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基板处理装置、气柜以及半导体器件的制造方法.pdf
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基板处理装置、气柜以及半导体器件的制造方法.pdf
本发明防止以温度为起因的气体流量控制性的降低。本发明的基板处理装置具有：对基板进行处理的处理炉；向处理室供给对基板进行处理的处理气体的处理气体供给路；控制向处理室供给的处理气体的量的处理气体供给控制部；对处理气体供给路或处理气体供给控制部的至少一部分进行加热的加热器；和将处理气体供给路、处理气体供给控制部、和加热器收纳的气柜。气柜具有：将气柜外的环境气体向气柜内吸入的吸入口；与排气管道连接并将气柜内的环境气体向排气管道排出的排气口；冷却气柜内的环境气体并且测定或监视环境气体的温度的温度控制设备；和探测泄漏
2023-06-16
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基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序.pdf
即使是在具备两个处理炉的结构的情况下，也能够通过去除所需要的设备而谋求节省空间化。具备：处理基板的第1炉体和第2炉体；至少1个换热器，其冷却从第1炉体和第2炉体排出的制冷剂；至少1个排气鼓风机，其吸入从换热器排出的制冷剂并向下游侧送出；第1流路和第2流路，其将第1炉体和第2炉体、与至少1个换热器和至少1个排气鼓风机之间以制冷剂能够流通的方式分别连接；能够使开度可变的第1风门和第2风门，其分别设置在第1流路和第2流路的中途且比换热器靠上游侧的位置；以及控制器，其控制第1炉体和第2炉体的加热和冷却，第1流路和
2023-06-15
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基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序.pdf
基板处理装置具备：舟皿，其具有多个保持基板的插槽；对由舟皿保持的基板进行处理的处理炉；使舟皿升降的舟皿升降机；移载机，其在保存有基板的载体与舟皿之间移载基板；以及控制器，其构成为能够控制舟皿升降机和移载机。控制器构成为将用于供移载机移载基板的多个位置设定于舟皿升降机，在移载机从多个载体将基板搬入舟皿以成为能够装填至处理炉的状态的动作、以及移载机从舟皿向多个载体搬出由处理炉处理后的基板的动作的各动作中，以使舟皿升降机的多个位置之间的过渡的次数或过渡所需的时间的合计成为最小的方式进行选择。
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系统、基板处理装置、以及半导体器件的制造方法.pdf
本发明提供一种系统、基板处理装置、以及半导体器件的制造方法，其目的在于抑制泵内部的副生成物的附着。本发明提供一种构成，其具备：用气体对处理对象进行处理的处理室；排气装置，具备在内部设有转子的壳体，将在处理室内使用的气体排出；不经由处理室地向排气装置供给非活性气体的气体供给部；以及控制部，其在对处理对象进行了处理之后，控制气体供给部并将规定量的非活性气体供给至壳体内，将转子的温度设为目标温度以上。
2023-06-07
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基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质.pdf
提供一种基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质，通过实现抑制在前基板在搬送室等中发生滞留和减少处理室的未使用时间，提高处理能力。提供一种技术，具备：多个处理室，其对基板进行处理；搬送室，其具有搬送上述基板的搬送机构；和控制部，其计算出上述基板能够搬送到各个上述处理室的可搬送基板时间，选择成为所计算出的向各个上述处理室搬送的上述可搬送基板时间中的最短时间的向上述处理室的基板搬送路径，并基于选择出的上述基板搬送路径进行上述搬送机构的控制。
2023-06-03
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