一种双面陶瓷覆铜板的大电流过孔的金属化方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114222446A(43)申请公布日2022.03.22(21)申请号202111649609.8(22)申请日2021.12.30(71)申请人无锡天杨电子有限公司地址214000江苏省无锡市惠山经济开发区洛社配套区东一路51号(72)发明人朱萍余晓初王晓刚郑彬朱伟赵蓓莉(74)专利代理机构苏州国卓知识产权代理有限公司32331代理人王丽敏(51)Int.Cl.H05K3/42(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图2页(54)发明名称一种双面陶瓷覆铜板的大电流过孔的金属化方法(57)摘要本发明涉及陶瓷覆铜板技术领域，本发明公开了一种双面陶瓷覆铜板的大电流过孔的金属化方法，包括以下步骤：步骤(1)、将陶瓷板打孔，按电流需要设置孔的数量，打孔时在陶瓷板边缘设置标记孔，方便后续曝光定位；步骤(2)、对陶瓷板两面进行丝印银铜浆料，丝印的同时，通过刮板作用向孔内灌入银铜浆料；步骤(3)、在真空炉内进行真空烧结覆铜层，同时陶瓷孔内部形成导电钉；步骤(4)、用陶瓷板的标记孔对位进行贴膜曝光显影蚀刻脱膜，需要导电的位置就形成了适合大电流的隐形导电过孔。本发明工艺简单，孔的金属化和AMB覆铜烧结同时完成，而且过孔载流能力大，是大电流陶瓷双面板线路的优选方案。CN114222446ACN114222446A权利要求书1/1页1.一种双面陶瓷覆铜板的大电流过孔的金属化方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤(1)、将陶瓷板打孔，按电流需要设置孔的数量，打孔时在陶瓷板边缘设置标记孔，方便后续曝光定位；步骤(2)、对陶瓷板两面进行丝印银铜浆料，丝印的同时，通过刮板作用向孔内灌入银铜浆料；步骤(3)、在真空炉内进行真空烧结覆铜层，同时陶瓷孔内部形成导电钉；步骤(4)、用陶瓷板的标记孔对位进行贴膜曝光显影蚀刻脱膜，需要导电的位置就形成了适合大电流的隐形导电过孔。2.根据权利要求1所述的一种双面陶瓷覆铜板的大电流过孔的金属化方法，其特征在于：所述陶瓷板材质为氮化铝或氮化硅，且厚度为0.28‑1mm。3.根据权利要求2所述的一种双面陶瓷覆铜板的大电流过孔的金属化方法，其特征在于：所述陶瓷板的厚度为0.32mm。4.根据权利要求1所述的一种双面陶瓷覆铜板的大电流过孔的金属化方法，其特征在于：所述覆铜层的厚度为0.1‑1.2mm。5.根据权利要求4所述的一种双面陶瓷覆铜板的大电流过孔的金属化方法，其特征在于：所述覆铜层的厚度为0.3mm。6.根据权利要求1所述的一种双面陶瓷覆铜板的大电流过孔的金属化方法，其特征在于：步骤(1)中，孔径按陶瓷板厚度的0.5‑2倍选取。2CN114222446A说明书1/2页一种双面陶瓷覆铜板的大电流过孔的金属化方法技术领域[0001]本发明涉及陶瓷覆铜板技术领域，具体为一种双面陶瓷覆铜板的大电流过孔的金属化方法。背景技术[0002]随着高性能氮化铝/氮化硅陶瓷覆铜板应用的推广，很多场合需要在双面陶瓷覆铜板线路上进行过孔，同时这些材料的特性决定其大多应用大电流场合，所以对过孔的载流能力有越来越高的要求。[0003]常规过孔金属化通过化学沉积及电镀的方法，整个金属化过程复杂，而且电镀沉积厚度有限，所以不能承载过大电流。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种双面陶瓷覆铜板的大电流过孔的金属化方法，以解决上述背景技术中提出的问题。[0005]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种双面陶瓷覆铜板的大电流过孔的金属化方法，包括以下步骤：[0006]步骤(1)、将陶瓷板打孔，按电流需要设置孔的数量，打孔时在陶瓷板边缘设置标记孔，方便后续曝光定位；[0007]步骤(2)、对陶瓷板两面进行丝印银铜浆料，丝印的同时，通过刮板作用向孔内灌入银铜浆料；[0008]步骤(3)、在真空炉内进行真空烧结覆铜层，同时陶瓷孔内部形成导电钉；[0009]步骤(4)、用陶瓷板的标记孔对位进行贴膜曝光显影蚀刻脱膜，需要导电的位置就形成了适合大电流的隐形导电过孔。[0010]优选的，所述陶瓷板材质为氮化铝或氮化硅，且厚度为0.28‑1mm。[0011]优选的，所述陶瓷板的厚度为0.32mm。[0012]优选的，所述覆铜层的厚度为0.1‑1.2mm。[0013]优选的，所述覆铜层的厚度为0.3mm。[0014]优选的，步骤(1)中，孔径按陶瓷板厚度的0.5‑2倍选取。[0015]本发明提出的一种双面陶瓷覆铜板的大电流过孔的金属化方法，有益效果在于：本发明工艺简单，孔的金属化和AMB覆铜烧结同时完成，而且过孔载流能力大，是大电流陶瓷双面板线路的优选方案。附图说明[0016]图1为本发明的正面结构示意图；[0017]图2为本发明的侧面结构示意图；[0018]图3为本发明图2的局部放大