基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序.pdf
觅松****哥哥
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基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序.pdf
本发明提供能够通过单张处理装置和立式处理装置进行连续处理的处理装置,提高整个处理装置的生产性。该处理装置具备:立式处理炉,其处理保持于基板保持件的N(5≤N≤50)张基板;搬送室,其配置于立式处理炉的下方,且将基板保持件搬送到立式处理炉;多个单张处理炉,其与搬送室相邻,每次处理M(1≤M<10)张基板,且至少层叠配置有两层以上;以及移载室,其与搬送室及多个单张处理炉相邻,且设置有移载基板的移载机。
基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序.pdf
基板处理装置具备:舟皿,其具有多个保持基板的插槽;对由舟皿保持的基板进行处理的处理炉;使舟皿升降的舟皿升降机;移载机,其在保存有基板的载体与舟皿之间移载基板;以及控制器,其构成为能够控制舟皿升降机和移载机。控制器构成为将用于供移载机移载基板的多个位置设定于舟皿升降机,在移载机从多个载体将基板搬入舟皿以成为能够装填至处理炉的状态的动作、以及移载机从舟皿向多个载体搬出由处理炉处理后的基板的动作的各动作中,以使舟皿升降机的多个位置之间的过渡的次数或过渡所需的时间的合计成为最小的方式进行选择。
基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序.pdf
即使是在具备两个处理炉的结构的情况下,也能够通过去除所需要的设备而谋求节省空间化。具备:处理基板的第1炉体和第2炉体;至少1个换热器,其冷却从第1炉体和第2炉体排出的制冷剂;至少1个排气鼓风机,其吸入从换热器排出的制冷剂并向下游侧送出;第1流路和第2流路,其将第1炉体和第2炉体、与至少1个换热器和至少1个排气鼓风机之间以制冷剂能够流通的方式分别连接;能够使开度可变的第1风门和第2风门,其分别设置在第1流路和第2流路的中途且比换热器靠上游侧的位置;以及控制器,其控制第1炉体和第2炉体的加热和冷却,第1流路和
基板处理装置、炉口部以及半导体装置的制造方法及程序.pdf
提供一种结构,具备:处理室,其至少由反应管和设置于该反应管的下部的炉口部构成;喷嘴,其设置于上述炉口部,并从上述炉口部立起至上述反应管内;气体供给系统,其设置于上述喷嘴的上游侧;遮断部,其构成为设置于上述气体供给系统与上述喷嘴的边界;以及控制部,其分别对上述气体供给系统及上述遮断部进行控制,以使上述遮断部与上述气体供给系统联动,从上述喷嘴向上述处理室内供给气体。
基板处理装置以及半导体装置的制造方法.pdf
提供一种抑制原料气体的副产物相对于炉口部附着的基板处理装置以及半导体装置的制造方法。基板处理装置具有:处理室和多个喷头,处理室具有:筒状的反应管,其一端是开放的;筒状的歧管,其与反应管的开放端连接,并且在侧面具有将来自气体供给管的处理气体向处理室内导入的多个气体供给孔;和盖,其能够开闭地封闭歧管的与连接于反应管的一端为相反端的开口,盖具有:保护板,其以在与盖之间形成有第一间隙的方式设于盖的内表面;和导入口,其从盖的外侧向第一间隙导入清洗气体,歧管构成为,以在与歧管之间形成有第二间隙的方式在歧管的内壁具有引