超高纯锗单晶的制备方法.pdf
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超高纯锗单晶的制备方法.pdf
本公开提供一种超高纯锗单晶的制备方法,包括以下步骤:步骤一,将区熔炉倾斜,使石英舟头部低于石英舟尾部;步骤二,将放好锗料的石英舟放入石英管中,关闭法兰;步骤三,在设备排气管比进气管细的前提下,通氢气吹扫;步骤四,将加热器升温由石英舟头部移动至石英舟尾部;步骤五,将加热器调至籽晶与锗料接触处进行化料;步骤六,化料完成后,加热器移动超出石英舟尾部时,距石英舟尾部较近的一边与加热器相距10~15cm,才将加热器调至籽晶与锗料熔接处开始下一次化料和区熔;步骤七,重复化料和区熔,区熔炉降温,将氢气切换为氮气,氮气吹
超高纯锗单晶制备工艺及专用设备.pdf
本发明涉及探测器级的超高纯锗单晶制备工艺以及该工艺的专用设备。该工艺包括多晶锭及拉晶设备的清洗以及单晶炉拉制单晶两个部分;该工艺的专用设备单晶炉包括固定装置、加热装置、冷却装置、通气装置以及拉晶装置。本发明反应物及反应设备均经过严格的物理及化学清洗,清洗液纯度高,且反应过程始终在超净工作台内进行,对反应物、反应环境纯度要求高,为制出高纯度的产品提供了先决条件;反应设备清洁度更高,炉体、坩埚及内部零件都用高纯石英件替代现用的石墨材料,且采用高频感应加热方式,避免用电阻石墨直接进行加热产生的杂质污染,降低了拉
超高纯砷单晶体片的制备方法.pdf
本发明公开了一种超高纯砷单晶体片的制备方法,包括如下步骤:(1)石英管表面处理(2)超高纯砷脱氧封装(3)置于水平管式炉内(4)水平管式炉熔料和冷却结晶,本发明利用石英管封闭和砷高温熔化时自身产生的压力,达到砷熔化和晶体生长的目的,在常温过冷条件下,管内液态砷达到过冷度时生长晶体,每管生成30~60片,并以孪晶方式生成单晶片,可满足国内产品质量要求及出口质量要求,有较好的应用前景。
高纯锗单晶的制备与位错密度分析.pptx
,aclicktounlimitedpossibilities目录PartOnePartTwo锗单晶的生长原理锗单晶的制备工艺流程关键制备技术解析制备过程中的质量控制PartThree位错的基本概念与分类位错密度的测试方法位错密度的影响因素位错密度与晶体质量的关系PartFour不同制备方法下的位错密度比较不同掺杂元素对位错密度的影响温度对高纯锗单晶位错密度的影响位错密度对高纯锗单晶性能的影响PartFive高纯锗单晶在电子器件领域的应用高纯锗单晶在光电子领域的应用高纯锗单晶在其他领域的应用前景高纯锗单晶
以四氟化锗为原料制备高纯锗单晶中间体二氧化锗的方法.pdf
本发明公开了一种以四氟化锗为原料制备高纯锗单晶中间体二氧化锗的方法,包括以下步骤:(ⅰ)四氟化锗水解;(ⅱ)酸化除氟;(ⅲ)氯化蒸馏;(ⅳ)四氯化锗水解反应。本发明弥补了目前国内以四氟化锗为原料制备高纯二氧化锗的研究空白,以满足国防、同位素探测等特殊领域的需要。本发明中以四氟化锗为原料制备高纯二氧化锗的工艺方法可以使二氧化锗产品的收率达到70%以上,产品质量完全达到国家标准。