

一种双面过孔陶瓷覆铜板的制备方法及电路板.pdf
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一种双面过孔陶瓷覆铜板的制备方法及电路板.pdf
本公开提供了一种双面过孔陶瓷覆铜板的制备方法及电路板。该方法包括:在陶瓷片双面贴上一层或多层有机膜;根据预设的图形,用激光器在上述贴有有机膜的陶瓷片上开通孔,然后将导电浆料在真空环境下填平通孔;将上述填平通孔后的陶瓷片在氧化气氛下进行第一次排胶处理,第一次排胶处理后使用铜浆在陶瓷片上印刷相应的线路图形,然后烘干成型;将上述烘干成型的陶瓷片在氧化气氛下进行第二次排胶处理,第二次排胶处理后将陶瓷片放入气氛炉中,在非氧化气氛环境中烧结,得到双面过孔的陶瓷覆铜板,通过直接用导电浆料塞孔填充,然后在陶瓷片表面通过印
一种双面陶瓷覆铜板的大电流过孔的金属化方法.pdf
本发明涉及陶瓷覆铜板技术领域,本发明公开了一种双面陶瓷覆铜板的大电流过孔的金属化方法,包括以下步骤:步骤(1)、将陶瓷板打孔,按电流需要设置孔的数量,打孔时在陶瓷板边缘设置标记孔,方便后续曝光定位;步骤(2)、对陶瓷板两面进行丝印银铜浆料,丝印的同时,通过刮板作用向孔内灌入银铜浆料;步骤(3)、在真空炉内进行真空烧结覆铜层,同时陶瓷孔内部形成导电钉;步骤(4)、用陶瓷板的标记孔对位进行贴膜曝光显影蚀刻脱膜,需要导电的位置就形成了适合大电流的隐形导电过孔。本发明工艺简单,孔的金属化和AMB覆铜烧结同时完成,
一种铁氟龙双面覆铜板及制备方法.pdf
本发明公开了一种铁氟龙双面覆铜板,从上至下依次为:第一铜箔、第一铁氟龙胶水层、高频MPI层、第二铁氟龙胶水层、第二铜箔;所述铜箔的厚度为12um,所述第一铁氟龙胶水层、第二铁氟龙胶水层的厚度均为12~25um,所述高频MPI层的厚度为25um。本发明解决了现有技术中DK&DF过高或过低的问题,本发明提供的铁氟龙双面覆铜板,低介电MPI聚酰亚胺层搭配高频铁氟龙胶水与低粗糙度铜箔搭配时可达到较LOWDK&DF的特性。
一种陶瓷基覆铜板的制备方法.pdf
本发明公开了一种陶瓷基覆铜板的制备方法,涉及覆铜板制造领域,包括以下步骤在陶瓷基片表面溅射一层活性金属层、在所述活性金属层上覆盖一层焊料层、在所述焊料层表面溅射一层铜箔层、在所述铜箔层表面溅射一层加厚铜箔层,得到陶瓷基覆铜板样品、将所述陶瓷基覆铜板样品放入真空炉中烧制焊接成型,制得陶瓷基覆铜板成品,本发明通过在陶瓷基片表面预先溅射一活性金属层,活性金属层可活化陶瓷片表面,确保陶瓷片具有较强的活性,便于与焊料的再次焊接,使得陶瓷基片与铜箔的附着力提升,使得得到的铜箔与陶瓷基片的结合更加稳固可靠。
一种陶瓷覆铜板及其制备方法.pdf
本发明涉及一种陶瓷覆铜板及其制备方法。通过在氮化铝陶瓷片上以及铜箔上设置不同种类的活性金属层,在真空炉中烧结,在铜箔与氮化铝陶瓷片之间形成合金层,由于所述合金层具有良好的柔韧性以及附着力,使得所制备的氮化铝陶瓷覆铜板能够在‑50℃‑150℃的条件下冷热循环冲击500次无损伤,且能够耐电压5000V,载流量100A,极大地拓展了氮化铝陶瓷覆铜板的应用范围。