气体配管系统、化学气相生长装置、成膜方法和SiC外延晶片的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109314048A(43)申请公布日2019.02.05(21)申请号201780038036.0(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所1(22)申请日2017.06.121247代理人段承恩李照明(30)优先权数据2016-1352822016.07.07JP(51)Int.Cl.H01L21/205(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C23C16/42(2006.01)2018.12.19C23C16/44(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据C23C16/455(2006.01)PCT/JP2017/0216042017.06.12C30B29/36(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据WO2018/008334JA2018.01.11(71)申请人昭和电工株式会社地址日本东京都(72)发明人石桥直人深田启介歌代智也坂东章权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称气体配管系统、化学气相生长装置、成膜方法和SiC外延晶片的制造方法(57)摘要该气体配管系统是向在内部进行气相生长的反应炉供给多种气体的运行放气方式的气体配管系统，其具备：将上述多种气体分别送入的多条供给管线，从上述反应炉的排气口向排气泵连接的排气管线，具备从上述多条供给管线分别分支、并向上述反应炉供给上述多种气体的1个或多个配管的运行管线，从上述多条供给管线分别分支、并与上述排气管线连接的多条放气管线，以及分别设置在上述多条供给管线的分支点、并将向运行管线侧流通气体或向放气管线侧流通气体进行切换的多个阀；上述多条放气管线被分离直到达到上述排气管线，上述排气管线的内径大于上述多条放气管线各自的内径。CN109314048ACN109314048A权利要求书1/1页1.一种气体配管系统，是向在内部进行气相生长的反应炉供给多种气体的运行放气方式的气体配管系统，其具备：将所述多种气体分别送入的多条供给管线，从所述反应炉的排气口向排气泵连接的排气管线，具备从所述多条供给管线分别分支、并向所述反应炉供给所述多种气体的1个或多个配管的运行管线，从所述多条供给管线分别分支，并与所述排气管线连接的多条放气管线，以及分别设置在所述多条供给管线的分支点，并将向运行管线侧流通气体或向放气管线侧流通气体进行切换的多个阀；所述多条放气管线被分离直到达到所述排气管线，所述排气管线的内径大于所述多条放气管线各自的内径。2.根据权利要求1所述的气体配管系统，在所述运行管线中，从所述分支点连接的各个配管在达到所述反应炉之前合流。3.根据权利要求1或2所述的气体配管系统，在所述多条放气管线内，至少一个放气管线与所述排气管线连接，剩下的放气管线与独立设置的其它排气泵分别连接。4.根据权利要求1～3中任一项所述的气体配管系统，与所述多条放气管线各自连接的连接点处的所述排气管线的配管内径为3cm以上。5.一种化学气相生长装置，其具备：权利要求1～4中任一项所述的气体配管系统、和与所述气体配管系统连接的反应炉。6.一种成膜方法，是使用了权利要求5所述的化学气相生长装置的成膜方法，将在常温下彼此反应而生成固体化合物的造成堆积的气体分别送入到被分离的不同的放气管线。7.根据权利要求6所述的成膜方法，在所述多条放气管线进行合流的所述排气管线中，所述造成堆积的气体各自的气体浓度为送入所述排气管线的气体整体的5％以下。8.一种SiC外延晶片的制造方法，是使用了权利要求6或7所述的成膜方法的SiC外延晶片的制造方法，所述造成堆积的气体为由在分子内包含N原子并且不具有N原子彼此的双键和三键中的任一种的分子构成的碱性N系气体、和由在分子内包含Cl原子的分子构成的Cl系气体。2CN109314048A说明书1/6页气体配管系统、化学气相生长装置、成膜方法和SiC外延晶片的制造方法技术领域[0001]本发明涉及气体配管系统、化学气相生长装置、成膜方法以及SiC外延晶片的制造方法。本申请基于2016年7月7日在日本申请的特愿2016-135282来主张优先权，将其内容援用到本文中。背景技术[0002]碳化硅(SiC)与硅(Si)相比具有优异的特性，期待向功率器件、高频器件、高温运作器件等的应用。例如，SiC的绝缘击穿电场比Si大1个数量级，SiC的带隙比Si大3倍，SiC的导热率比Si高3倍左右。因此，近年来，作为半导体器件的基板，SiC外延晶片受到关注。[0003]SiC外延晶片通过在SiC单晶基板上通过化学气相生长法(ChemicalVaporDeposition：CVD)使成为SiC半导体器件的活性区域的SiC外延层生长来制造。[0004]在使SiC外延层生长时，在化学气相生长装置的反应炉内供