晶舟及使用晶舟的炉管机台以及形成膜层的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110875226A(43)申请公布日2020.03.10(21)申请号201910795673.3C23C16/458(2006.01)(22)申请日2019.08.27(30)优先权数据62/725,1942018.08.30US16/419,5812019.05.22US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号(72)发明人杨文彬陈丰裕罗健伦(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人徐金国(51)Int.Cl.H01L21/673(2006.01)H01L21/205(2006.01)权利要求书1页说明书13页附图22页(54)发明名称晶舟及使用晶舟的炉管机台以及形成膜层的方法(57)摘要一种晶舟及使用晶舟的炉管机台以及形成膜层的方法。晶舟包含至少一支撑件、至少一组的至少一第一固定件、至少一组的至少一第二固定件以及至少一组的至少一第三固定件。支撑件沿第一方向延伸。至少一组的至少一第一固定件、至少一组的至少一第二固定件以及至少一组的至少一第三固定件，设置于支撑件上且于第一方向上依序并分开地设置。该组的第一固定件与该组的第二固定件间分隔第一间距，该组的第二固定件与该组的第三固定件间分隔第二间距，其中第一间距小于第二间距。CN110875226ACN110875226A权利要求书1/1页1.一种晶舟，其特征在于，包含：至少一支撑件，沿一第一方向延伸；以及至少一组的至少一第一固定件、至少一组的至少一第二固定件以及至少一组的至少一第三固定件，设置于该支撑件上且于该第一方向上依序并分开地设置，其中该组的该第一固定件与该组的该第二固定件间分隔一第一间距，该组的该第二固定件与该组的该第三固定件间分隔一第二间距，其中该第一间距小于该第二间距。2.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于，其中该第一固定件、该第二固定件以及该第三固定件是设置于该支撑件上的多个开槽。3.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于，其中该第一固定件、该第二固定件以及该第三固定件是自该支撑件延伸的多个支撑钉。4.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于，还包含：一底板；以及一顶板，位于该底板上方，其中该支撑件连接于该底板与该顶板之间。5.一种炉管机台，其特征在于，包含：一制程容器，包含：一反应室，其中该反应室具有一第一端与相对于该反应室的该第一端的一第二端；一气体入口，位于该反应室的该第一端；以及一气体出口，位于该反应室的该第二端；以及一晶舟，位于该反应室，其中该晶舟包含一第一固定件、一第二固定件以及一第三固定件，该第一固定件、该第二固定件以及该第三固定件沿着从该反应室的该第一端至该反应室的该第二端的一方向依序并分开地设置，其中该第一固定件与该第二固定件间分隔一第一间距，该第二固定件与该第三固定件间分隔一第二间距，其中该第一间距小于该第二间距。6.根据权利要求5所述的炉管机台，其特征在于，其中该第一固定件、该第二固定件以及该第三固定件是多个开槽。7.根据权利要求5所述的炉管机台，其特征在于，其中该晶舟包含一支撑件，且该第一固定件、该第二固定件以及该第三固定件是自该支撑件延伸的多个支撑钉。8.根据权利要求5所述的炉管机台，其特征在于，其中该气体出口是位于该气体入口的上方。9.一种形成膜层的方法，其特征在于，包含：在一腔室中，依序地放置一第一晶圆、一第二晶圆以及一第三晶圆，其中该第一晶圆与该第二晶圆间分隔一第一间距，该第二晶圆与该第三晶圆间分隔一第二间距，其中该第一间距小于该第二间距；引入至少一制程气体，其中该制程气体依序经过该腔室中的该第一晶圆、该第二晶圆以及该第三晶圆。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，其中引入该制程气体是经由一气体入口引入该制程气体，其中该气体入口与该第一晶圆之间的一第一距离小于该气体入口与该第二晶圆之间的一第二距离。2CN110875226A说明书1/13页晶舟及使用晶舟的炉管机台以及形成膜层的方法技术领域[0001]本揭露是关于一种晶舟及使用晶舟的炉管机台以及形成膜层的方法。背景技术[0002]半导体装置使用于各种电子应用，例如个人电脑、移动电话、数字相机以及其他电子设备。半导体装置的制作通过依序在半导体基板上沉积绝缘或介电层、导电层、半导体层的材料以及使用光刻微影来图案化或处理基板以及/或各种材料层，以形成电路组件与元件于其上，进而形成集成电路。经由调整制程参数而影响并控制这些沉积在半导体基板上的层体的均匀度，其中制程参数例如为晶圆温度、反应室压力、反应气体的流动路径与速率、制程时间或持续时间以及其他因素。期望提供一种针对在晶圆制程机台中沉积层体的解决方案。发明内容[0003]根据本揭露的部分实