超高纯铝的制备方法.pdf
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超高纯铝的制备方法.pdf
本公开提供了一种超高纯铝的制备方法,其包括步骤:步骤一,将铝锭进行真空蒸馏,降温后取出铝;步骤二,王水处理玻璃碳舟或氮化硼舟;步骤三,将步骤一所得到铝在高纯石墨坩埚内熔化后倒入玻璃碳舟或氮化硼舟内冷却得到铝锭,步骤四,用酸溶液腐蚀铝锭;步骤五,将铝锭放入区熔炉石英管内;步骤六,将惰性气体通入石英管内一段时间,关闭阀门,开启氢气阀门,将氢气通入石英管内;步骤七,打开加热器并调节温度;步骤八,加热器行至舟尾部时,停止加热,返回至原点,进行第二次区熔作业;步骤九,区熔完成后,停止加热,将铝锭取出,去铝锭的头尾;
一种超高纯、等轴细晶铝靶材的制备方法.pdf
本发明属于材料加工技术领域,具体涉及一种超高纯、等轴细晶铝靶材的制备方法。本发明的制备方法,采用真空熔铸和锻轧结合,在真空感应熔炼炉内对纯度在99.9999%以上的高纯铝锭进行重熔成型,在室温下以冷轧和热处理的方法,制备出半导体芯片用超高纯、等轴细晶铝溅射靶材。所述的制备方法通过对高纯铝锭进行重熔进一步降低高纯铝锭的晶粒尺寸至1mm以下,大大简化后期塑性变形工艺,提高成材效率,降低生产成本,最终得到的超高纯、等轴细晶铝靶材其晶粒大小均一,且保持在100μm以下。
超高纯锗单晶的制备方法.pdf
本公开提供一种超高纯锗单晶的制备方法,包括以下步骤:步骤一,将区熔炉倾斜,使石英舟头部低于石英舟尾部;步骤二,将放好锗料的石英舟放入石英管中,关闭法兰;步骤三,在设备排气管比进气管细的前提下,通氢气吹扫;步骤四,将加热器升温由石英舟头部移动至石英舟尾部;步骤五,将加热器调至籽晶与锗料接触处进行化料;步骤六,化料完成后,加热器移动超出石英舟尾部时,距石英舟尾部较近的一边与加热器相距10~15cm,才将加热器调至籽晶与锗料熔接处开始下一次化料和区熔;步骤七,重复化料和区熔,区熔炉降温,将氢气切换为氮气,氮气吹
一种超高纯铝细晶制备设备.pdf
本发明涉及纯铝细晶技术领域,且公开了一种超高纯铝细晶制备设备,包括外缸体,所述外缸体的内部安装有加热缸体,所述加热缸体包括转动内缸、隔热内层、第一轴承和翻动腔体,所述外缸体内部的轴心位置安装有转动内缸,所述外缸体的内壁还安装有第一轴承,所述第一轴承用于支撑转动内缸位于外缸体内部,所述转动内缸的内部安装有隔热内层,所述隔热内层的内壁设有翻动腔体。本发明通过电力导出结构与电力传输结构的配合效果,从而使装置具备了旋转时的电力输出以及外表面的清理效果,并且装置为横卧式加热结构,且加热以及搅拌区域为弧面结构,可通过
一种超高纯铝硅钛溅射靶材合金的制备方法.pdf
本发明提供了一种超高纯铝硅钛溅射靶材合金的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)原料硅、原料钛和原料铝进行预处理;(2)设备和工具进行表面涂层处理;(3)预处理后的原料进行熔炼;(4)熔炼后的合金进行依次除气和结晶成型;(5)合金材料进行变形工艺,形成所述超高纯硅钛溅射靶材合金;所述制备方法通过优选高纯度原料和合金熔融步骤,同时在设备和工具表面涂层处理,实现了金属元素的纯度控制和均匀分布,得到了杂质H元素的含量水平符合要求、晶粒均匀的超高纯度铝靶材。