晶圆片激光切割方法及晶圆片加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103537805103537805A(43)申请公布日2014.01.29(21)申请号201210246671.7(22)申请日2012.07.17(71)申请人深圳市大族激光科技股份有限公司地址518000广东省深圳市南山区高新技术园北区新西路9号(72)发明人高昆叶树铃庄昌辉邴虹李瑜张红江李福海迟彦龙欧明辉高云峰(74)专利代理机构深圳中一专利商标事务所44237代理人张全文(51)Int.Cl.B23K26/38(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书3页说明书3页附图2页附图2页(54)发明名称晶圆片激光切割方法及晶圆片加工方法(57)摘要本发明提供了一种晶圆片激光切割方法，其包括如下步骤：提供一晶圆片，所述晶圆片具有正面及带有电极的背面，所述晶圆片的背面具有切割道；于所述晶圆片背面贴膜；将贴膜的晶圆片定位于一激光切割加工设备中，所述激光切割加工设备发出的激光由所述晶圆片的正面沿着所述晶圆片的同一切割道以不同切割深度进行至少二次切割。通过在晶圆片的同一个切割道内，不同的深度进行两次激光加工，大大改善了激光切割厚的晶圆片造成斜裂不良的问题，有效地避免了激光切割斜裂过大而造成的电极破坏。对传统的单次激光切割具有相当大的优势和良率。本发明还提供一种晶圆片的加工方法。CN103537805ACN103578ACN103537805A权利要求书1/1页1.一种晶圆片激光切割方法，其包括如下步骤：提供一晶圆片，所述晶圆片具有正面及带有电极的背面，所述晶圆片的背面具有切割道；于所述晶圆片背面贴膜；将贴膜的晶圆片定位于一激光切割加工设备中，所述激光切割加工设备发出的激光由所述晶圆片的正面沿着所述晶圆片的同一切割道以不同切割深度进行至少二次切割。2.如权利要求1所述的晶圆片激光切割方法，其特征在于：所述激光切割加工设备发出的激光在首次切割的切割深度深于其余切割的切割深度。3.一种晶圆片加工方法，其包括如下步骤：提供一晶圆片，所述晶圆片具有正面及带有电极的背面，所述晶圆片的背面具有切割道；于所述晶圆片背面贴膜；将贴膜的晶圆片定位于一激光切割加工设备中，所述激光切割加工设备发出的激光由所述晶圆片的正面沿着所述晶圆片的同一切割道以不同切割深度进行至少二次切割；将切割后的晶圆片于一裂片机中进行裂片。4.如权利要求3所述的晶圆片加工方法，其特征在于：所述激光切割加工设备发出的激光在首次切割的切割深度深于其余切割的切割深度。2CN103537805A说明书1/3页晶圆片激光切割方法及晶圆片加工方法技术领域[0001]本发明涉及一种晶圆片激光切割方法及晶圆片加工方法。背景技术[0002]随着市场需求的不断增加，LED制造业对产能、成品率和发光亮度的要求越来越高。激光加工技术已经成为LED制造业首要的工具，成为高亮度LED晶圆加工的行业标准。[0003]激光划片使得晶圆微裂纹以及微裂纹扩张大大减少，LED单体之间的距离大大减小，这样不但提高产能，而且增加了出产效率。这里所说的激光划片是指激光切割晶圆片20的意思。[0004]请参阅图1，晶圆片20经过单次划片完成后，需要放入自动裂片机或半自动裂片机进行裂片，由于晶圆片20自身晶格结构的影响，导致在裂片后，裂纹21以激光刻痕线22为裂纹起点随晶格间隙生长，从而出现斜裂现象。在晶圆片20比较薄时，同样的切割道宽，几乎不会斜裂到电极。而目前的技术壁垒下，只要是晶圆片20的加工，不可避免的都会有斜裂产生。[0005]请参阅图2，当采用原有切割工艺（单次切割）以相同切割道宽和相同切割深度切割较厚的晶圆片30时，裂纹31随晶格间隙生长，很容易斜裂至晶圆片30的电极32处，导致裂片后的LED单体失效。现今，由于晶圆片30的厚度有增加的趋势，在进行裂片时，裂纹31大多会斜裂至电极32处，导致同一晶圆片30上裂片下来的LED单体的合格率降低。发明内容[0006]本发明实施例的目的在于提供一种晶圆片激光切割方法，旨在解决现有技术中存在的裂纹斜裂至电极处而导致LED单体的合格率低的问题。[0007]本发明实施例是这样实现的，一种晶圆片激光切割方法，其包括如下步骤：[0008]提供一晶圆片，所述晶圆片具有正面及带有电极的背面，所述晶圆片的背面具有切割道；[0009]于所述晶圆片背面贴膜；[0010]将贴膜的晶圆片定位于一激光切割加工设备中，所述激光切割加工设备发出的激光由所述晶圆片的正面沿着所述晶圆片的同一切割道以不同切割深度进行至少二次切割。[0011]进一步地，所述激光切割加工设备发出的激光在首次切割的切割深度深于其余切割的切割深度。[0012]本发明实施例的另一目的在于提供一种晶圆片加工方法，其包括如下步骤