一种提高铜片氧化层均匀性的氧化炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113606935A(43)申请公布日2021.11.05(21)申请号202110871999.7(22)申请日2021.07.30(71)申请人合肥圣达电子科技实业有限公司地址230088安徽省合肥市香樟大道206号(72)发明人许海仙张振文张洋史常东(74)专利代理机构合肥天明专利事务所(普通合伙)34115代理人谢中用(51)Int.Cl.F27B9/24(2006.01)F27B9/30(2006.01)F27B9/36(2006.01)F27B9/38(2006.01)F27B9/40(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种提高铜片氧化层均匀性的氧化炉(57)摘要本发明陶瓷覆铜板技术领域，公开了一种提高铜片氧化层均匀性的氧化炉，包括：炉体，包括分别设置在炉体两端的进料口和出料口，进料口和出料口处设置有密封气帘；传送带，用于输送铜片，由进料口到出料口贯穿炉体；多个热电偶，正对传送带安装在炉体内，且沿传送带输送方向依次排布；供氧管道；多个弥散气盒，沿传送带输送方向在炉体内排布，分别与供氧管道连通且在连通处设置有用于控制炉体内气体浓度、流速、流向的气阀；测温热电偶和测氧仪，设置在弥散气盒靠近传送带的一侧；保证了铜片氧化环境的稳定，使铜片表面氧化膜厚度均一。CN113606935ACN113606935A权利要求书1/1页1.一种提高铜片氧化层均匀性的氧化炉，其特征在于，包括：炉体，包括分别设置在炉体两端的进料口和出料口，进料口和出料口处设置有密封气帘；传送带，用于输送铜片，由进料口到出料口贯穿炉体；多个热电偶，正对传送带安装在炉体内，且沿传送带输送方向依次排布；供氧管道；多个弥散气盒，沿传送带输送方向在炉体内排布，分别与供氧管道连通且在连通处设置有用于控制炉体内气体浓度、流速、流向的气阀；多个测温热电偶和测氧仪，设置在弥散气盒靠近传送带的一侧。2.根据权利要求1所述提高铜片氧化层均匀性的氧化炉，其特征在于：各热电偶的上、下各设置有一个所述的弥散气盒，使多个弥散气盒分别在传送带上方和下方沿传送带输送方向排布。3.根据权利要求1所述提高铜片氧化层均匀性的氧化炉，其特征在于：包括设置在传送带出料端的冷却箱。4.根据权利要求1所述提高铜片氧化层均匀性的氧化炉，其特征在于：包括设置在传送带进料端的排气管，所述排气管的管口对准炉体的进料口。5.根据权利要求1所述提高铜片氧化层均匀性的氧化炉，其特征在于：沿进料口到出料口的方向，依次在炉体内设置多个温区且温度依次升高；通过测温热电偶和测氧仪分别测量各温区内的温度和氧气含量，并控制弥散气盒释放气体速度、热电偶的功率，使各温区具有均匀温度场。2CN113606935A说明书1/4页一种提高铜片氧化层均匀性的氧化炉技术领域[0001]本发明涉及陶瓷覆铜板技术领域，具体涉及一种提高铜片氧化层均匀性的氧化炉。背景技术[0002]陶瓷覆铜板是由铜片和陶瓷组成，在高温环境下将氧化后的铜片与陶瓷烧结在一起，再通过蚀刻工艺制备出线路。相较于PCB线路板，陶瓷覆铜板具有热导率高、绝缘耐压大、耐热等优点。所用铜片为高纯无氧铜，Cu含量超过99.99％，氧含量≤5ppm，杂质含量≤5ppm，电导率101％IACS，热导率约为40W/(m·K)，铜片厚度一般为0.3mm。因此，陶瓷覆铜板具有优异的导电性能和非常强的载流能力。[0003]温度、时间及氧气浓度是决定铜片氧化层厚度的关键因素。现有生产技术多采用敞口式马弗氧化炉和插片式进样方法对纯铜片进行氧化。这些方法没有控制氧化炉体内空气流动，炉体内空气流向依靠温度梯度作用，自然流动。然而，传送带输送铜片进入氧化炉后，由于铜片、卡具、传送带均会吸收热量，温度变化导致的炉体内气体流向在不同批次生产中略有差异，继而导致铜片氧化层的厚度和均匀性存在一定差别。此外，马弗加热温区为三面加热，底部温度略有降低，导致插片式铜片底部氧化层厚度较低。因此，现有技术中陶瓷覆铜板的氧化层厚度不一，均匀性差，进而导致陶瓷覆铜板剥离强度低、气孔率高。发明内容[0004]为解决上述技术问题，本发明提供一种提高铜片氧化层均匀性的氧化炉。[0005]为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：[0006]一种提高铜片氧化层均匀性的氧化炉，包括：[0007]炉体，包括分别设置在炉体两端的进料口和出料口，进料口和出料口处设置有密封气帘；[0008]传送带，用于输送铜片，由进料口到出料口贯穿炉体；[0009]多个热电偶，正对传送带安装在炉体内，且沿传送带输送方向依次排布；[0010]供氧管道；[0011]多个弥散气盒，沿传送带输送方向在炉体内排布，分别与供氧管道连通且在连通处设置有用于控制炉体内气