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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113078236A(43)申请公布日2021.07.06(21)申请号202010003639.0(22)申请日2020.01.03(71)申请人环晟光伏(江苏)有限公司地址214200江苏省无锡市宜兴市经济开发区文庄路20号(72)发明人何秋霞朱军杨韦马擎天(74)专利代理机构天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)12213代理人栾志超(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/028(2006.01)H01L31/04(2014.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称一种大尺寸硅片热氧工艺(57)摘要本发明提供一种大尺寸硅片热氧工艺,包括以下步骤,在氧化炉待机时,设定炉口至炉尾的待机温度;进舟后,进行升温;进行稳定温度,便于硅片氧化;进行硅片氧化,形成氧化层;降温出炉。本发明的有益效果是应用于硅片的氧化时使用,对硅片进行氧化,减少硅片中心与边缘温差,改善氧化时温度差异,提高表面钝化效果,提高电池片转换效率。CN113078236ACN113078236A权利要求书1/1页1.一种大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:包括以下步骤,在氧化炉待机时,设定炉口至炉尾的待机温度;进舟后,进行升温;进行稳定温度,便于硅片氧化;进行硅片氧化,形成氧化层;降温出炉。2.根据权利要求1所述的大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:所述设定炉口至炉尾的待机温度步骤中,设定炉口至炉尾的各个温区间的温度,所述各个温区间包括沿着从炉口至炉尾依次设置的第一温区间、第二温区间、第三温区间、第四温区间和第五温区间。3.根据权利要求2所述的大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:所述第一温区间设定的温度为790-810℃,所述第二温区间设定的温度为770-790℃,所述第三温区间设定的温度为740-760℃,所述第四温区间设定的温度为710-730℃,所述第五温区间设定的温度为690-710℃。4.根据权利要求1-3任一项所述的大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:所述进行升温步骤中,将氧化炉温度升温至氧化温度,并通入氮气,设定升温时间。5.根据权利要求4所述的大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:所述进行升温步骤中,所述氧化温度为700-740℃,所述升温时间为8-12min,所述氮气流量为8-12slm。6.根据权利要求5所述的大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:所述进行稳定温度步骤中,按照所述氧化温度维持所述氧化炉温度,并通入氮气,设定维持时间。7.根据权利要求6所述的大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:所述进行稳定温度步骤中,所述氮气流量为8-12slm,所述维持时间为1-3min。8.根据权利要求5-7任一项所述的大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:所述进行硅片氧化步骤中,按照所述氧化温度维持所述氧化炉温度,并通入氮气和氧气,设定氧化时间。9.根据权利要求8所述的大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:所述进行硅片氧化步骤中,所述氮气流量为7-9slm,所述氧气流量为1-3slm,所述氧化时间为10-15min。10.根据权利要求9所述的大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:所述降温出炉步骤中,将所述氧化炉温度降低至出炉温度,进行出舟,所述出炉温度为680-720℃。2CN113078236A说明书1/5页一种大尺寸硅片热氧工艺技术领域[0001]本发明属于太阳能电池制备技术领域,尤其是涉及一种大尺寸硅片热氧工艺。背景技术[0002]目前,太阳能电池片制造业中,热氧为制作SIO2层,主要为表面钝化及抗PID。大尺寸的硅片大大降低了电池制造的成本,但管式热处理随着硅片尺寸的增大,制作过程中均匀性不可控,表面度化效果不好,电池片转换效率低。发明内容[0003]鉴于上述问题,本发明要解决的问题是提供一种大尺寸硅片热氧工艺,应用于硅片的氧化时使用,对硅片进行氧化,减少硅片中心与边缘温差,改善氧化时温度差异,提高表面钝化效果,提高电池片转换效率。[0004]为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种大尺寸硅片热氧工艺,包括以下步骤,[0005]在氧化炉待机时,设定炉口至炉尾的待机温度;[0006]进舟后,进行升温;[0007]进行稳定温度,便于硅片氧化;[0008]进行硅片氧化,形成氧化层;[0009]降温出炉。[0010]进一步的,设定炉口至炉尾的待机温度步骤中,设定炉口至炉尾的各个温区间的温度,各个温区间包括沿着从炉口至炉尾依次设置的第一温区间、第二温区间、第三温区间、第四温区间和第五温区间。[0011]进一步的,第一温区间设定的温度为790-810℃,第二温区间设定的温度为770-790℃,第三温区间设定的温度为740-760℃,第四温区间设定的温度为710-730℃,第五温