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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107775521A(43)申请公布日2018.03.09(21)申请号201610731964.2(22)申请日2016.08.26(71)申请人镇江荣德新能源科技有限公司地址212200江苏省镇江市扬中市经济开发区港隆路998号(72)发明人包剑余刚张涛(74)专利代理机构南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249代理人张耀文(51)Int.Cl.B24B37/04(2012.01)B24B31/02(2006.01)C30B33/10(2006.01)C09G1/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种太阳能级单晶硅片表面处理方法(57)摘要本发明公开了一种太阳能级单晶硅片表面处理方法,采用粒度直径在12-16nm的粗碳化硼对单晶硅片表面进行机械粗研磨;采用粒度直径在1.5-2.5nm的细碳化硼对经过粗研磨的单晶硅片表面进行机械细研磨;将经过细研磨后的单晶硅片中放入抛光液中进行腐蚀抛光,去除单晶硅片表面的研磨产生的损伤层;用强碱弱酸盐对得到的单晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉;将得到的单晶硅片放入旋转桶内进行边缘抛光;用强碱弱酸盐对得到的单晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉;对得到的单晶硅片进行清洗和烘干。本发明得到的单晶硅片硬度高、表面光滑。CN107775521ACN107775521A权利要求书1/1页1.一种太阳能级单晶硅片表面处理方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,采用粒度直径在12-16nm的粗碳化硼对单晶硅片表面进行机械粗研磨;步骤2,采用粒度直径在1.5-2.5nm的细碳化硼对经过粗研磨的单晶硅片表面进行机械细研磨;步骤3,将经过细研磨后的单晶硅片中放入抛光液中进行腐蚀抛光,去除步骤2中单晶硅片表面的研磨产生的损伤层;步骤4,用强碱弱酸盐对步骤3得到的单晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉;步骤5,将步骤4得到的单晶硅片放入旋转桶内进行边缘抛光;步骤6,用强碱弱酸盐对步骤3得到的单晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉;步骤7,对步骤6得到的单晶硅片进行清洗和烘干。2.根据权利要求1所述的太阳能级单晶硅片表面处理方法,其特征在于:所述抛光液为硝酸、氢氟酸、醋酸的混合液。3.根据权利要求2所述的太阳能级单晶硅片表面处理方法,其特征在于:所述硝酸、氢氟酸、醋酸的质量比为5:3:3。4.根据权利要求1所述的太阳能级单晶硅片表面处理方法,其特征在于:所述步骤1中的粗研磨时间为20-30分钟。5.根据权利要求1所述的太阳能级单晶硅片表面处理方法,其特征在于:所述步骤2中的细研磨时间10-20分钟。6.根据权利要求1所述的太阳能级单晶硅片表面处理方法,其特征在于:所述步骤3中每面的腐蚀厚度在0.03-0.05毫米。7.根据权利要求1所述的太阳能级单晶硅片表面处理方法,其特征在于:所述步骤5中旋转桶内设置有抛光衬垫和抛光液。2CN107775521A说明书1/3页一种太阳能级单晶硅片表面处理方法技术领域[0001]本发明涉及太阳能级半导体单晶硅片加工领域,尤其涉及一种太阳能级单晶硅片表面处理方法。背景技术[0002]在太阳能级半导体单晶硅片加工过程中,经线锯开方生成的单晶硅片由于表面粗糙,且线痕严重,不能直接对其进行切片。[0003]在对单晶硅片进行切片之前,需要先对单晶硅片表面的线痕进行处理,现有专利201110121538.4,公开了一种太阳能级单晶硅片表面处理方法,使用金钢石磨轮对单晶硅片表面进行物理法机械研磨处理,以除去单晶硅片表面的线痕。然而在处理单晶硅片表面线痕时会在单晶硅片表面形成新的损伤层,容易导致切片后单晶硅片边缘产生蹦边等缺陷和不良,其采用碱腐蚀的方法对该损伤层进行腐蚀,但其在进行腐蚀时,容易造成硅片边缘有腐蚀坑,使得硅片应力不集中,硬度较差。发明内容[0004]发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本发明提供一种硬度高,表面光滑的太阳能级单晶硅片表面处理方法。[0005]技术方案:为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:一种太阳能级单晶硅片表面处理方法,包括以下步骤:步骤1,采用粒度直径在12-16nm的粗碳化硼对单晶硅片表面进行机械粗研磨;步骤2,采用粒度直径在1.5-2.5nm的细碳化硼对经过粗研磨的单晶硅片表面进行机械细研磨;步骤3,将经过细研磨后的单晶硅片中放入抛光液中进行腐蚀抛光,去除步骤2中单晶硅片表面的研磨产生的损伤层;步骤4,用强碱弱酸盐对步骤3得到的单晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉;步骤5,将步骤4得到的单晶硅片放入旋转桶内进行边缘抛光;步骤6,用强碱弱酸盐对步骤3得到的单晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉;步骤7,对步骤6得到的单晶硅片进行清洗和烘干。[0006]优选的:所述抛光