一种双层铜片氧化治具及氧化方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113737124A(43)申请公布日2021.12.03(21)申请号202110997244.1C09D7/65(2018.01)(22)申请日2021.08.27(71)申请人江苏富乐德半导体科技有限公司地址224200江苏省盐城市东台市城东新区鸿达路18号(72)发明人李炎贺贤汉马敬伟蔡俊董明锋(74)专利代理机构北京华际知识产权代理有限公司11676代理人张强(51)Int.Cl.C23C8/12(2006.01)C23C8/80(2006.01)C09D1/00(2006.01)C09D7/63(2018.01)权利要求书2页说明书7页附图2页(54)发明名称一种双层铜片氧化治具及氧化方法(57)摘要本发明提供一种双层铜片氧化治具，包括上矩形框架和下矩形框架，上矩形框架和下矩形框架通过两个侧板连接，两个侧板相对设置，两个侧板上均开设有若干通气孔；一种根据所述氧化治具氧化铜片的氧化方法：将两个待氧化铜片分别放置在双层铜片氧化治具的上矩形框架和下矩形框架上，通过传送带进入氧化炉中，双层铜片氧化治具的底部和顶部同时通入氧气，达到上下两层铜片同时氧化效果；设计退火温区及通气设置，平衡上下氛围，达到两层氧化均匀的效果；为改善现有陶瓷覆铜技术中存在陶瓷层和铜层结合不致密、结合强度较低、易鼓包的情况，本发明在氧化后的铜片表面上涂覆一层改性浆料作为改性层。CN113737124ACN113737124A权利要求书1/2页1.一种双层铜片氧化治具，其特征在于：包括上矩形框架(1)和下矩形框架(2)，所述上矩形框架(1)和下矩形框架(2)通过两个侧板(3)连接，两个所述侧板(3)相对设置，两个所述侧板(3)上均开设有若干通气孔(4)。2.一种采用权利要求1公开的氧化治具氧化铜片的氧化方法，其特征在于：所述氧化方法包括如下步骤：将两个待氧化铜片(5)分别放置在双层铜片氧化治具的上矩形框架(1)和下矩形框架(2)上，通过传送带进入氧化炉中，所述双层铜片氧化治具的底部和顶部同时通入氧气、氮气，对双层铜片氧化治具上的上下两层待氧化铜片(5)同时氧化，得到双层氧化后铜片。3.根据权利要求2所述的氧化方法，其特征在于：所述双层铜片氧化治具经由传送带依次通过氧化炉的进口、升温区、冷却区、出口，所述升温区包括十一个温区，各区温度设置如下：一区540‑560℃、二区690‑710℃、三区790‑810℃、四区790‑810℃、五区740‑760℃、六区695‑715℃、七区666‑686℃、八区645‑665℃、九区600‑620℃、十区560‑580℃、后区519‑539℃。4.根据权利要求2所述的氧化方法，其特征在于：所述升温区中一区、二区、三区通入氧气，所述氧气的流量设定如下：其中一区、二区氧气流量均为3‑7mL/min，三区氧气流量为100‑120mL/min；氧化过程中持续通入氮气，其中进口处氮气流量为55‑65L/min，所述升温区中一区、二区、三区、四区、五区、六区、七区、八区、九区、十区顶部氮气流量为30‑50L/min，所述升温区中一区、二区、三区、四区、五区、六区、七区、八区、九区、十区底部氮气流量为20‑40L/min，后区氮气流量为80‑120L/min，冷却区氮气流量为55‑65L/min，出口处氮气流量为50‑60L/min。5.根据权利要求2所述的氧化方法，其特征在于：所述氧气的通气压强为0.28‑0.32Mpa。6.根据权利要求2所述的氧化方法，其特征在于：所述双层铜片氧化治具的输送速度为165‑175mm/min。7.根据权利要求2所述的氧化方法，其特征在于：对氧化后铜片表面进行改性处理，在氧化后铜片表面涂覆改性浆料形成改性层。8.根据权利要求7所述的氧化方法，其特征在于：所述改性层的制备包括如下步骤：(1)异丙醇、二乙烯三胺、二(乙酰丙酮基)钛酸二异丙酯、去离子水超声搅拌，混合均匀，在190‑230℃水热反应18‑32h，水洗后干燥处理，然后升温至400‑450℃保持1.8‑2.2h，冷却后制得花状纳米二氧化钛；(2)玻璃粉、氧化石墨烯、乙烯基三乙氧基硅烷混合搅拌，超声分散于去离子水中，在50‑80℃下搅拌1‑2h，得到混合液；(3)花状纳米二氧化钛、硝酸银加入混合溶液中，超声处理，然后在80‑100℃下搅拌1‑3h，然后加入乙基纤维素、松油醇、邻苯二甲酸二丁酯、聚丙烯酸，超声搅拌，得到改性浆料；(4)将改性浆料涂覆到氧化后的铜片表面，形成改性层。9.根据权利要求8所述的氧化方法，其特征在于：步骤(1)中所述异丙醇、二乙烯三胺、二(乙酰丙酮基)钛酸二异丙酯的体积比为(1250‑2500):(2‑8):300；步骤(2)中所述玻璃粉、氧化石墨