硼掺杂碳纳米管薄膜及其制备方法和应用.pdf
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硼掺杂碳纳米管薄膜及其制备方法和应用.pdf
本发明公开了一种硼掺杂碳纳米管薄膜及其制备方法和应用,制备方法包括以下步骤:1)按照(90‑100):(1.3‑1.7):(0.5‑1.5)的质量比称量乙醇、二茂铁和噻吩得到混合溶液,再加入所述混合溶液1‑3wt.%的硼酸,在40‑60℃分散均匀,作为前躯体溶液;2)将CVD炉完全密封,持续通入100‑200sccm的Ar,以排除炉内空气,调节CVD炉升温至1100‑1200℃并保温2‑5h,为后续碳纳米管膜的生长提供恒温环境;3)关闭Ar,持续通入700‑900sccm的H
氧化硅复合硼掺杂碳纳米管薄膜及其制备方法和应用.pdf
本发明公开了一种氧化硅复合硼掺杂碳纳米管薄膜及其制备方法和应用,所述制备方法包括以下步骤:步骤1,将立式CVD炉完全密封,持续通入Ar,将立式CVD炉升温至1100—1200℃保温;步骤2,按照95:1.5:1的质量比称量乙醇、二茂铁、噻吩,混合得到混合溶液;再在所述混合溶液中加1‑3wt.%,优选为2wt.%的硼酸作为反应的硼源,0.2—1wt.%的正硅酸乙酯作为反应的硅源,分散均匀后转移至立式CVD炉顶端的微量注射器,作为前驱体溶液;步骤3,关闭Ar,持续通入持续通入600‑1000sccm的H
硼氮共掺的碳纳米管薄膜及其制备方法和应用.pdf
本发明公开了一种硼氮共掺的碳纳米管薄膜及其制备方法和应用,所述制备方法包括:1)按照(90‑100):(1.3‑1.7):(0.5‑1.5)的质量比称量乙醇、二茂铁和噻吩得到混合溶液,再加入所述混合溶液1‑3wt.%的硼酸和2‑4wt.%的吡啶,在40‑60℃分散均匀,作为前躯体溶液;2)将CVD炉完全密封,持续通入惰性气体,以排除炉内空气,调节CVD炉升温至1100‑1200℃并保温2‑5h,为后续碳纳米管膜的生长提供恒温环境;3)关闭惰性气体,持续通入H2作为反应气至H
硫、氮双掺杂碳纳米管薄膜及其制备方法.pdf
本发明公开了一种硫、氮双掺杂碳纳米管薄膜的制备方法,通过将碳源、催化剂、硫源和氮源进行混合,然后混合液体注入管式炉内得到硫、氮双掺杂碳纳米管,最后制成薄膜。本发明利用CVD法,通过改变硫源、氮源的种类和用量,对硫、氮双掺杂碳纳米管的生长进行了调控,最终得到了高纯度的硫、氮双掺杂碳纳米管薄膜;本发明所制备的硫、氮双掺杂碳纳米管薄膜具有产量大、工艺简单等优点。
硼掺杂碳纳米管的制备及其在镁基复合材料中的应用.pptx
汇报人:目录PARTONEPARTTWO碳纳米管的基本特性镁基复合材料的性能特点碳纳米管在镁基复合材料中的应用意义PARTTHREE硼源的选择与制备碳纳米管的预处理硼掺杂碳纳米管的制备流程制备过程中的关键参数控制PARTFOUR镁基复合材料的制备方法硼掺杂碳纳米对镁基复合材料性能的影响镁基复合材料的应用领域及前景本研究的主要创新点与贡献PARTFIVE硼掺杂碳纳米管的物相与形貌分析镁基复合材料的显微组织与力学性能镁基复合材料的导电性能与导热性能实验结果与讨论PARTSIX本研究的主要结论对未来研究的建议与