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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881581A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202210747554.2C23C14/08(2006.01)(22)申请日2022.06.28C23C16/30(2006.01)C23C16/34(2006.01)(30)优先权数据C23C16/36(2006.01)2021-1561392021.09.24JPC23C16/38(2006.01)(71)申请人株式会社国际电气C23C16/40(2006.01)地址日本东京都(72)发明人高桥良辅坂田雅和谷内正导坂下政道(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256专利代理师陈伟闫剑平(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/205(2006.01)C23C14/06(2006.01)权利要求书2页说明书14页附图8页(54)发明名称系统、基板处理装置、以及半导体器件的制造方法(57)摘要本发明提供一种系统、基板处理装置、以及半导体器件的制造方法,其目的在于抑制泵内部的副生成物的附着。本发明提供一种构成,其具备:用气体对处理对象进行处理的处理室;排气装置,具备在内部设有转子的壳体,将在处理室内使用的气体排出;不经由处理室地向排气装置供给非活性气体的气体供给部;以及控制部,其在对处理对象进行了处理之后,控制气体供给部并将规定量的非活性气体供给至壳体内,将转子的温度设为目标温度以上。CN115881581ACN115881581A权利要求书1/2页1.一种系统,其具备:排气装置,其具有在内部设有旋转体的壳体;不经由处理室地向所述排气装置供给非活性气体的气体供给部;以及控制部,其构成为能够以基于在所述处理室内没有对处理对象进行处理的状态下事先预想到的所述旋转体的温度下降,将规定量的所述非活性气体供给至所述壳体内,将所述旋转体的温度设为目标温度以上的方式,控制所述气体供给部。2.根据权利要求1所述的系统,其中,所述控制部根据在对所述处理对象进行处理的状态下向所述处理室供给的气体的流量,决定所述非活性气体的流量。3.根据权利要求1所述的系统,其中,还具有从外部对在内部设有所述旋转体的壳体进行加热的加热器,所述控制部构成为能够基于所述加热器的设定温度、来自设在所述壳体内的温度传感器的温度检测值、所述旋转体的温度与时间之间的关系,预测所述旋转体的温度下降。4.根据权利要求3所述的系统,其中,与所述加热器的设定温度对应地保持所述旋转体的温度与时间之间的关系。5.根据权利要求1所述的系统,其中,还具有对所述处理室的压力进行调整的阀,所述控制部在所述阀运转时停止供给所述非活性气体。6.根据权利要求1所述的系统,其中,还具有其将从所述处理室排出的气体排出的排气管,所述气体供给部与所述阀的下游的所述排气管连接。7.根据权利要求1所述的系统,其中,所述气体供给部构成为供给加热后的所述非活性气体。8.根据权利要求1所述的系统,其中,所述控制部在所述处理室内正在对基板进行处理的状态下停止供给所述非活性气体。9.根据权利要求1所述的系统,其中,所述控制部构成为对变为正在对所述处理对象进行处理的状态时的所述旋转体的温度与所述目标温度进行比较,若在所述目标温度以上则不供给所述非活性气体,若低于所述目标温度则供给所述非活性气体。10.根据权利要求1所述的系统,其中,所述控制部构成为以使变为正在对所述处理对象进行处理的状态时的所述旋转体的温度成为所述目标温度以上的方式供给所述非活性气体。11.根据权利要求1所述的系统,其中,所述控制部构成为在所述旋转体的温度比规定温度高、且所述旋转体的温度为下降状态时,供给所述非活性气体。12.根据权利要求1所述的系统,其中,还具有将在所述处理室内使用的气体排出的泵,所述排气装置配置在所述处理室与所述泵之间,所述控制部构成为基于没有对所述处理对象进行处理的状态下的所述泵的排气速度2CN115881581A权利要求书2/2页控制所述气体供给部,来控制所述非活性气体的供给量。13.根据权利要求1所述的系统,其中,所述非活性气体为氮气、或者氩气、氦气、氖气、氙气中的某一种稀有气体。14.一种基板处理装置,其至少具备:对基板进行处理的处理室;排气装置,其具有在内部设有旋转体的壳体;气体供给部,其不经由所述处理室地向所述排气装置供给非活性气体;以及控制部,其构成为能够以基于在所述处理室内没有对处理对象进行处理的状态下事先预想到的所述旋转体的温度下降,将规定量的所述非活性气体供给至所述壳体内,将所述旋转体的温度设为目标温度以上的方式,控制所述气体供给部。15.一种半导体器件的制造方法,其包括:对基板进行处理的工序;以及控制工序,利用至少具备具有在内部设有旋转体的壳体的排