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一种掩埋式非氧化孔径VCSEL的外延结构及其制备工艺.pdf

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本发明提供一种掩埋式非氧化孔径VCSEL的外延结构,属于新型半导体激光器技术领域,包括衬底;在衬底上依次设置有MOCVD沉积缓冲层、第一分布式布拉格反射层、谐振腔、第二分布式布拉格反射层和欧姆接触层,谐振腔、所述第二分布式布拉格反射层以及所述欧姆接触层均为Ⅲ?Ⅴ族化合物材料,谐振腔的顶面形成一个包括量子阱层的台面;外延结构还包括同质半绝缘层,同质半绝缘层包裹于所述台面的外周面,同质半绝缘层为AlxGa1?xAs层或InP层。本发明用第二次外延再生长的同质半绝缘层掩埋于谐振腔四周,第二次外延再生长的半绝缘层和与其接触的外延层为同质材料,接触界面间表面缺陷较少且无热膨胀系数差异,可实现较好的外延晶体质量,提高器件可靠性。