一种快速制作高纯细晶粒黄金靶胚的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111850488A(43)申请公布日2020.10.30(21)申请号202010692877.7(22)申请日2020.07.17(71)申请人昆山联德电子科技有限公司地址215300江苏省苏州市昆山市张浦镇巍塔路128号5号厂房(72)发明人张剑张于光(74)专利代理机构苏州国诚专利代理有限公司32293代理人李小叶(51)Int.Cl.C23C14/34(2006.01)C22F1/14(2006.01)B21B37/00(2006.01)B21B37/74(2006.01)B21J5/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种快速制作高纯细晶粒黄金靶胚的方法(57)摘要本发明公开了一种快速制作高纯细晶粒黄金靶胚的方法，包括以下步骤：(1)准备高纯度的黄金原料；(2)将黄金原料置于熔炼炉中，进行熔炼，得到黄金铸锭；(3)将温度大于700℃的黄金铸锭进行快速模锻，模锻1～3次，模锻过程总锻比大于70％；(4)将模锻结束后的锻胚立即进行水冷；(5)将水冷后的锻胚轧制至所需厚度，得到轧胚；其中，轧制温度为室温，轧比大于70％；(6)将轧胚加热至300～600℃，进行保温，保温时间为30～90min，然后水淬，得到所需黄金靶胚。该方法通过熔炼、快速模锻、水淬、轧制和退火工艺的配合，并采用特定的模锻温度、高锻比和高轧比，可以获得细小均匀的晶粒，制得高品质的黄金靶材，并能显著缩短工时，降低成本。CN111850488ACN111850488A权利要求书1/1页1.一种快速制作高纯细晶粒黄金靶胚的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)备料：准备高纯度的黄金原料；(2)熔炼：将黄金原料置于熔炼炉中，进行熔炼，得到黄金铸锭；(3)模锻：将温度大于700℃的黄金铸锭进行快速模锻，模锻1～3次，完成模锻过程后总锻比大于70％；(4)水淬：将模锻结束后的锻胚立即进行水冷；(5)轧制：将水冷后的锻胚轧制至所需厚度，得到轧胚；其中，轧制温度为室温，总轧比大于70％；(6)退火：将轧胚加热至300～600℃，进行保温，保温时间为30～90min，然后水淬，得到所需黄金靶胚。2.根据权利要求1所述的一种快速制作高纯细晶粒黄金靶胚的方法，其特征在于，所述黄金原料的纯度至少为5N。3.根据权利要求1所述的一种快速制作高纯细晶粒黄金靶胚的方法，其特征在于，所述熔炼炉为高周波熔炼炉。4.根据权利要求1所述的一种快速制作高纯细晶粒黄金靶胚的方法，其特征在于，步骤(5)的轧制过程中，每次下压量小于3mm。5.根据权利要求4所述的一种快速制作高纯细晶粒黄金靶胚的方法，其特征在于，步骤(5)中，轧制次数大于10次。6.根据权利要求1所述的一种快速制作高纯细晶粒黄金靶胚的方法，其特征在于，获得的黄金靶胚的平均晶粒小于80μm。2CN111850488A说明书1/3页一种快速制作高纯细晶粒黄金靶胚的方法技术领域[0001]本发明涉及靶材制作技术领域，具体涉及一种快速制作高纯细晶粒黄金靶胚的方法。背景技术[0002]PVD(PhysicalVaporDeposition)-物理气相沉积：指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。它的作用是可以使某些有特殊性能(强度高、耐磨性、散热性、耐腐性等)的微粒喷涂在性能较低的母体上，使得母体具有更好的性能。[0003]PVD工艺所使用的溅射靶材，其管控品质点较多，比如高的纯度、细小且均匀的晶粒、气体含量低等等。对于黄金靶材的制备而言，由于Au就是惰性材料，利用高纯金属Au制作靶材时，其晶粒难以细化均匀。现有的靶材制作工艺比较繁杂，生产周期长，成本较高，无法获得细化和均质化符合要求的高品质黄金靶材。发明内容[0004]为解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种快速制作高纯细晶粒黄金靶胚的方法。该方法通过熔炼、快速模锻、水淬、轧制和退火工艺的配合，并采用特定的模锻温度、高锻比和高轧比，可以获得细小均匀的晶粒，制得高品质的黄金靶材，并能显著缩短工时，降低成本。[0005]为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：[0006]一种快速制作高纯细晶粒黄金靶胚的方法，包括以下步骤：[0007](1)备料：准备高纯度的黄金原料；[0008](2)熔炼：将黄金原料置于熔炼炉中，进行熔炼，得到黄金铸锭；[0009](3)将温度大于700℃的黄金铸锭进行快速模锻，模锻1～3次，完成模锻过程后总锻比大于70％；[0010](4)水淬：将模锻结束后的锻胚立即进行水冷；[0011](5)轧制：将水冷后的锻胚轧制至所需厚度，得到轧胚；其中，轧制温度为室温，总轧比大于70％；[0012](6)退火：将轧胚加热至