一种氧化铟钙纳米片材料及制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112678863A(43)申请公布日2021.04.20(21)申请号201910990666.9(22)申请日2019.10.18(71)申请人天津大学地址300072天津市南开区卫津路92号(72)发明人封伟王宇冯奕钰赵付来张鑫梁雪静(74)专利代理机构天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙)12214代理人王秀奎(51)Int.Cl.C01G15/00(2006.01)B82Y30/00(2011.01)B82Y40/00(2011.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称一种氧化铟钙纳米片材料及制备方法(57)摘要本发明公开一种氧化铟钙纳米片材料及制备方法，将Ca、In、P按化学计量比封装在在管式炉中进行程序控温得到前驱体，将得到的前驱体与水在低于室温下进行反应，即可得到氧化铟钙纳米片。本发明的方法步骤简单，材料产量大，具有纳米片结构，且组成不同于已知结构，在光电器件、光催化、储能等方面具有较大的潜在应用。CN112678863ACN112678863A权利要求书1/1页1.一种氧化铟钙纳米片材料，其特征在于，按照下述步骤进行：将Ca、In、P按照1：2：2的摩尔比进行称取并依次加入石英管中真空封装，在管式炉中，惰性保护气氛下进行升温烧结，熔融冷却得到前驱体，将得到的前驱体与水进行反应，即可得到氧化铟钙纳米片材料，其中：自室温20—25摄氏度起在300±30min内升温至950-1050℃，保温维持1000—1500min后，以5—10℃/min降温至室温20—25摄氏度；前驱体与水的质量比为1：(100—200)。2.根据权利要求1所述的一种氧化铟钙纳米片材料，其特征在于，惰性保护气氛为氮气、氦气或者氩气。3.根据权利要求1所述的一种氧化铟钙纳米片材料，其特征在于，自室温20—25摄氏度起在300±10min内升温至980-1030℃，保温维持1200—1400min后，以5—10℃/min降温至室温20—25摄氏度。4.根据权利要求1所述的一种氧化铟钙纳米片材料，其特征在于，前驱体与水的反应在低于室温20—25摄氏度的温度中进行反应，如在0—10摄氏度下进行反应。5.根据权利要求1所述的一种氧化铟钙纳米片材料，其特征在于，前驱体与水的质量比为1：(100—150)。6.一种氧化铟钙纳米片材料的制备方法，其特征在于，按照下述步骤进行：将Ca、In、P按照1：2：2的摩尔比进行称取并依次加入石英管中真空封装，在管式炉中，惰性保护气氛下进行升温烧结，熔融冷却得到前驱体，将得到的前驱体与水进行反应，即可得到氧化铟钙纳米片材料，其中：自室温20—25摄氏度起在300±30min内升温至950-1050℃，保温维持1000—1500min后，以5—10℃/min降温至室温20—25摄氏度；前驱体与水的质量比为1：(100—200)。7.根据权利要求6所述的一种氧化铟钙纳米片材料的制备方法，其特征在于，惰性保护气氛为氮气、氦气或者氩气。8.根据权利要求6所述的一种氧化铟钙纳米片材料的制备方法，其特征在于，自室温20—25摄氏度起在300±10min内升温至980-1030℃，保温维持1200—1400min后，以5—10℃/min降温至室温20—25摄氏度。9.根据权利要求6所述的一种氧化铟钙纳米片材料的制备方法，其特征在于，前驱体与水的反应在低于室温20—25摄氏度的温度中进行反应，如在0—10摄氏度下进行反应。10.根据权利要求6所述的一种氧化铟钙纳米片材料的制备方法，其特征在于，前驱体与水的质量比为1：(100—150)。2CN112678863A说明书1/3页一种氧化铟钙纳米片材料及制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种氧化铟钙纳米片的制备，属于纳米材料制备技术领域，具体涉及一种氧化铟钙纳米片及制备方法。背景技术[0002]自2004年石墨烯问世以来，各种新型的纳米材料不断涌现，在光电器件、光催化、储能等领域具有非常大的应用潜力。因此开发各种纳米材料对各个领域都具有积极意义。到目前为止，已知的二维纳米片材料包括石墨烯，硅烯，锗烯，黑磷烯等单元素二维材料，过渡金属二硫族化物，过渡金属碳/氮化物，二维的共价有机骨架材料，二维的金属有机骨架材料，二维钙钛矿，氮化碳，氮化硼，以及各种氧化物纳米片。氧化物纳米片具有较宽的带隙值变化范围，可以从导电材料横跨到绝缘体材料，是一类应用极为广泛的材料。例如氧化铟锡薄膜可导电，作为导电玻璃涂层；二氧化钛具有约3eV带隙，是一类很好的光催化材料；而二氧化铪纳米片具有6eV的超高带隙，且介电常数很高，是一类极佳的介电材料。同时纳米片结构具有极高的比表面积以及量子效应，在前沿科学以及应用技术领域都有