一种大尺寸硅片热氧工艺.pdf
康平****ng
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
一种大尺寸硅片热氧工艺.pdf
本发明提供一种大尺寸硅片热氧工艺,包括以下步骤,在氧化炉待机时,设定炉口至炉尾的待机温度;进舟后,进行升温;进行稳定温度,便于硅片氧化;进行硅片氧化,形成氧化层;降温出炉。本发明的有益效果是应用于硅片的氧化时使用,对硅片进行氧化,减少硅片中心与边缘温差,改善氧化时温度差异,提高表面钝化效果,提高电池片转换效率。
一种大尺寸硅片扩散工艺.pdf
本发明提供一种大尺寸硅片扩散工艺,将硅片放入扩散炉后,进行扩散,包括以下步骤,稳定硅片表面温度,减少硅片中心与边缘的温度差;制备氧化层,进行硅片表面氧化;低温恒定源扩散,进行硅片表面沉积磷源;高温推进,便于形成PN结;高温通源,进行扩散补源;二步推结,形成磷硅玻璃层;降温出炉。本发明的有益效果是具有稳定温度工序,减少硅片中心与边缘的温度差,再通入反应气体,使得硅片的均匀性更好。
一种硅片热氧化湿氧工艺.pdf
本发明的一种硅片热氧化湿氧工艺,包括构建硅片热氧化湿氧工艺过程高纯水加注量确定的步骤和方法,具体包括在氧化炉炉管后部设置计量泵和气体喷头;通过计量泵将高纯水注入气体喷头;气体喷头将注入的高纯水雾化成水汽注入氧化炉炉管,水汽进入氧化炉炉管后,分解成氢气和氧气,与硅片发生反应,在硅片表面形成氧化膜;通过调整计量泵注入氧化炉炉管内纯水的量控制硅片表面氧化膜的生长厚度。本发明提高了硅片氧化湿氧工艺的安全可靠性,减少了湿氧过程引入污染的几率,通过控制计量泵注入纯水的流量和湿氧工艺时间,可精准控制硅片氧化工艺氧化膜的
一种大尺寸硅片的切割方法.pdf
本发明属于太阳能技术领域,涉及一种大尺寸硅片的切割方法,它是将单晶圆棒去除头尾后,沿着单晶圆棒的轴心线方向将单晶圆棒切割成若干个立方体晶棒,每个立方体晶棒至少有两条边的边长与其他的立方体晶棒相同,之后将立方体晶棒沿那条与其他立方体晶棒的边长不同的边进行切片,切割成矩形硅片。本发明提供一种利用小炉型生产大尺寸硅片的方法,使得各种炉型都可以生产大硅片,尺寸灵活可调,并且提高了硅棒的硅料利用率。
一种大尺寸超薄硅片的切割方法.pdf
本发明公开了一种大尺寸超薄硅片的切割方法,所用装置包括相互配合的导轮和切割钢线,具体步骤包括:将一副导轮分三段开槽,即将其长度均分为三份,从进线到出线方向依次分为L<base:Sub>1</base:Sub>、L<base:Sub>2</base:Sub>、L<base:Sub>3</base:Sub>三个区域;L<base:Sub>1</base:Sub>区域槽距根据目标片厚以及切割刚线的线径来决定;L<base:Sub>2</base:Sub>区域槽距等于L<base:Sub>1</base:Sub>