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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113794106A(43)申请公布日2021.12.14(21)申请号202110898557.1(22)申请日2021.08.05(71)申请人威科赛乐微电子股份有限公司地址404000重庆市万州区万州经开区高峰园檬子中路2号(72)发明人杨首朕姚林松陈丽祥黄川王亮(74)专利代理机构广州市华学知识产权代理有限公司44245代理人黄宗波(51)Int.Cl.H01S5/183(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称一种提高VCSEL氧化孔径均匀性的方法(57)摘要本发明涉及半导体技术领域,公开了一种提高VCSEL氧化孔径均匀性的方法,具体为:将VCSEL刻蚀的台面结构设计为花瓣型,且沟道宽度设计为10‑25um;再将VCSEL置于氧化炉内,然后对氧化炉快速升温至VCSEL的氧化温度以下,并恒温25‑35min,在升温和恒温时向氧化炉内通入氮气和水汽的混合气体;对氧化炉以10‑20℃/min的升温速率升温至氧化所需温度,直至氧化完毕;最后对氧化炉降温,使氧化炉快速降温至180‑220℃,然后自然冷却至室温。本发明能够提高VCSEL氧化孔径均匀性。CN113794106ACN113794106A权利要求书1/1页1.一种提高VCSEL氧化孔径均匀性的方法,其特征在于:将VCSEL刻蚀的台面结构设计为花瓣型,且沟道宽度设计为10‑25um。2.根据权利要求1所述的一种提高VCSEL氧化孔径均匀性的方法,其特征在于:所述VCSEL刻蚀的台面结构设计为六瓣的花瓣型。3.根据权利要求2所述的一种提高VCSEL氧化孔径均匀性的方法,其特征在于:在VCSEL氧化时,包括以下步骤:S1、将VCSEL置于氧化炉内,然后对氧化炉快速升温至VCSEL的氧化温度以下,并恒温25‑35min,在升温和恒温时向氧化炉内通入氮气和水汽的混合气体;S2、对氧化炉以10‑20℃/min的升温速率升温至氧化所需温度,直至氧化完毕;S3、对氧化炉降温,使氧化炉快速降温至180‑220℃,然后自然冷却至室温。4.根据权利要求3所述的一种提高VCSEL氧化孔径均匀性的方法,其特征在于:所述步骤S1中的升温速率为20℃/min。5.根据权利要求3所述的一种提高VCSEL氧化孔径均匀性的方法,其特征在于:所述步骤S1中的升温温度为200‑300℃。6.根据权利要求3所述的一种提高VCSEL氧化孔径均匀性的方法,其特征在于:所述步骤S1中,通入氮气和水汽的氮气流量为3L/min,水汽2L/min。7.根据权利要求3‑6任一权利要求所述的一种提高VCSEL氧化孔径均匀性的方法,其特征在于:所述步骤S2中的升温温度为300‑500℃。8.根据权利要求3‑6任一权利要求所述的一种提高VCSEL氧化孔径均匀性的方法,其特征在于:所述步骤S3中,在2‑3min的时间内使氧化炉内的温度降低至180‑220℃。9.根据权利要求3所述的一种提高VCSEL氧化孔径均匀性的方法,其特征在于:在步骤S1的之前,向氧化炉内通入10‑20L/min的氮气,对炉内腔体进行清扫。2CN113794106A说明书1/5页一种提高VCSEL氧化孔径均匀性的方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种提高VCSEL氧化孔径均匀性的方法。背景技术[0002]垂直腔面发射激光器(VCSEL)是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。其结构是P型和N型布拉格反射镜和夹在中间的谐振腔。P型和N型布拉格反射镜都由多层外延片组成,以达到99%的反射率。[0003]VCSEL的结构从下至上一般包括N限制层、砷化镓基底、缓冲层、N‑DBR层、P‑DBR层等等;在制备时,都需要通过刻蚀技术,将VCSEL刻蚀到N‑DBR处,露出氧化层,然后通过氧化工艺在氧化层上发生氧化,留下一个未被氧化的圆形光电限制孔(即氧化孔),用来实现激光发射;一般一片晶圆上通常存在着数以万计的氧化孔,而氧化孔径的均匀性对激光器发光性能便显得至关重要。[0004]目前的氧化方法大多为湿法氧化工艺,其氧化工艺是氮气通过加热的bubble水浴瓶,带出水蒸气进行氧化。但目前的氧化工艺通常刻蚀出来的台面结构为圆台形,如附图1所示,其台面沟道为圆环形,这种图形虽较为简便,主要适用于6寸的晶圆上,但其不利于水汽的流通以及氧化产物的及时排出,且经目前的大量使用结果表明,这种设计的氧化孔径的均匀性只有10%左右,尚不能很好的满足工业越来越高的需求。发明内容[0005]有鉴于此,本发明的目的是提供一种提高VCSEL氧化孔径均匀性的方法,通过将VCSEL刻蚀的台面结构设计为花瓣型,增加沟道宽度,能够提高VCSEL氧化孔径均匀性。[0006]本发明通过以下