一种提高薄膜均匀性的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113871293A(43)申请公布日2021.12.31(21)申请号202010619638.9(22)申请日2020.06.30(71)申请人济南晶正电子科技有限公司地址250100山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806(72)发明人王金翠张秀全张涛李真宇刘桂银(74)专利代理机构北京弘权知识产权代理有限公司11363代理人逯长明许伟群(51)Int.Cl.H01L21/265(2006.01)H01L21/425(2006.01)H01L21/78(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图2页(54)发明名称一种提高薄膜均匀性的方法(57)摘要本申请实施例提供一种提高薄膜均匀性的方法，包括：根据注入参数，确定向晶圆第一注入面注入的第一注入剂量，以及，向晶圆第二注入面注入的第二注入剂量，按照第一注入剂量向晶圆第一注入面注入；按照第二注入剂量向晶圆第二注入面注入；向晶圆第一注入面注入第三注入剂量，第三注入剂量不大于临界注入剂量；如果向晶圆第一注入面注入的离子总注入剂量达到目标注入剂量，则将第一注入面与衬底层键合，得到键合体；对键合体热处理，在衬底层上形成薄膜层。将目标注入剂量分步向第一注入面注入，同时配合向第二注入面注入，以抵消第一注入面注入产生的应力，保证每次注入过程中，晶圆都不会出现翘曲，进而保证注入深度一致，得到厚度均匀的薄膜。CN113871293ACN113871293A权利要求书1/2页1.一种提高薄膜均匀性的方法，其特征在于，包括：根据注入参数，确定向晶圆第一注入面注入的第一注入剂量，以及，向晶圆第二注入面注入的第二注入剂量，其中，所述第一注入剂量小于目标注入剂量，且，所述第一注入剂量不大于临界注入剂量，所述第二注入剂量大于等于所述第一注入剂量的1/3，且，所述第二注入剂量不大于临界注入剂量，所述临界注入剂量是指在向所述晶圆第一注入面注入离子过程中不发生翘曲的最大注入剂量；按照所述第一注入剂量向所述晶圆第一注入面注入；按照所述第二注入剂量向所述晶圆第二注入面注入；向所述晶圆第一注入面注入第三注入剂量，所述第三注入剂量不大于临界注入剂量；如果向所述晶圆第一注入面注入的离子总注入剂量达到目标注入剂量，则将第一注入面与衬底层键合，得到键合体；对所述键合体热处理，在所述衬底层上形成薄膜层，所述薄膜层包括第一注入面。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：如果向所述晶圆第一注入面注入第三注入剂量后，向所述晶圆第一注入面注入的离子总注入剂量未达到目标注入剂量，则向晶圆第二注入面注入第四注入剂量，所述第四注入剂量大于等于第三注入剂量的1/3，且，所述第四注入剂量不大于临界注入剂量；向晶圆第一注入面注入第五注入剂量，所述第五注入剂量不大于临界注入剂量；如果向晶圆第一注入面注入的离子总注入剂量达到目标注入剂量，则将第一注入面与衬底层键合，得到键合体；对所述键合体热处理，在所述衬底层上形成薄膜层，所述薄膜层包括第一注入面。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一注入剂量、第三注入剂量和第五注入剂量相同，所述第四注入剂量大于或等于所述第二注入剂量。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二注入剂量为所述第一注入剂量的1/3-1倍，所述第四注入剂量为所述第三注入剂量的1/3-1倍。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第五注入剂量小于第三注入剂量，所述第三注入剂量小于第一注入剂量，所述第四注入剂量等于或小于所述第二注入剂量。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第五注入剂量大于第三注入剂量，所述第三注入剂量大于第一注入剂量，所述第四注入剂量等于或大于所述第二注入剂量。7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：如果向所述晶圆第一注入面注入第五注入剂量后，向所述晶圆第一注入面注入的离子总注入剂量未达到目标注入剂量，则向晶圆第二注入面注入第六注入剂量，所述第六注入剂量大于等于所述第五注入剂量的1/3，且，所述第六注入剂量不大于临界注入剂量；向晶圆第一注入面注入第七注入剂量，所述第七注入剂量不大于临界注入剂量；如果向晶圆第一注入面注入的离子总注入剂量达到目标注入剂量，则将第一注入面与衬底层键合，得到键合体；对所述键合体热处理，在所述衬底层上形成薄膜层，所述薄膜层包括第一注入面。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一注入剂量、第三注入剂量、第五注入剂量和第七注入剂量相同，所述二注入剂量、第四注入剂量和第六注入剂量相同，所述第二注入剂量为所述第一注入剂量的1/3-1倍。2CN113871293A权利要求书2/2页9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述