SiC单晶的制造方法、SiC单晶的制造装置以及SiC单晶晶片.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114423889A(43)申请公布日2022.04.29(21)申请号202080065931.3(74)专利代理机构北京商专永信知识产权代理(22)申请日2020.09.24事务所(普通合伙)11400代理人方挺侯晓艳(30)优先权数据2019-1780692019.09.27JP(51)Int.Cl.C30B29/36(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C30B33/02(2006.01)2022.03.18C30B33/08(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据C30B23/02(2006.01)PCT/JP2020/0360032020.09.24(87)PCT国际申请的公布数据WO2021/060368JA2021.04.01(71)申请人学校法人关西学院地址日本国兵库县申请人丰田通商株式会社(72)发明人金子忠昭权利要求书2页说明书17页附图13页(54)发明名称SiC单晶的制造方法、SiC单晶的制造装置以及SiC单晶晶片(57)摘要本发明要解决的问题是提供一种在抑制了SiC升华的同时减少了内部应力的新型的SiC单晶主体。为了解决上述问题，本发明提供一种SiC单晶的制造方法，其包括将SiC单晶主体在含有Si元素和C元素的气氛下在1800℃以上进行加热并减少所述SiC单晶主体的内部应力的应力减少步骤。此外，本发明是一种SiC单晶的制造装置，包括：主体容器，由SiC材料制成且能够收纳SiC单晶主体；和加热炉，能够将所述主体容器在1800℃以上进行加热。CN114423889ACN114423889A权利要求书1/2页1.一种SiC单晶的制造方法，包括：将SiC单晶主体在含有Si元素和C元素的气氛下在1800℃以上进行加热并减少所述SiC单晶主体的内部应力的应力减少步骤。2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述应力减少步骤加热所述SiC单晶主体，使得所述SiC单晶主体的厚度和直径不改变。3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述应力减少步骤在准封闭空间内加热所述SiC单晶主体。4.根据权利要求1至3中任一项所述的制造方法，其中，所述应力减少步骤在包含惰性气体的气氛下加热所述SiC单晶主体。5.根据权利要求1至4中任一项所述的制造方法，其中，所述应力减少步骤加热所述SiC单晶主体，并使所述SiC单晶主体的温度均匀。6.根据权利要求1至5中任一项所述的制造方法，还包括：将所述SiC单晶主体和SiC原料主体在包含Si元素和C元素的气氛下在1400℃以上进行加热的热处理步骤，所述热处理步骤包括蚀刻步骤和/或生长步骤。7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，所述热处理步骤将所述SiC单晶主体和SiC原料主体以所述SiC单晶主体为高温侧、所述SiC原料主体为低温侧的方式进行加热并蚀刻所述SiC单晶主体。8.根据权利要求6或7所述的制造方法，其中，所述热处理步骤将所述SiC单晶主体和SiC原料主体以所述SiC单晶主体为低温侧、所述SiC原料主体为高温侧的方式进行加热并使所述SiC单晶主体进行晶体生长。9.根据权利要求6至8中任一项所述的制造方法，其中，所述热处理步骤包括将所述SiC单晶主体和SiC原料主体在Si/C原子数比为1以下的准封闭空间内进行加热的步骤。10.根据权利要求6至9中任一项所述的制造方法，其中，所述热处理步骤包括将所述SiC单晶主体和SiC原料主体在Si/C原子数比超过1的准封闭空间内进行加热的步骤。11.根据权利要求6至10中任一项所述的制造方法，其中，所述热处理步骤包括蚀刻所述SiC单晶主体上的应变层的应变层去除步骤。12.根据权利要求6至11中任一项所述的制造方法，其中，所述热处理步骤包括分解所述SiC单晶主体上的宏观台阶聚束并使所述SiC单晶主体的表面平坦化的聚束分解步骤。13.根据权利要求6至12中任一项所述的制造方法，其中，所述热处理步骤包括形成BPD密度<100/cm2的生长层的外延生长步骤。14.根据权利要求6至13中任一项所述的制造方法，其是SiC单晶主体的制造方法，并且依次包括所述应力减少步骤和热处理步骤。15.一种SiC单晶的制造装置，包括：主体容器，由SiC材料制成且能够收纳SiC单晶主体；和加热炉，能够将所述主体容器在1800℃以上进行加热。16.根据权利要求15所述的制造装置，其中，所述加热炉能够在使所述SiC单晶主体的温度均匀的同时进行加热。17.根据权利要求15或16所述的制造装置，其中，所述加热炉具有能够收纳所述主体容器的高熔点容器。18.一种SiC单晶晶片，其翘曲量＜30μm，且其直径为6英寸以上。19.根据权利要求18所述的SiC单晶晶片，其具有BPD密度<10