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SiC外延晶片和SiC外延晶片的制造方法.pdf
2023-05-17
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和裕****az
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本发明的目的在于得到能够测定外延层总厚度和漂移层厚度的SiC外延晶片及其制造方法。该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板上的外延层,所述外延层从所述SiC基板侧依次具有第1层、第2层和第3层,所述SiC基板的氮浓度为6.0×10<base:Sup>18</base:Sup>cm<base:Sup>?3</base:Sup>以上且1.5×10<base:Sup>19</base:Sup>cm<base:Sup>?3</base:Sup>以下,所述第1层的氮浓度为1.0×10<base:Sup>
2023-05-17
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2023-06-16
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