晶圆薄膜的生长方法、炉管晶圆排布系统以及挡片.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111235549A(43)申请公布日2020.06.05(21)申请号202010045542.6(22)申请日2020.01.16(71)申请人长江存储科技有限责任公司地址430074湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号(72)发明人潘玉妹詹冬武潘国卫(74)专利代理机构北京成创同维知识产权代理有限公司11449代理人蔡纯刘静(51)Int.Cl.C23C16/455(2006.01)C23C16/54(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图4页(54)发明名称晶圆薄膜的生长方法、炉管晶圆排布系统以及挡片(57)摘要本申请公开了一种晶圆薄膜的生长方法炉管晶圆排布系统，该排布系统包括：炉管；晶舟，位于炉管中，晶舟包括多个放置槽；第一挡片和第二挡片，分别位于晶舟的一端；多个产品片，位于晶舟中，多个产品片的表面均具有薄膜；其中，第一挡片和第二挡片的表面具有与产品片相同类型的薄膜，多个产品片位于第一挡片和第二挡片之间，多个产品片中的部分产品片与第一挡片或第二挡片相邻。通过将挡片与产品片相邻设置，从而防止产品片与不同类型的晶圆直接接触，可以有效避免因热辐射差异造成的产品片厚度超差，可使产品片的厚度更加均匀，一致性更好，提高产品片良品率的同时极大程度的提升了产品品质。CN111235549ACN111235549A权利要求书1/2页1.一种晶圆薄膜的生长方法，其特征在于，该生长方法包括：在晶舟的两端放入挡片；将产品片放入所述晶舟中；将所述晶舟放入炉管内加热；以及向所述炉管内通入反应气体，使所述产品片的表面生长预设厚度的薄膜；其中，所述产品片位于所述挡片之间，所述挡片的表面具有与所述产品片相同类型的薄膜。2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，该生长方法还包括在晶舟中放入控制片，所述控制片与所述产品片同时在所述晶舟中放入炉管内加热，通过测量所述控制片监测所述产品片表面薄膜的生长状态。3.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述挡片的厚度与所述产品片的厚度相同。4.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述挡片具有与所述产品片相同的边缘轮廓。5.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述挡片的薄膜的材料包括氧化硅、氮化硅中的至少一种。6.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述挡片的薄膜厚度为7.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述挡片可重复使用。8.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述挡片至少为两枚，分别设置在所述晶舟的两端；所述控制片同样至少为两枚，分别设置在所述晶舟的两端，所述控制片位于至少一枚所述挡片的内侧。9.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述晶舟的一端具有两枚所述挡片和两枚所述控制片，所述挡片和所述控制片交替设置，使一枚所述控制片位于两枚所述挡片之间。10.一种炉管晶圆排布系统，其特征在于，包括：炉管；晶舟，位于所述炉管中，所述晶舟包括多个用于放置产品片的放置槽；以及第一挡片和第二挡片，分别位于所述放置槽的一端；其中，所述第一挡片和所述第二挡片的表面具有与产品片相同类型的薄膜。11.根据权利要求10所述的晶圆排布系统，其特征在于，所述多个放置槽等距排布。12.根据权利要求10所述的晶圆排布系统，其特征在于，所述第一挡片和/或所述第二挡片为多片，所述第一挡片中的至少一片和所述第二挡片中的至少一片与所述产品片的放置槽相邻。13.根据权利要求10所述的晶圆排布系统，其特征在于，还包括控制片，所述控制片位于所述晶舟的放置槽中，所述控制片至少为2片，分别位于所述晶舟的放置槽的一端，所述控制片与所述第一挡片或所述第二挡片相邻。14.根据权利要求13所述的晶圆排布系统，其特征在于，所述控制片包括第一控制片和第二控制片，所述第一控制片和所述第一挡片位于所述晶舟的同一端，所述第二控制片和2CN111235549A权利要求书2/2页所述第二挡片位于所述晶舟的另一端。15.根据权利要求14所述的晶圆排布系统，其特征在于，所述第一控制片和所述第一挡片均为2枚，两者交替设置，使其中1枚所述第一控制片位于两第一挡片之间，其中1枚所述第一挡片的一侧表面与所述产品片的放置槽相邻。16.一种挡片，其特征在于，所述挡片的表面具有与产品片相同类型的薄膜，所述挡片用于晶圆薄膜的生长工艺中。3CN111235549A说明书1/5页晶圆薄膜的生长方法、炉管晶圆排布系统以及挡片技术领域[0001]本发明涉及半导体技术，更具体地，涉及一种晶圆薄膜的生长方法及炉管晶圆排布系统。背景技术[0002]随着科技的进步，半导体电子产品已经应用到社会生活的各个领域，通常这些半导体电子产品中都具有半导体芯片，半导体芯片在当今的生产生活中已