一种氧化铟纳米片气体传感器及其制备方法.pdf
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一种氧化铟纳米片气体传感器及其制备方法.pdf
本发明涉及气敏材料技术领域,具体涉及一种氧化铟纳米片气体传感器及其制备方法。该制备方法具体包括:将覆有金电极和铂导电丝的陶瓷管在丙酮和去离子水中超声清洗,烘干备用;以氯化铟和L-半胱氨酸为原料,配置成一定浓度的混合溶液,然后将陶瓷管与混合溶液移至内衬为聚四氟乙烯的水热反应釜中,水热反应后,将陶瓷管取出,清洗,干燥;然后置于氧化铝坩埚放入马弗炉,在一定温度下进行煅烧,制备成氧化铟纳米片气敏元件;取加热丝穿入气敏元件的管芯,然后将所述气敏元件的铂导电丝与加热丝焊接在气敏器件的基座上,经老化处理后得到旁热式氧化
一种氧化铟钙纳米片材料及制备方法.pdf
本发明公开一种氧化铟钙纳米片材料及制备方法,将Ca、In、P按化学计量比封装在在管式炉中进行程序控温得到前驱体,将得到的前驱体与水在低于室温下进行反应,即可得到氧化铟钙纳米片。本发明的方法步骤简单,材料产量大,具有纳米片结构,且组成不同于已知结构,在光电器件、光催化、储能等方面具有较大的潜在应用。
三维结构纳米氧化铟气敏传感器及其制备方法.pdf
本发明公开了三维结构纳米氧化铟气敏传感器的制备方法,将氧化铟纳米粉体与松油醇混合,在研钵中研磨均匀,采用旋涂法将氧化铟浆料涂抹于陶瓷平面电极上制成气敏元件,将所述气敏元件置于烘箱中烘干;然后将所述烘干后的气敏元件置于马弗炉,进行煅烧,制备成具有三维结构的纳米氧化铟气敏元件;将所述的气敏元件的铂导电丝焊接在气敏器件的基座上并加盖管帽,经老化处理后得到旁热式氧化铟纳米气敏传感器。本发明还提供一种三维结构纳米氧化铟气敏传感器。本发明不使用和产生有毒有害物质,有利于环境保护;制得的气敏传感器对NO
一种氧化锡纳米线气体传感器的制备方法.pdf
一种氧化锡纳米线气体传感器的制备方法,在单晶硅衬底上沉积一层氧化硅绝缘层,再在绝缘层上涂一层光刻胶;将梳状交叉电极模板与所述光刻胶通过接触式曝光使对应的光刻胶剥落;在氧化硅绝缘层表面溅射一层铬膜,在铬膜上再溅射一层金膜,之后将整个衬底置入到酒精中使未曝光的光刻胶剥落,形成铬-金梳状交叉电极;将活性碳和氧化锡粉末放入小石英管中,然后在离混合粉末1cm处放置上述带铬-金梳状交叉电极的衬底,接着将此小石英管置于大石英管中放入真空炉中抽真空,然后通入氮气,升温,冷却,附着在带铬-金梳状交叉电极的衬底上的灰白色棉絮
氧化铟纳米柱的制造方法及氧化铟纳米柱.pdf
本发明提供一种氧化铟纳米柱的制造方法及氧化铟纳米柱。本发明的氧化铟纳米柱的制造方法包括步骤:提供高温炉,其中高温炉分为第一区以及第二区;将至少一铟金属源放置于第一区,且将基板放置于第二区;将第一区的温度调变至第一温度,且将第二区的温度调变至第二温度,其中第一温度高于第二温度;以及当第一区的温度达到第一温度,且第二区的温度达到第二温度时,高温炉中通入氩气以及氧气,其中氩气与氧气比在30:1至70:1的范围内,以令多个氧化铟纳米柱形成于基板上。本发明可在省略金属触媒的设置下,有效率地制造出具有方向性的氧化铟纳