晶圆管芯曝光场的排布方法、晶圆的制备方法及晶圆.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114280898A(43)申请公布日2022.04.05(21)申请号202111665684.3(22)申请日2021.12.31(71)申请人北海惠科半导体科技有限公司地址536005广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司16幢三楼301室(72)发明人王占伟王国峰(74)专利代理机构北京华夏泰和知识产权代理有限公司11662代理人刘敏(51)Int.Cl.G03F7/20(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称晶圆管芯曝光场的排布方法、晶圆的制备方法及晶圆(57)摘要本申请涉及一种晶圆管芯曝光场的排布方法、晶圆的制备方法及晶圆，具体方法如下，首先形成第一曝光排布区域和第二曝光排布区域，之后通过判断出任一个第二曝光排布区域在第一方向上的至少一个端部，与晶圆的边缘之间存在未重叠区域时，则确定出对应的第二曝光排布区域的目标移动量和目标移动方向，采用这样错位移动的方式以将形成于晶圆边缘处的未重叠区域进行覆盖，从而增大管芯曝光场与晶圆的重叠面积，提高单片晶圆上管芯的数量，充分利用晶圆有效面积，提高单片晶圆上管芯的产出率；另外，还通过保证第一管芯曝光场与移动后的第二管芯曝光场内的管芯阵列对齐排布，从而防止在切割晶圆使对管芯造成划损。CN114280898ACN114280898A权利要求书1/2页1.一种晶圆管芯曝光场的排布方法，所述晶圆分为中间区域以及设置于所述中间区域两侧的边缘区域，其特征在于，所述方法包括：步骤S1、沿第一方向覆盖所述中间区域矩阵阵列排布多个第一管芯曝光场，以形成第一曝光排布区域；步骤S2、沿垂直于所述第一方向的第二方向，在所述第一曝光排布区域两侧依次排布两个第二曝光排布区域，其中，每个所述第二曝光排布区域由多个第二管芯曝光场构成，多个所述第二管芯曝光场沿所述第一方向覆盖所述边缘区域直线阵列排布；步骤S3、若判断出任一个所述第二曝光排布区域在所述第一方向上的至少一个端部，与所述晶圆的边缘之间存在未重叠区域时，则确定出对应的所述第二曝光排布区域的目标移动量和目标移动方向；步骤S4、按照所述目标移动量和所述目标移动方向，将对应的所述第二曝光排布区域相对所述第一曝光排布区域错位移动至覆盖所述未重叠区域，此时设置于每个所述第二管芯曝光场内的管芯与每个所述第一管芯曝光场内的管芯一一对应。2.根据权利要求1所述的晶圆管芯曝光场的排布方法，其特征在于，在所述步骤S2之后，所述方法还包括：若判断出任一个所述第二曝光排布区域在所述第一方向上的两个端部，均与所述晶圆的边缘之间存在所述未重叠区域时，则将其他所述第二曝光排布区域中与所述晶圆重叠面积较少的所述第二管芯曝光场，移动至对应所述第二曝光排布区域的边缘处，以覆盖其中一个所述未重叠区域；按照未被覆盖的所述未重叠区域所在位置确定出两个所述第二曝光排布区域的所述目标移动量和所述目标移动方向；两个所述第二曝光排布区域分别按照对应的目标移动量和目标移动方向，相对所述第一曝光排布区域错位移动至覆盖对应的未重叠区域。3.根据权利要求2所述的晶圆管芯曝光场的排布方法，其特征在于，所述目标移动量为单个管芯在所述目标移动方向上长度的正整数倍。4.根据权利要求2所述的晶圆管芯曝光场的排布方法，其特征在于，所述按照未被覆盖的所述未重叠区域所在位置确定出两个所述第二曝光排布区域的所述目标移动量和所述目标移动方向的步骤具体包括：计算出所述第二曝光排布区域在所述第一方向上存在所述未重叠区域的端部与所述晶圆边缘之间的距离；根据所述距离与单个管芯在目标移动方向上长度之间的比值，确定出所述目标移动量。5.根据权利要求1所述的晶圆管芯曝光场的排布方法，其特征在于，所述第一曝光排布区域在所述第一方向的尺寸大于或等于所述晶圆在所述第一方向上的直径。6.根据权利要求1所述的晶圆管芯曝光场的排布方法，其特征在于，所述步骤S1具体为：沿所述第一方向直线阵列排布多个所述第一管芯曝光场，并以所述晶圆在所述第一方向上的直径为对称轴，沿所述第二方向分别向所述对称轴的两侧形成呈直线阵列排布的多个所述第一管芯曝光场。2CN114280898A权利要求书2/2页7.根据权利要求1所述的晶圆管芯曝光场的排布方法，其特征在于，在每个所述第一管芯曝光场与所述晶圆重叠的区域内设置有至少一个精细对位标记。8.根据权利要求7所述的晶圆管芯曝光场的排布方法，其特征在于，将任一个所述第二管芯曝光场设置为光学对准场，所述光学对准场与所述晶圆重叠的区域内设置有粗对位标记。9.一种晶圆的制备方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1、采用如权利要求1‑8中任一项所述的排布方法在所述晶圆上形成管芯曝光场；步骤S2、在每个第一管芯