一种太阳能硅片表面清洁处理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111128677A(43)申请公布日2020.05.08(21)申请号201911292678.0(22)申请日2019.12.16(71)申请人合肥敬卫新能源有限公司地址230000安徽省合肥市肥东县陈集镇陈集村李后组(72)发明人程林(74)专利代理机构北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411代理人苏友娟(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/67(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种太阳能硅片表面清洁处理方法(57)摘要本发明公开了一种太阳能硅片表面清洁处理方法，将清洗棉片上沾湿清洗液，清洗棉片和待清洁的太阳能硅片表面作相对运动，利用清洗棉片对太阳能硅片表面的灰尘及黏胶进行擦拭、分离；将预清洗后的太阳能硅片放入恒温箱中，保持恒温箱内温度为25-35℃，恒温保温15-25min后将恒温箱内温度升高至100-105℃，使其干燥；将干燥后的太阳能硅片放置在上料装置上，上料装置连接至自动插片装置，将插满硅片的承载盒运输至下一清洗工序内；将插满硅片的承载盒放置在真空压炉内，利用抽真空装置将真空压炉内抽真空；按一定比例将氢气、氦气和氩气通入真空压炉内，真空压炉内设置有离子发射源，通过氢离子、氦离子和氩离子在真空环境下高能量冲击太阳能硅片表面进行清洗20-40min。CN111128677ACN111128677A权利要求书1/1页1.一种太阳能硅片表面清洁处理方法，其特征在于，包括以下操作步骤：S1：预清洗：将清洗棉片上沾湿清洗液，清洗棉片的含清洗液湿度为60-75％；使得所述清洗棉片表面贴合于待清洁的太阳能硅片表面，使得清洗棉片和待清洁的太阳能硅片表面作相对运动，利用清洗棉片对太阳能硅片表面的灰尘及黏胶进行擦拭、分离；S2：干燥：将预清洗后的太阳能硅片放入恒温箱中，保持恒温箱内温度为25-35℃，恒温保温15-25min后将恒温箱内温度升高至100-105℃，蒸发太阳能硅片表面多余水分，使其干燥；S3：插片：将干燥后的太阳能硅片放置在上料装置上，上料装置连接至自动插片装置，自动插片装置自动完成将太阳能硅片进行分片、插篮任务，将插满硅片的承载盒运输至下一清洗工序内；S4：气流冲洗：将插满硅片的承载盒放置在真空压炉内，利用抽真空装置将真空压炉内抽真空；按一定比例将氢气、氦气和氩气通入真空压炉内，真空压炉内设置有离子发射源，通过氢离子、氦离子和氩离子在真空环境下高能量冲击太阳能硅片表面进行清洗，持续20-40min后得到清洗完成的太阳能硅片。2.根据权利要求1所述的一种太阳能硅片表面清洁处理方法，其特征在于，太阳能硅片在恒温箱中保持表面湿度为35-45％。3.根据权利要求1所述的一种太阳能硅片表面清洁处理方法，其特征在于，所使用的清洗剂包括A剂和B剂，A剂包含强碱性催化剂5％-35％、无机溶剂65％-95％，B剂包含分析纯磷酸三钠03％-3％、分析纯联氨0.05％-2％；使用时由A剂和B剂按照体积比1:10的比例混合使用，混合后溶液比重为1.008g/ml-1.031g/ml。4.根据权利要求1所述的一种太阳能硅片表面清洁处理方法，其特征在于，在上料装置与自动插片装置之间安装缺陷检测设备，将经过缺陷检测设备检测合格的太阳能硅片进行插片，不合格的太阳能硅片分拣出来另行处理。5.根据权利要求1所述的一种太阳能硅片表面清洁处理方法，其特征在于，所述真空压炉内抽真空后本底真空度达到101.325KPa及以上。6.根据权利要求1所述的一种太阳能硅片表面清洁处理方法，其特征在于，所述离子发射源包括通电磁场和微波发生器，在磁场和微波的共同作用下，产生混合气体的等离子体。2CN111128677A说明书1/3页一种太阳能硅片表面清洁处理方法技术领域[0001]本发明涉及太阳能硅片技术领域，尤指一种太阳能硅片表面清洁处理方法。背景技术[0002]地壳中含量达25.8％的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。由于硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一，对太阳能电池这样注定要进入大规模市场的产品而言，储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一。硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，太阳电池片采用只需一次烧结的共烧工艺，同时形成上下电极的欧姆接触。银浆、银铝浆、铝浆印刷过的硅片，经过烘干使有机溶剂完全挥发，膜层收缩成为固状物紧密粘附在硅片上，这时可视为金属电极材料层和硅片接触在一起。当电极金属材料和半导体单晶硅加热达到共晶温度时，单晶硅原子以一定的比例溶入到熔融的合金电极材料中。单晶硅原子溶入到电极金属中的整个过程是相当快的，一般只需几秒