晶舟底盘、晶舟和扩散炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114361082A(43)申请公布日2022.04.15(21)申请号202011090351.8F27D11/00(2006.01)(22)申请日2020.10.13F27D19/00(2006.01)(71)申请人中国科学院微电子研究所地址100029北京市朝阳区北土城西路3号申请人真芯（北京）半导体有限责任公司(72)发明人郭世根李亭亭蒋浩杰项金娟丁云凌田光辉(74)专利代理机构北京辰权知识产权代理有限公司11619代理人何家鹏(51)Int.Cl.H01L21/673(2006.01)H01L21/67(2006.01)C30B31/06(2006.01)C30B31/14(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称晶舟底盘、晶舟和扩散炉(57)摘要本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种晶舟底盘、晶舟和扩散炉，该晶舟底盘包括本体和固定件，固定件连接在本体朝向晶圆的一侧上，且固定件与本体为一体结构，固定件设置成用于固定热电偶。根据本申请实施例的晶舟底盘，固定件和本体为一体结构，即使热电偶发生倾斜时，固定件相对本体也不会发生相对移动，解决了本体磨损产生粉末的问题，避免粉末对加工工艺的影响，提高了晶圆的加工效果。将固定件设置在本体朝向晶圆的一侧，在进行工艺前的准备工作时，只需要使固定件与热电偶配合即可，加工结束后，将热电偶取走，无需对固定件进行拆装，简化了操作，减少了工作人员的工作量。CN114361082ACN114361082A权利要求书1/1页1.一种晶舟底盘，其特征在于，包括：本体；固定件，所述固定件连接在所述本体朝向晶圆的一侧上，且所述固定件与所述本体为一体结构，所述固定件设置成用于固定热电偶。2.根据权利要求1所述的晶舟底盘，其特征在于，所述固定件为位于所述本体朝向所述晶圆的一侧的凸起结构，所述凸起结构上设置有固定孔，所述固定孔设置成用于固定所述热电偶。3.根据权利要求2所述的晶舟底盘，其特征在于，所述固定孔包括：第一调整面，所述第一调整面的法线与所述热电偶的安装方向之间形成夹角，且所述第一调整面设置成将所述热电偶的方向调整至预设范围内；第二调整面，所述第二调整面连接在所述第一调整面上，所述第二调整面与所述安装方向平行，所述第二调整面设置成将所述热电偶的方向调整至与所述安装方向重合。4.根据权利要求3所述的晶舟底盘，其特征在于，所述第一调整面为一个，所述第一调整面沿所述固定孔的周向设置。5.根据权利要求3所述的晶舟底盘，其特征在于，所述第一调整面为至少两个，至少两个所述第一调整面沿所述第二调整面的周向间隔设置。6.根据权利要求2所述的晶舟底盘，其特征在于，所述固定孔为与所述热电偶匹配的任意几何图形。7.根据权利要求2所述的晶舟底盘，其特征在于，所述固定孔为阶梯孔。8.根据权利要求1所述的晶舟底盘，其特征在于，所述固定件上设置有镂空结构。9.一种晶舟，其特征在于，包括：多个支撑架，每一所述支撑架上设置有至少一个支撑部，所述支撑部设置成承载晶圆；晶舟底盘，所述支撑架间隔设置在所述晶舟底盘上，所述晶舟底盘为权利要求1-8任一项所述的晶舟底盘。10.一种扩散炉，其特征在于，包括：钟形罩，所述钟形罩上设置有通孔；加热组件，所述加热组件包括热电偶、温度控制器和加热器，所述热电偶设置成测量所述钟形罩内的温度，所述加热器环绕所述钟形罩设置，所述加热器和所述热电偶分别与所述温度控制器电连接，所述温度控制器设置成接收所述热电偶的信号以控制所述加热器启停；晶舟，所述钟形罩扣合在所述晶舟底盘上，所述热电偶穿过所述通孔插入所述晶舟的所述固定件，所述晶舟为权利要求9所述的晶舟。2CN114361082A说明书1/5页晶舟底盘、晶舟和扩散炉技术领域[0001]本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种晶舟底盘、晶舟和扩散炉。背景技术[0002]本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。[0003]半导体器件及集成电路的制造就是在硅片上进行一系列复杂的化学或物理操作。炉体设备在半导体器件及集成电路的制造过程中起着至关重要的作用。炉体设备通常被用于热生长氧化物，如栅氧的形成；离子注入后硅表面的热退火，薄膜的沉积等。炉体设备一般分为卧式炉、立式炉及快速热处理。立式炉更易自动化、可改善操作者的安全以及减少颗粒玷污、更好地控制温度和均匀性，主要用于对硅片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。扩散炉的主要控制系统分为五部分：工艺腔、硅片传输系统、气体分配系统、尾气系统和温控系统。对于上述的工艺，精确的控制炉管的温度在整个工艺过程中至关重要。[0004]对于扩散炉的温控系统而言，设置于腔室内部的热电偶用于检测腔室内部的温度并且将其传送给