SiC化学气相沉积装置和SiC外延晶片的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111261548A(43)申请公布日2020.06.09(21)申请号201911188852.7(22)申请日2019.11.28(30)优先权数据2018-2264662018.12.03JP(71)申请人昭和电工株式会社地址日本东京都(72)发明人梅田喜一渥美广范(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人王玮张丰桥(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/205(2006.01)C23C16/54(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图4页(54)发明名称SiC化学气相沉积装置和SiC外延晶片的制造方法(57)摘要本发明涉及SiC化学气相沉积装置和SiC外延晶片的制造方法。该SiC化学气相沉积装置具有在内部构成沉积空间的炉体和位于上述沉积空间的下部且在载置面上载置SiC晶片的载置台，上述炉体在与上述载置台大致正交的上下方向上被分离为多个部件，上述多个部件具有第一部分和第二部分，上述第一部分具有向外周方向突出的突出部，上述第二部分具有供上述突出部钩挂的钩部，上述第一部分与上述第二部分通过上述钩部钩挂于上述突出部而连结。CN111261548ACN111261548A权利要求书1/1页1.一种SiC化学气相沉积装置，具备：炉体，在内部构成沉积空间；载置台，位于所述沉积空间的下部，在载置面上载置SiC晶片，所述炉体在与所述载置台大致正交的上下方向上被分离为多个部件，所述多个部件具有第一部分和第二部分，所述第一部分具有向外周方向突出的突出部，所述第二部分具有供所述突出部钩挂的钩部，所述第一部分与所述第二部分通过所述钩部钩挂于所述突出部而连结。2.根据权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置，其中，所述炉体被分离为炉体上部和炉体下部，所述第一部分为所述炉体下部，所述第二部分为所述炉体上部。3.根据权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置，其中，所述突出部位于所述第一部分的上端，所述钩部位于所述第二部分的下端。4.根据权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置，其中，所述钩部为将所述突出部嵌合的嵌合部，所述嵌合部为在所述炉体上部的内侧面向所述外周方向凹陷的部分。5.根据权利要求1所述SiC化学气相沉积装置，其中，所述炉体的厚度为0.5mm～10mm。6.根据权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置，其中，所述炉体中，所述炉体下部的内壁与所述炉体上部的内壁大致齐平。7.根据权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置，其中，在所述炉体下部具备加热单元。8.一种SiC外延晶片的制造方法，其中，使用权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置。2CN111261548A说明书1/7页SiC化学气相沉积装置和SiC外延晶片的制造方法技术领域[0001]本发明涉及SiC化学气相沉积装置和SiC外延晶片的制造方法。[0002]本申请基于2018年12月3日申请的日本专利申请第2018-226466号要求优先权，并将其内容引用于此。背景技术[0003]与硅(Si)相比，碳化硅(SiC)具有绝缘击穿电场大1个数量级、带隙大3倍、热导率高3倍左右等特性。SiC由于具有这些特性，可期待应用于功率器件、高频器件、高温动作器件等。因此，近年来，SiC外延晶片已经用于上述SiC器件。[0004]SiC外延晶片是通过在SiC基板(SiC晶片、晶片)上使成为SiC半导体器件有源区的SiC外延膜外延生长而制造的。SiC晶片是通过由利用升华法等制成的SiC的块状单晶进行加工而得到的，SiC外延膜是利用化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition：CVD)装置而形成的。[0005]基于升华法得到的SiC的块状单晶是使用坩埚而制成的。原料粉末配置于被坩埚覆盖的区域的下部，晶种配置于高处。通过从坩埚的外周加热原料粉末，升华的原料在晶种表面再结晶，得到SiC块状单晶。[0006]与此相对，化学气相沉积装置具备在内部形成沉积空间的炉体、和配置在沉积空间内的载置台、以及位于炉体外部或载置台内部的加热单元。在载置台上载置SiC晶片。化学气相沉积装置将原料气体以流动不被打乱的方式供给到沉积空间内，通过由加热单元形成的辐射热对SiC晶片附近进行加热，从而在SiC晶片表面形成薄膜的SiC外延膜。[0007]例如，日本特开2009-74180号公报中公开了用于制成SiC外延晶片的化学气相沉积装置。SiC外延晶片在由单一的炉体封闭的封闭空间内形成。发明内容[0008]为了促进使用了SiC外延晶片的SiC器件的实用化，需要确立高品质且低成本的SiC外延晶片和外延生长技术。[0009]如果使用化学气相沉积装置将SiC外延膜多次成膜，则存在在炉体的内壁形成附着物的情