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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113078234A(43)申请公布日2021.07.06(21)申请号202010003620.6(22)申请日2020.01.03(71)申请人环晟光伏(江苏)有限公司地址214200江苏省无锡市宜兴市经济开发区文庄路20号(72)发明人何秋霞朱军杨韦马擎天(74)专利代理机构天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)12213代理人栾志超(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L21/225(2006.01)H01L31/068(2012.01)权利要求书2页说明书5页(54)发明名称一种大尺寸硅片扩散工艺(57)摘要本发明提供一种大尺寸硅片扩散工艺,将硅片放入扩散炉后,进行扩散,包括以下步骤,稳定硅片表面温度,减少硅片中心与边缘的温度差;制备氧化层,进行硅片表面氧化;低温恒定源扩散,进行硅片表面沉积磷源;高温推进,便于形成PN结;高温通源,进行扩散补源;二步推结,形成磷硅玻璃层;降温出炉。本发明的有益效果是具有稳定温度工序,减少硅片中心与边缘的温度差,再通入反应气体,使得硅片的均匀性更好。CN113078234ACN113078234A权利要求书1/2页1.一种大尺寸硅片扩散工艺,其特征在于:将硅片放入扩散炉后,进行扩散,包括以下步骤,稳定硅片表面温度,减少硅片中心与边缘的温度差;制备氧化层,进行硅片表面氧化;低温恒定源扩散,进行硅片表面沉积磷源;高温推进,便于形成PN结;高温通源,进行扩散补源;二步推结,形成磷硅玻璃层;降温出炉。2.根据权利要求1所述的大尺寸硅片扩散工艺,其特征在于:所述稳定硅片表面温度的步骤中,进行扩散炉的升温,并通入氮气,并进行温度保持,其中,所述扩散炉温度升温至扩散温度。3.根据权利要求2所述的大尺寸硅片扩散工艺,其特征在于:所述扩散温度为760-780℃,所述氮气的流量为16-20slm,所述温度保持时间为5-8min。4.根据权利要求2或3所述的大尺寸硅片扩散工艺,其特征在于:所述高温通源步骤中,按照推进温度保持扩散炉温度,通入氮气、氧气和扩散源,并按照高温沉积时间进行沉积,其中,所述扩散源为N2-POCL3,所述推进温度为840-860℃。5.根据权利要求4所述的大尺寸硅片扩散工艺,其特征在于:所述氮气流量为6-8slm,所述氧气流量为0.1-0.2slm,所述扩散源流量为0.1-0.3slm,所述高温沉积时间为2-5min。6.根据权利要求5所述的大尺寸硅片扩散工艺,其特征在于:所述二步推结步骤中,按照所述推进温度保持扩散炉温度,通入氮气,并按照推结时间进行推进,其中,所述氮气流量为6-8slm,所述推结时间为3-5min。7.根据权利要求5或6所述的大尺寸硅片扩散工艺,其特征在于:所述制备氧化层的步骤中,按照所述扩散温度维持扩散炉温度,并通入氧气和氮气,按照氧化时间对硅片进行氧化,其中,所述氧气的流量为1-3slm;所述氮气的流量为16-20slm;所述氧化时间为3-5min。8.根据权利要求7所述的大尺寸硅片扩散工艺,其特征在于:所述低温恒定源扩散步骤中,按照所述扩散温度维持所述扩散炉温度,并通入氮气、氧气和所述扩散源,并按照沉积时间进行沉积,其中,所述氮气流量为8-10slm;所述氧气流量为1-1.3slm;所述扩散源的流量为0.8-1slm;所述沉积时间为10-15min。9.根据权利要求8所述的大尺寸硅片扩散工艺,其特征在于:所述高温推进步骤中,将扩散炉的温度升温至所述推进温度,通入氮气,并按照推进时间进行推进,其中,所述氮气流量为6-8slm;所述推进时间为10-15min。2CN113078234A权利要求书2/2页10.根据权利要求9所述的大尺寸硅片扩散工艺,其特征在于:所述降温出炉步骤中,降低扩散炉温度,将所述扩散炉温度降低至出炉温度,进行出舟,所述出炉温度为740-760℃。3CN113078234A说明书1/5页一种大尺寸硅片扩散工艺技术领域[0001]本发明属于太阳能电池制备技术领域,尤其是涉及一种大尺寸硅片扩散工艺。背景技术[0002]目前,太阳能电池片制造业中,基本是两步扩散法,低温沉积高温推进,扩散制作PN结是晶体硅电池的核心,对扩散工艺而言,扩散均匀性好,可提高电池后续参数的可控性,但是对于大尺寸硅片,特别是M10以上的硅片,恒温时间较短温度影响均匀性较大,且现在扩散法制备的硅片均匀性不可控,电池的转换效率低。发明内容[0003]鉴于上述问题,本发明要解决的问题是提供一种大尺寸硅片扩散工艺,应用于大尺寸单晶硅片扩散,具有稳定温度工序,减少硅片中心与边缘的温度差,再通入反应气体,使得硅片的均匀性更好。[0004]为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是: