改善原子层沉积膜厚均匀度的方法和用于承载晶圆的晶舟.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108624867A(43)申请公布日2018.10.09(21)申请号201810446713.9(22)申请日2018.05.11(71)申请人睿力集成电路有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室(72)发明人不公告发明人(74)专利代理机构北京市铸成律师事务所11313代理人张臻贤武晨燕(51)Int.Cl.C23C16/458(2006.01)C23C16/455(2006.01)权利要求书3页说明书9页附图6页(54)发明名称改善原子层沉积膜厚均匀度的方法和用于承载晶圆的晶舟(57)摘要本发明提供一种改善原子层沉积膜厚均匀度的方法、电容器的制造方法、用于承载晶圆的晶舟及原子层沉积炉管，其中改善原子层沉积膜厚均匀度的方法，包括：提供用于承载晶圆的晶舟，包括将顶部稳流件可抽取式地插入第一凹槽，以在顶盖与晶圆之间形成阻挡；将底部稳流件可抽取式插入第二凹槽，以在底座和晶圆之间形成阻挡；装载多个晶圆在装载架中，包括将多个晶圆中的每一个可抽取式插入第三凹槽；进行原子层沉积工艺，包括由原子层沉积炉管的气体注射器排入制程气体，经由所述晶舟沉积于多个晶圆以形成薄膜，顶部稳流件和底部稳流件改善制程气体在晶舟的顶部和底部的气体流布均匀度。本发明可以改善沉积膜厚均匀度，降低微尘污染，并提升良率。CN108624867ACN108624867A权利要求书1/3页1.一种改善原子层沉积膜厚均匀度的方法，其特征在于，包括：提供用于承载晶圆的晶舟；其中，所述晶舟包括装载架，具有位于顶部的顶盖、位于底部的底座，及多根竖直连接于所述顶盖的外周和所述底座的外周之间的连接柱，所述连接柱的内壁开设有第一凹槽、第二凹槽及多个第三凹槽，所述第一凹槽位于所述连接柱的顶部；所述第二凹槽，位于所述连接柱的底部；所述第三凹槽位于所述第一凹槽和所述第二凹槽之间，用于插入所述晶圆，所述晶舟还包括顶部稳流件及底部稳流件，所述顶部稳流件可抽取式地插入所述第一凹槽，以在所述顶盖与所述晶圆之间形成阻挡；所述底部稳流件可抽取式插入所述第二凹槽，以在所述底座和所述晶圆之间形成阻挡，其中，所述顶盖、所述顶部稳流件、所述底部稳流件和所述底座平行设置；装载多个晶圆在所述装载架中，包括将所述多个晶圆中的每一个可抽取式插入所述第三凹槽；进行原子层沉积工艺，包括由原子层沉积炉管的气体注射器排入制程气体，所述制程气体经由所述晶舟沉积于所述多个晶圆以形成薄膜，所述顶部稳流件和所述底部稳流件改善所述制程气体在所述晶舟的顶部和底部的气体流布均匀度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述顶部稳流件包括顶部上夹板和顶部下夹板以及连接于所述顶部上夹板和所述顶部下夹板之间的至少一根顶部支柱，其中，所述顶部上夹板和所述顶部下夹板平行设置，以及所述进行原子层沉积工艺的步骤包括：所述制程气体在所述顶部上夹板和所述顶部下夹板之间流通。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底部稳流件包括底部上夹板和底部下夹板以及连接于所述底部上夹板和所述底部下夹板之间的至少一根底部支柱，其中，所述底部上夹板和所述底部下夹板平行设置，以及所述进行原子层沉积工艺的步骤包括：所述制程气体在所述底部上夹板和所述底部下夹板之间流通。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供用于承载晶圆的晶舟的步骤包括：提供包括多个所述第一凹槽和多个所述顶部稳流件的晶舟，其中，多个所述顶部稳流件平行设置，并且将多个所述顶部稳流件中的每一个可抽取式插入一个所述第一凹槽；以及所述进行原子层沉积工艺的步骤包括：所述制程气体在相邻两个所述顶部稳流件之间流通。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供用于承载晶圆的晶舟的步骤包括：提供包括多个所述第二凹槽和多个所述底部稳流件的晶舟，其中，多个所述底部稳流件平行设置，并且将多个所述底部稳流件中的每一个可抽取式插入一个所述第二凹槽；以及所述进行原子层沉积工艺的步骤包括：所述制程气体在相邻两个所述底部稳流件之间流通。6.一种电容器的制造方法，其特征在于，包括：2CN108624867A权利要求书2/3页形成下电极板于晶圆的上方；以权利要求1至5任一项所述的改善原子层沉积膜厚均匀度的方法形成介电层于所述下电极板的表面；形成上电极板于所述介电层的表面；形成导线结构于所述上电极板的表面。7.一种用于承载晶圆的晶舟，其特征在于，包括：装载架，具有位于顶部的顶盖、位于底部的底座及多根连接柱，所述连接柱竖直连接于所述顶盖的外周和所述底座的外周之间；并且所述连接柱的内壁开设有第一凹槽、第二凹槽及多个第三凹槽，所述第一凹槽位于所述连接柱的顶部；所述第二凹槽，位于所述连接柱的底部；所述第三凹槽位于所述第一凹