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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110383431A(43)申请公布日2019.10.25(21)申请号201780086877.9(51)Int.Cl.(22)申请日2017.02.17H01L21/31(2006.01)C23C16/44(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L21/316(2006.01)2019.08.19H01L21/677(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2017/0058872017.02.17(87)PCT国际申请的公布数据WO2018/150536JA2018.08.23(71)申请人株式会社国际电气地址日本东京都(72)发明人高野智(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人张敬强李平权利要求书2页说明书7页附图6页(54)发明名称基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序(57)摘要本发明提供能够通过单张处理装置和立式处理装置进行连续处理的处理装置,提高整个处理装置的生产性。该处理装置具备:立式处理炉,其处理保持于基板保持件的N(5≤N≤50)张基板;搬送室,其配置于立式处理炉的下方,且将基板保持件搬送到立式处理炉;多个单张处理炉,其与搬送室相邻,每次处理M(1≤M<10)张基板,且至少层叠配置有两层以上;以及移载室,其与搬送室及多个单张处理炉相邻,且设置有移载基板的移载机。CN110383431ACN110383431A权利要求书1/2页1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:立式处理炉,其处理保持于基板保持件的N张基板;搬送室,其配置于上述立式处理炉的下方,且将上述基板保持件搬送到上述立式处理炉;多个单张处理炉,其与上述搬送室相邻,每次处理M张上述基板,且至少层叠配置有两层以上;以及移载室,其与上述搬送室及上述多个单张处理炉相邻,且设置有移载上述基板的移载机,其中,5≤N≤50,1≤M<10。2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,上述多个单张处理炉配置为收敛于上述搬送室的高度内。3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,上述立式处理炉具有从上述立式处理炉的下方将上述基板保持件搬入/搬出的开口部,上述多个单张处理炉分别具有从与上述移载室对置的侧方将上述基板搬入/搬出的搬入口,相比上述开口部,上述搬入口形成于更低的位置。4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,上述多个单张处理炉内的最上层的单张处理炉的上述搬入口配置为收敛于上述开口部与上述基板保持件的上端部之间。5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,上述多个单张处理炉内的最下层的单张处理炉的上述搬入口的高度位置为与上述基板保持件的最下层的基板相同的高度位置以上。6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,在搬送上述基板时,将上述移载室内的氧浓度设为30ppm以下。7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,对于上述基板,在上述搬送室与上述移载室的边界壁具有闸阀,上述闸阀构成为在上述搬送室内及上述移载室内的氧浓度为30ppm以下时打开。8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,以在立式处理炉中的基板处理时间内由上述多个单张处理炉对与上述立式处理炉处理的张数相同的张数的上述基板完成基板处理的方式决定上述单张处理炉的台数、上述单张处理炉的处理张数以及上述单张处理炉的时间。9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,并行地进行上述立式处理炉中的基板处理和上述多个单张处理炉中的基板处理。10.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具有:通过立式处理炉处理保持于基板保持件的N张基板的工序;将上述基板保持件搬出到配置于上述立式处理炉的下方的搬送室的工序;以及通过多个单张处理炉处理上述基板的工序,上述多个单张处理炉与上述搬送室相邻,每次处理M张上述基板,且至少层叠配置有两层以上,2CN110383431A权利要求书2/2页其中,5≤N≤50,1≤M<10。11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,并行地进行通过上述立式处理炉处理的工序和通过上述多个单张处理炉处理上述基板的工序。12.一种程序,其特征在于,通过计算机使基板处理装置执行如下步骤:通过立式处理炉处理保持于基板保持件的N片基板的步骤;将上述基板保持件搬出到配置于上述立式处理炉的下方的搬送室的步骤;以及通过多个单张处理炉处理上述基板的步骤,上述多个单张处理炉与上述搬送室相邻,每次处理M张上述基板,且至少层叠配置有两层以上,其中,5≤N≤50,1≤M<10。3CN110383431A说明书1/7页基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序技术领域[0001]本发明涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法