氧化铟纳米柱的制造方法及氧化铟纳米柱.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105428248A(43)申请公布日2016.03.23(21)申请号201510140410.0B82Y40/00(2011.01)(2011.01)(22)申请日2015.03.27B82Y30/00(30)优先权数据1031317752014.09.15TW(71)申请人许国明地址中国台湾宜兰县头城镇青云路三段359号(72)发明人许国明(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人马雯雯臧建明(51)Int.Cl.H01L21/36(2006.01)C01G15/00(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称氧化铟纳米柱的制造方法及氧化铟纳米柱(57)摘要本发明提供一种氧化铟纳米柱的制造方法及氧化铟纳米柱。本发明的氧化铟纳米柱的制造方法包括步骤：提供高温炉，其中高温炉分为第一区以及第二区；将至少一铟金属源放置于第一区，且将基板放置于第二区；将第一区的温度调变至第一温度，且将第二区的温度调变至第二温度，其中第一温度高于第二温度；以及当第一区的温度达到第一温度，且第二区的温度达到第二温度时，高温炉中通入氩气以及氧气，其中氩气与氧气比在30:1至70:1的范围内，以令多个氧化铟纳米柱形成于基板上。本发明可在省略金属触媒的设置下，有效率地制造出具有方向性的氧化铟纳米柱。CN105428248ACN105428248A权利要求书1/1页1.一种氧化铟纳米柱的制造方法，其特征在于，包括：提供高温炉，所述高温炉分为第一区以及第二区；将至少一铟金属源放置于所述第一区，且将基板放置于所述第二区；将所述第一区的温度调变至第一温度，且将所述第二区的温度调变至第二温度，其中所述第一温度高于所述第二温度；以及当所述第一区的温度达到所述第一温度，且所述第二区的温度达到所述第二温度时，于所述高温炉中通入氩气以及氧气，其中氩气与氧气比在30:1至70:1的范围内，以令多个氧化铟纳米柱形成于所述基板上。2.根据权利要求1所述的氧化铟纳米柱的制造方法，其特征在于，所述第一温度在摄氏800度至摄氏1000度的范围内，且所述第二温度在摄氏300度至摄氏500度的范围内。3.根据权利要求1所述的氧化铟纳米柱的制造方法，其特征在于，该些氧化铟纳米柱形成于所述高温炉通入氩气以及氧气的1分钟后，且各所述氧化铟纳米柱由所述基板的表面向外延伸。4.根据权利要求1所述的氧化铟纳米柱的制造方法，其特征在于，所述高温炉中通入氩气以及氧气的30分钟之内，各所述氧化铟纳米柱的长度以及平均直径与通入氩气以及氧气的时间呈正相关。5.根据权利要求1所述的氧化铟纳米柱的制造方法，其特征在于，各所述氧化铟纳米柱包括尾部、连接部以及顶部，所述尾部与所述基板接触，所述连接部连接于所述尾部与所述顶部之间，所述顶部由铟构成，而所述连接部以及所述尾部分别由氧化铟构成。6.一种氧化铟纳米柱，其特征在于，包括：尾部；顶部，与所述尾部相对；以及连接部，连接于所述尾部与所述顶部之间，其中所述顶部的平均直径大于所述连接部的平均直径以及所述尾部的平均直径。7.根据权利要求6所述的氧化铟纳米柱，其特征在于，所述顶部由铟构成，而所述连接部以及所述尾部分别由氧化铟构成。8.根据权利要求6所述的氧化铟纳米柱，其特征在于，所述连接部的宽度由所述顶部往所述尾部的方向逐渐减少。9.根据权利要求6所述的氧化铟纳米柱，其特征在于，其中各所述氧化铟纳米柱的形状为图钉状。2CN105428248A说明书1/5页氧化铟纳米柱的制造方法及氧化铟纳米柱技术领域[0001]本发明是有关于一种纳米柱及其制造方法，尤其是涉及一种氧化铟纳米柱的制造方法及氧化铟纳米柱。背景技术[0002]随着科学技术的突飞猛进，诸如电子、材料、物理、化学、生物等领域均由微米世纪迈入所谓的纳米世纪。当组件尺寸微缩至纳米等级时，组件的物理、机械及化学等特性便与其为块材时的特性有了差异。因此，除改变材料的组成以获得不同材料应用需求上的性质外，也可进一步通过控制材料的大小与形状，来操控同一种材料的基本特性，如熔点、颜色、光、电、磁等特性。因此，许多从前无法达成的高性能产品或技术将有机会在纳米科技的领域中实现。[0003]一般而言，纳米材料的种类相当多，包括金属、金属氧化物、半导体、陶瓷、高分子材料等。此外，纳米结构依其形状、尺寸及分布范围的不同而主要分为一维、二维、三维等纳米结构。目前，已知的纳米结构(如纳米柱)的成长机制主要为气-液-固(Vapor-Liquid-Solid，简称VLS)成长机制以及气-固(Vapor-Solid，简称VS)成长机制。气-液-固成长机制是利用反应物的气相态附着在金属触媒上，在共熔(eutectic)温度下形成液态合