晶圆缺陷检测设备以及晶圆缺陷检测方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115020261A(43)申请公布日2022.09.06(21)申请号202110247194.5(22)申请日2021.03.05(71)申请人中国科学院微电子研究所地址100029北京市朝阳区北土城西路3号申请人真芯（北京）半导体有限责任公司(72)发明人金德容吴容哲曲扬(74)专利代理机构北京辰权知识产权代理有限公司11619专利代理师郎志涛(51)Int.Cl.H01L21/66(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图1页(54)发明名称晶圆缺陷检测设备以及晶圆缺陷检测方法(57)摘要本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种晶圆缺陷检测设备以及晶圆缺陷检测方法，该晶圆缺陷检测设备包括晶圆承载组件、光源组件、光线接收部和处理器，晶圆承载组件设置成用于承载待检测晶圆，光源组件包括至少两个激光光源，且至少两个激光光源的波长不同，光源组件设置成向待检测晶圆发射入射光线，入射光线经待检测晶圆形成出射光线，光线接收部设置成接收出射光线，处理器与光线接收部电连接，处理器设置成对出射光线进行处理以确定待检测晶圆是否存在缺陷。根据发明实施例的晶圆缺陷检测设备，综合了灯源和激光的优势的晶圆缺陷检测设备，既保证了对晶圆缺陷的全面检测，也保证了对特定种类的缺陷的检测能力。CN115020261ACN115020261A权利要求书1/1页1.一种晶圆缺陷检测设备，其特征在于，包括：晶圆承载组件，所述晶圆承载组件设置成用于承载待检测晶圆；光源组件，所述光源组件包括至少两个激光光源，且至少两个所述激光光源的波长不同，所述光源组件设置成向所述待检测晶圆发射入射光线，所述入射光线经所述待检测晶圆形成出射光线；光线接收部，所述光线接收部设置成接收所述出射光线；处理器，所述处理器与所述光线接收部电连接，所述处理器设置成对所述出射光线进行处理以确定所述待检测晶圆是否存在缺陷。2.根据权利要求1所述的晶圆缺陷检测设备，其特征在于，所述光源组件还包括第一分光镜，所述第一分光镜设置成改变所述入射光线的入射角度。3.根据权利要求2所述的晶圆缺陷检测设备，其特征在于，所述光源组件还包括第二分光镜，所述第二分光镜设置成改变所述出射光线的出射角度。4.根据权利要求3所述的晶圆缺陷检测设备，其特征在于，所述光源组件包括：第一激光光源；第二激光光源；第三激光光源，所述第三激光光源、所述第二激光光源与所述第一激光光源的入射光线彼此平行，且三者的波长彼此不同。5.根据权利要求4所述的晶圆缺陷检测设备，其特征在于，所述第三激光光源、所述第二激光光源与所述第一激光光源的波长在150nm‑800mn之间。6.根据权利要求4所述的晶圆缺陷检测设备，其特征在于，所述第三激光光源、所述第二激光光源与所述第一激光光源的入射光线与水平方向平行。7.根据权利要求6所述的晶圆缺陷检测设备，其特征在于，所述第一分光镜与竖直方向之间的夹角为45°，所述第二分光镜与竖直方向之间的夹角为45°。8.一种晶圆缺陷检测方法，依据权利要求1‑7任一项所述的晶圆缺陷检测设备实现，其特征在于，包括：将待检测晶圆放置在晶圆承载组件上；控制光源组件向所述待检测晶圆发射至少两束波长不同的入射光线，所述入射光线经过所述待检测晶圆形成出射光线；控制光线接收部接收所述出射光线；控制处理器对所述出射光线进行处理；根据所述出射光线不满足预设条件，确定所述待检测晶圆存在缺陷。9.根据权利要求8所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述入射光线为激光线，且所述入射光线的波长在150nm‑800mn之间。10.根据权利要求8所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，至少两束所述入射激线彼此平行。2CN115020261A说明书1/6页晶圆缺陷检测设备以及晶圆缺陷检测方法技术领域[0001]本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种晶圆缺陷检测设备以及晶圆缺陷检测方法。背景技术[0002]本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。[0003]晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在硅晶片上可加工、制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。[0004]制造过程中采用“检查和观察”处理过程，利用缺陷图，在实施重新检测过程之后，明确地指出存在缺陷，再对各个缺陷位置实施更仔细的观察过程，例如，利用扫描电子显微镜产生相对高分辨率的图像。然后，对缺陷图像进行分析以确定缺陷的性质，例如不良图形、颗粒或划痕。[0005]目前的检查技术通常利用灯源或激光对被检查晶片进行扫描。使用灯源的缺陷检测设备的波长范围广泛，能够对晶圆上的缺陷进行更加全面的检测。使用激光的缺陷检测设备光强度高，对于特定种类的缺陷的检测能力要高于灯源的检测能力