

一种提高VCSEL氧化孔径均匀性的方法.pdf
An****70
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
一种提高VCSEL氧化孔径均匀性的方法.pdf
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种提高VCSEL氧化孔径均匀性的方法,具体为:将VCSEL刻蚀的台面结构设计为花瓣型,且沟道宽度设计为10‑25um;再将VCSEL置于氧化炉内,然后对氧化炉快速升温至VCSEL的氧化温度以下,并恒温25‑35min,在升温和恒温时向氧化炉内通入氮气和水汽的混合气体;对氧化炉以10‑20℃/min的升温速率升温至氧化所需温度,直至氧化完毕;最后对氧化炉降温,使氧化炉快速降温至180‑220℃,然后自然冷却至室温。本发明能够提高VCSEL氧化孔径均匀性。
一种提高铜片氧化层均匀性的氧化炉.pdf
本发明陶瓷覆铜板技术领域,公开了一种提高铜片氧化层均匀性的氧化炉,包括:炉体,包括分别设置在炉体两端的进料口和出料口,进料口和出料口处设置有密封气帘;传送带,用于输送铜片,由进料口到出料口贯穿炉体;多个热电偶,正对传送带安装在炉体内,且沿传送带输送方向依次排布;供氧管道;多个弥散气盒,沿传送带输送方向在炉体内排布,分别与供氧管道连通且在连通处设置有用于控制炉体内气体浓度、流速、流向的气阀;测温热电偶和测氧仪,设置在弥散气盒靠近传送带的一侧;保证了铜片氧化环境的稳定,使铜片表面氧化膜厚度均一。
一种掩埋式非氧化孔径VCSEL的外延结构及其制备工艺.pdf
本发明提供一种掩埋式非氧化孔径VCSEL的外延结构,属于新型半导体激光器技术领域,包括衬底;在衬底上依次设置有MOCVD沉积缓冲层、第一分布式布拉格反射层、谐振腔、第二分布式布拉格反射层和欧姆接触层,谐振腔、所述第二分布式布拉格反射层以及所述欧姆接触层均为Ⅲ?Ⅴ族化合物材料,谐振腔的顶面形成一个包括量子阱层的台面;外延结构还包括同质半绝缘层,同质半绝缘层包裹于所述台面的外周面,同质半绝缘层为Al<base:Sub>x</base:Sub>Ga<base:Sub>1?x</base:Sub>As层或InP层
一种提高薄膜均匀性的方法.pdf
本申请实施例提供一种提高薄膜均匀性的方法,包括:根据注入参数,确定向晶圆第一注入面注入的第一注入剂量,以及,向晶圆第二注入面注入的第二注入剂量,按照第一注入剂量向晶圆第一注入面注入;按照第二注入剂量向晶圆第二注入面注入;向晶圆第一注入面注入第三注入剂量,第三注入剂量不大于临界注入剂量;如果向晶圆第一注入面注入的离子总注入剂量达到目标注入剂量,则将第一注入面与衬底层键合,得到键合体;对键合体热处理,在衬底层上形成薄膜层。将目标注入剂量分步向第一注入面注入,同时配合向第二注入面注入,以抵消第一注入面注入产生的
一种提高器件均匀性的方法.pdf
本发明公开了一种提高器件均匀性的方法,包括:步骤一、通过化学气相沉积工艺在晶圆正面生长一层氧化物遮挡层;步骤二、采用湿法刻蚀去除所述晶圆的背面残留的氮化物薄层;步骤三、采用湿法刻蚀去除所述晶圆的正面的所述氧化物遮挡层。本发明通过去除晶圆背面的残留氮化物,为后续尖峰退火工艺提供均匀的衬底,可以有效的减小因为晶圆背面氮化硅薄膜厚度对尖峰退火工艺温度的影响带来的晶圆之间器件特性的大幅波动。通过这种方法,可以明显提高大规模量产中产品器件均匀性和良率的稳定性。