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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114449771A(43)申请公布日2022.05.06(21)申请号202210327511.9(22)申请日2022.03.30(66)本国优先权数据202111135343.52021.09.27CN(71)申请人深圳市百柔新材料技术有限公司地址518000广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝清路8号双环工业区A栋4楼、1楼(72)发明人李永东郭冉(74)专利代理机构深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙)44439专利代理师何兵吕诗(51)Int.Cl.H05K3/00(2006.01)H05K3/42(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图6页(54)发明名称一种双面过孔陶瓷覆铜板的制备方法及电路板(57)摘要本公开提供了一种双面过孔陶瓷覆铜板的制备方法及电路板。该方法包括:在陶瓷片双面贴上一层或多层有机膜;根据预设的图形,用激光器在上述贴有有机膜的陶瓷片上开通孔,然后将导电浆料在真空环境下填平通孔;将上述填平通孔后的陶瓷片在氧化气氛下进行第一次排胶处理,第一次排胶处理后使用铜浆在陶瓷片上印刷相应的线路图形,然后烘干成型;将上述烘干成型的陶瓷片在氧化气氛下进行第二次排胶处理,第二次排胶处理后将陶瓷片放入气氛炉中,在非氧化气氛环境中烧结,得到双面过孔的陶瓷覆铜板,通过直接用导电浆料塞孔填充,然后在陶瓷片表面通过印刷直接图形化,不需沉铜或者溅射薄铜膜形成导电网络,再电镀增厚填孔,没有产生任何的废液。CN114449771ACN114449771A权利要求书1/1页1.一种双面过孔陶瓷覆铜板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:在陶瓷片双面贴上一层或多层有机膜;根据预设的图形,用激光器在上述贴有有机膜的陶瓷片上开通孔,然后将导电浆料在真空环境下填平通孔;将上述填平通孔后的陶瓷片在氧化气氛下进行第一次排胶处理,第一次排胶处理后使用铜浆在陶瓷片上印刷相应的线路图形,然后烘干成型;将上述烘干成型的陶瓷片在氧化气氛下进行第二次排胶处理,第二次排胶处理后将陶瓷片放入气氛炉中,在非氧化气氛环境中烧结,得到双面过孔的陶瓷覆铜板。2.根据权利要求1所述的一种双面过孔陶瓷覆铜板的制备方法,其特征在于,在所述陶瓷片双面贴上一层或多层有机膜的步骤之前,还包括:对陶瓷片表面使用酒精超声进行清洗处理。3.根据权利要求1所述的一种双面过孔陶瓷覆铜板的制备方法,其特征在于,所述陶瓷片的材质包括BeO、AlN、SiC、AL2O3和BN,所述陶瓷片的厚度范围为0.1mm~3mm。4.根据权利要求1所述的一种双面过孔陶瓷覆铜板的制备方法,其特征在于,所述有机膜包括PI、PE、PP、PET等材质有机膜的一种或多种组合,所述有机膜的厚度范围为10μm‑300μm。5.根据权利要求1所述的一种双面过孔陶瓷覆铜板的制备方法,其特征在于,所述的导电浆料为银浆、铜浆、镍浆中的一种或多种组合。6.根据权利要求1所述的一种双面过孔陶瓷覆铜板的制备方法,其特征在于,所述第一次排胶处理和第二次排胶处理的步骤均具体包括:在氧化气氛300‑600℃的温度下,排胶10‑60min。7.根据权利要求1所述的一种双面过孔陶瓷覆铜板的制备方法,其特征在于,所述在非氧化气氛环境中烧结的步骤具体包括:在非氧化气氛环境400‑850℃的温度中烧结10‑120min。8.根据权利要求1所述的一种双面过孔陶瓷覆铜板的制备方法,其特征在于,所述的非氧化气氛为氩气、氮气、氢气中的一种或几种的混合气。9.根据权利要求1所述的一种双面过孔陶瓷覆铜板的制备方法,其特征在于,所述在陶瓷片双面贴上一层或多层有机膜的步骤中,具体包括:通过机械辊压方式在的陶瓷片双面贴上一层或多层有机膜。10.一种印刷电路板,其特征在于,包括至少一个由权利要求1‑9任意一方法制造而成的陶瓷覆铜板。2CN114449771A说明书1/6页一种双面过孔陶瓷覆铜板的制备方法及电路板技术领域[0001]本发明涉及电路板技术领域,具体为一种双面过孔陶瓷覆铜板的制备方法及电路板。背景技术[0002]随着电子产品向微型化、薄型化、数字化、高频化、高可靠性的方向发展,陶瓷基电路板不仅拥有比普通电路板更优的耐热性、散热性,而且更具有高频化、高强度和耐高的击穿电压优势,当前各行各业都提倡环保,降低污染,而随着电动车的推广与普及,大功率的功率芯片得到广泛的应用,功率密度越来越高,传统的芯片都是采用单面封装的方式,散热能力有限,制约了功率芯片向更高的功率密度发展,因此也出现了一些双面陶瓷覆铜板的制备技术。[0003]在现有技术中,双面陶瓷覆铜板的制备通常使用机械钻孔,陶瓷做为一种高强度材质,机械钻孔容易导致基板破碎、崩边,通孔有毛刺等,良率大大降低,而且双面陶瓷覆铜板的制备在孔金属化