基板处理方法、基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质.pdf
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基板处理方法、基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质.pdf
本发明提供一种获得以进行搬送基板的搬送装置的异常和故障检测为目的的基板处理方法、基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。基板处理装置具有:搬送基板的搬送机器人;具有搬送机器人的搬送室;处理基板的处理室;接收搬送机器人的振动信息的振动信息接收部;接收搬送机器人的声音信息的声音信息接收部;以及构成为能够控制各结构的控制部。
基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质.pdf
本发明是基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质,以提高在基板上形成的膜的特性。基板处理方法具有通过将循环进行预定次数而在基板上形成含硅、预定元素及氮的膜的工序,循环包括(a)向基板供给含硅的第一气体而形成第一层的工序、(b)向基板供给含硅且分子结构与第一气体不同的第二气体而形成第二层的工序、(c)向基板供给含预定元素的第三气体的工序和(d)向基板供给含氮的第四气体而对第一层及第二层进行改性的工序;预定元素是能够在膜中形成缺陷的元素,在循环中,按照(a)(c)(b)(d)、(c)(a)(
半导体装置的制造方法、基板处理方法、记录介质和基板处理装置.pdf
本发明涉及半导体装置的制造方法、基板处理方法、记录介质和基板处理装置。本发明能提高在基板上形成的膜的特性。本发明的半导体装置的制造方法包括(a)和(b),(a):通过将依次进行如下的(a?1)、(a?2)和(a?3)的循环进行预定次数,在基板上形成含有预定元素的氮化膜的工序,(a?1)对基板供给含有预定元素的第一原料气体的工序,(a?2)对基板供给含有预定元素且热分解温度比第一原料气体低的第二原料气体的工序,(a?3)对基板供给氮化气体的工序,(b):对基板供给氧化气体,将(a)中形成的氮化膜氧化,改性为
半导体器件的制造方法、基板处理装置以及记录介质.pdf
本发明提供一种在配置多个基板载置面的类型的装置中能够应对每个基板载置面的环境的变化的技术。为了解决上述课题,提供一种基板处理装置,其具备:处理基板的处理容器;向所述处理容器供给气体的气体供给部;在所述处理容器内配置有多个的基板载置面;具有与所述基板载置面对应的多个分配管的气体供给部;检测所述分配管的气体供给量或者与所述基板载置面对应的部件的信息的检测部;基于检测出的所述信息判断状态等级的判断部;根据所述状态等级选择作为所述基板的移动目的地的所述基板载置面的选择部;以及控制各构成的控制部。
基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质.pdf
本发明提供一种能够以较高的温度处理基板并能减少对炉口部造成的热损伤的基板处理装置。基板处理装置具备:反应管,其在内部构成处理室并在下方具有炉口;加热筒,其设于反应管的外周侧,并针对沿管轴向分割的多个分区的每一个设有加热器;多个加热器温度传感器,其测定与各分区对应的加热器的温度;温度调节器,其基于温度测定数据来控制向各加热器供给的电力,而针对每个分区调节温度;和使晶舟旋转的旋转机构,温度调节器在进行基板的加热处理时,针对每个加热器控制向多个加热器供给的电力,使得将与配置有基板的分区对应的所述加热器设为预先设