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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112823409A(43)申请公布日2021.05.18(21)申请号201880097988.4(51)Int.Cl.(22)申请日2018.09.25H01L21/31(2006.01)C23C16/455(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L21/318(2006.01)2021.03.24(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2018/0353422018.09.25(87)PCT国际申请的公布数据WO2020/065707JA2020.04.02(71)申请人株式会社国际电气地址日本东京都(72)发明人西堂周平佐佐木隆史吉田秀成(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256代理人陈伟闫剑平权利要求书2页说明书15页附图10页(54)发明名称基板处理装置及半导体器件的制造方法(57)摘要本发明提供一种能够缓和将多张晶片并排处理时的多个晶片的面间不均匀性(负载效应)的基板处理装置,基板处理装置构成为,包括:基板保持件,其按照规定的间隔排列保持多个基板;收容基板保持件的反应管,其具备使上端闭塞的顶板,并在下方具有能够使基板保持件出入的开口;炉体,其包围该反应管的上方及侧方;盖,其直接或间接保持基板保持件,并封堵开口;以及气体供给机构,其向在反应管内保持于基板保持件的多个基板各自的表侧的面提供与表侧的面平行的气体流动,基板保持件构成为,保持形成有集成电路图案的产品基板或监控基板和在表侧的面形成有Si熔射层的虚设基板,其中,所述虚设基板位于隔着该产品基板或监控基板的两侧的位置。CN112823409ACN112823409A权利要求书1/2页1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:基板保持件,其按照规定的间隔排列保持多个基板;收容所述基板保持件的反应管,其具有使上端闭塞的顶板,并在下方具有能够使所述基板保持件出入的开口;盖,其直接或间接保持所述基板保持件,并封堵所述开口;以及气体供给机构,其向在所述反应管内保持于所述基板保持件的所述多个基板各自的表侧的面提供与表侧的面平行的气体流动,所述基板保持件在所述排列的端部保持1张以上的在表侧的面形成有Si熔射层的虚设基板,在除此以外的位置保持形成有集成电路图案的产品基板或监控基板。2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述虚设基板的在所述表侧的面形成的Si熔射层具有与所述产品基板大致相等的表面积。3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述产品基板所具有的导通孔的直径或沟槽的宽度落在所述Si熔射层的累计细孔容积分布中的与总容积的25%至75%相当的细孔直径的范围内。4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述基板保持件与所述产品基板或所述监控基板相比具有一半以下的直径,将在表面形成有Si熔射层的多张虚设基板载置并保持在托盘中。5.根据权利要求1或4所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:炉体,其包围所述反应管的上方及侧方;以及控制器,其以在所述产品基板或所述监控基板上堆积规定的厚度的膜的方式对所述炉体的温度和所述气体供给机构进行控制所述控制器还针对多张所述虚设基板的每一张,保持由所述基板保持件保持并且与所述产品基板或所述监控基板一并被处理的历史记录,来作为膜厚的累计值。6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,所述控制器在所述累计值超过规定值时进行规定的记录动作、报告动作或将相应的虚设基板从所述基板保持件取下的动作。7.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:升降机,其上下驱动所述盖,将所述基板保持件相对于所述反应管搬出及搬入;以及冷却器,其与所述反应管的所述开口相比设置在下方,朝向正在搬出的、或已搬出的所述基板保持件喷射冷却气体,所述冷却器被控制为,在喷射的冷却气体接触到所述虚设基板时,以与未接触时不同的流量进行喷射。8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,还具备颗粒计数器,该颗粒计数器在与所述冷却器相对的位置测定所喷射的所述冷却气体的气体中颗粒,所述控制器在所述颗粒计数器从横穿所述虚设晶片的所述冷却气体测定到的颗粒超过规定值时,进行规定的记录动作、报告动作或将相应的虚设晶片从所述基板保持件取下的动作。2CN112823409A权利要求书2/2页9.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括下述步骤:使用搬入机构将按照规定的间隔排列保持多个基板的基板保持件搬入筒状的反应管中的步骤;使用压力调节部对搬入了保持有所述基板的所述基板保持件的所述筒状的反应管的内部的压力进行调节,并使用加热器加热至规定的温度的步骤;对所述压力进行调节,从气体供给部向被加热至所述规定的温度的所述筒状的反应管的内部供给处理气体的步骤;在所