‑120000重量份,掺硼合金80‑120重量份,纯镓0.5‑2重量份,熔化第一原料,熔化后的第一原料结晶得到第一单晶棒;从石英坩埚内取出第一单晶棒;步骤S2:通过二次加料装置向单晶炉加入第二原料,所述第二原料包括以下组分:第二硅料160000‑200000重量份,掺硼合金160‑200重
一种硼氮共掺杂的硫量子点及其制备方法和应用.pdf
本发明提供一种硼氮共掺杂的硫量子点及其制备方法和应用。该制备方法包括:将硫源、硼酸添加于氮源分散体系中进行超声处理,得到分散液;将分散液转移至反应釜中进行溶剂热反应;反应结束后自然冷却至室温,离心纯化处理并干燥后得到硫量子点。本发明制备得到的硫量子点波长较长、产率高、表面官能团丰富、尺寸较小、粒径分布较均匀、分散性好、生物相容性良好、荧光性能优异,能够广泛应用于细胞成像和离子检测等领域。