一种大尺寸硅片的切割方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112643910A(43)申请公布日2021.04.13(21)申请号202011644240.7(22)申请日2020.12.31(71)申请人天合光能股份有限公司地址213031江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号(72)发明人陈雪张舒高纪凡王乐(74)专利代理机构浙江永鼎律师事务所33233代理人郭小丽(51)Int.Cl.B28D5/04(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称一种大尺寸硅片的切割方法(57)摘要本发明属于太阳能技术领域，涉及一种大尺寸硅片的切割方法，它是将单晶圆棒去除头尾后，沿着单晶圆棒的轴心线方向将单晶圆棒切割成若干个立方体晶棒，每个立方体晶棒至少有两条边的边长与其他的立方体晶棒相同，之后将立方体晶棒沿那条与其他立方体晶棒的边长不同的边进行切片，切割成矩形硅片。本发明提供一种利用小炉型生产大尺寸硅片的方法，使得各种炉型都可以生产大硅片，尺寸灵活可调，并且提高了硅棒的硅料利用率。CN112643910ACN112643910A权利要求书1/1页1.一种大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，将单晶圆棒去除头尾后，沿着单晶圆棒的轴心线方向将单晶圆棒切割成若干个立方体晶棒，每个立方体晶棒至少有两条边的边长与其他的立方体晶棒相同，之后将立方体晶棒沿那条与其他立方体晶棒的边长不同的边进行切片，切割成矩形硅片。2.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，所述的立方体至少有3个。3.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，当单晶圆棒的有效直径大于目标硅片宽度d的一倍而小于等于目标硅片宽度d的三倍时，将单晶圆棒沿其轴心线方向切割成三个立方体晶棒，其中较大的立方体晶棒一边长为d，一边长为h1,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l，另外两个较小的立方体晶棒，一边长为d，一边长为h2，沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l，将较大的立方体晶棒沿着边长为h1的边切割硅片，将较大的立方体晶棒沿着边长为h2的边切割硅片，得到长宽分别为l和d的矩形硅片。4.根据权利要求3所述的一种大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，其中，d＝60‑125mm，l＝156‑250mm，矩形硅片厚度为50‑250μm。5.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，当单晶圆棒的有效直径大于目标硅片宽度d的二倍而小于目标硅片宽度d的三倍时，将圆棒切割成6个立方体方棒，其中2个较大的立方体晶棒其中一边长为d，一边长为h1,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l；另外两个相对小的立方体，一边长为d，一边长为h2,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l；另外还有两个相对小的立方体，一边长为d，一边长为h3，沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l，分别将6个立方体晶棒沿着边长为h1、h2和h3的边切割硅片，得到长宽分别为l和d的矩形硅片。6.根据权利要求5所述的一种大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，其中，d＝60‑125mm，l＝156‑250mm，矩形硅片厚度为50‑250μm。7.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，当单晶圆棒的有效直径大于目标硅片宽度d的三倍时，将圆棒切割成5个立方体晶棒，其中一个立方体晶棒一边长为d，一边长为h1,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l；其中二个立方体晶棒一边长为d，一边长为h2，沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l，剩余二个立方体晶棒一边长为d，一边长为h3,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l，分别将5个立方体晶棒沿着边长为h1、h2和h3的边切割硅片，得到长宽分别为l和d的矩形硅片。8.根据权利要求7所述的一种大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，其中，d＝60‑125mm，l＝156‑250mm，矩形硅片厚度为50‑250μm。9.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，当单晶圆棒的有效直径大于目标硅片宽度d的三倍时，将圆棒切割成11个立方体晶棒，其中三个立方体晶棒一边长为d，一边长为h1，沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l，其中四个立方体晶棒一边长为d，一边长为h2，沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l，剩余四个立方体晶棒一边长为d，一边长为h3，沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l，分别将11个立方体晶棒沿着边长为h1、h2和h3的边切割硅片，得到长宽分别为l和d的矩形硅片。10.根据权利要求9所述的一种大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，其中，d＝60‑125mm，l＝156‑250mm，矩形硅片厚度为50‑250μm。2CN112643910A说明书1/6页一种大尺寸硅片的切割方法技术领域[0001]本发明属于太阳能技术领域，涉及一种大尺寸硅片的切割方法。背景技术[00