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基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序.pdf
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基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序.pdf
基板处理装置具备：舟皿，其具有多个保持基板的插槽；对由舟皿保持的基板进行处理的处理炉；使舟皿升降的舟皿升降机；移载机，其在保存有基板的载体与舟皿之间移载基板；以及控制器，其构成为能够控制舟皿升降机和移载机。控制器构成为将用于供移载机移载基板的多个位置设定于舟皿升降机，在移载机从多个载体将基板搬入舟皿以成为能够装填至处理炉的状态的动作、以及移载机从舟皿向多个载体搬出由处理炉处理后的基板的动作的各动作中，以使舟皿升降机的多个位置之间的过渡的次数或过渡所需的时间的合计成为最小的方式进行选择。
2023-06-15
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基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序.pdf
即使是在具备两个处理炉的结构的情况下，也能够通过去除所需要的设备而谋求节省空间化。具备：处理基板的第1炉体和第2炉体；至少1个换热器，其冷却从第1炉体和第2炉体排出的制冷剂；至少1个排气鼓风机，其吸入从换热器排出的制冷剂并向下游侧送出；第1流路和第2流路，其将第1炉体和第2炉体、与至少1个换热器和至少1个排气鼓风机之间以制冷剂能够流通的方式分别连接；能够使开度可变的第1风门和第2风门，其分别设置在第1流路和第2流路的中途且比换热器靠上游侧的位置；以及控制器，其控制第1炉体和第2炉体的加热和冷却，第1流路和
2023-06-15
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基板处理装置、气柜以及半导体器件的制造方法.pdf
本发明防止以温度为起因的气体流量控制性的降低。本发明的基板处理装置具有：对基板进行处理的处理炉；向处理室供给对基板进行处理的处理气体的处理气体供给路；控制向处理室供给的处理气体的量的处理气体供给控制部；对处理气体供给路或处理气体供给控制部的至少一部分进行加热的加热器；和将处理气体供给路、处理气体供给控制部、和加热器收纳的气柜。气柜具有：将气柜外的环境气体向气柜内吸入的吸入口；与排气管道连接并将气柜内的环境气体向排气管道排出的排气口；冷却气柜内的环境气体并且测定或监视环境气体的温度的温度控制设备；和探测泄漏
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本发明提供一种系统、基板处理装置、以及半导体器件的制造方法，其目的在于抑制泵内部的副生成物的附着。本发明提供一种构成，其具备：用气体对处理对象进行处理的处理室；排气装置，具备在内部设有转子的壳体，将在处理室内使用的气体排出；不经由处理室地向排气装置供给非活性气体的气体供给部；以及控制部，其在对处理对象进行了处理之后，控制气体供给部并将规定量的非活性气体供给至壳体内，将转子的温度设为目标温度以上。
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基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序.pdf
本发明提供能够通过单张处理装置和立式处理装置进行连续处理的处理装置，提高整个处理装置的生产性。该处理装置具备：立式处理炉，其处理保持于基板保持件的N(5≤N≤50)张基板；搬送室，其配置于立式处理炉的下方，且将基板保持件搬送到立式处理炉；多个单张处理炉，其与搬送室相邻，每次处理M(1≤M＜10)张基板，且至少层叠配置有两层以上；以及移载室，其与搬送室及多个单张处理炉相邻，且设置有移载基板的移载机。
2023-06-16
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