一种硼扩散反应系统及其工艺方法.pdf
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一种硼扩散反应系统及其工艺方法.pdf
本发明提供一种硼扩散反应系统及其工艺方法,硼扩散反应系统的原料管路与进气管路相连接,通过进气管路向反应炉管内输送原料气体;抽气管设置在反应炉管的炉尾处,抽气管位于反应炉管的管轴线位置;进气管路包括第一进气管路和第二进气管路,第一进气管路和第二进气管路的出气口位于炉口处,且第一进气管路和第二进气管路的出气口在反应炉管的竖直方向中分面内上下对称分布。本发明的供气系统结合工艺方法,通过优化硼源管道设置和工艺步骤,通过多次吹扫步骤,尤其是有氧推进后回压前具有吹扫步骤,减少粘附在反应室内壁上酸性气体,降低酸性气体对
一种硼扩散工艺.pdf
本发明公开了一种硼扩散工艺,包括以下步骤:S1:将装有硅片的小舟放进炉管内;S2:将炉管抽真空;S3:检漏;S4:通入氮气和氧气,进行前氧化工艺;S5:通入氮气、氧气和扩散硼源进行扩散;S6:通入氮气,进行升温扩散;S7:在恒温条件下,通入氮气、氧气和扩散硼源;S8:通入氮气和氧气,升温,进行有氧推进;S9:通入氧气,继续升温,进行后氧化工艺;S10:通入大氧和小氧进行混合氧化;S11:通入氮气和大氧,降温;S12:破真空至常压;S13:出舟。本发明具有原理简单、工艺温度低且BRL层厚度低等优点,大幅度缩
一种低温硼扩散方法.pdf
本发明涉及硼扩散领域,特别是公开了一种低温硼扩散方法,通过将表面制绒的N型硅片放入硼扩散炉中,在第一温度下进行首次硼扩散沉积;将环境温度从所述第一温度升至第二温度,进行二次硼扩散沉积;将环境温度从所述第二温度升至第三温度,进行三次硼扩散沉积;将环境温度从所述第三温度升至推进温度,对经过所述三次硼扩散的N型硅片进行推进;将环境温度从所述推进温度降至后氧化温度,对经过推进的N型硅片进行通源氧化。本发明采用三次变温沉积,使得硅片表面沉积了充足的硼源,因此推进温度可以优化减低,提高机台以及石英载具的使用寿命,降低
一种硼扩散炉的炉门系统.pdf
本发明公开了一种硼扩散炉的炉门系统,包括炉门,所述炉门内侧设有延伸至炉管内的凸部,所述凸部内设有缓冲腔室,所述缓冲腔室侧壁上沿圆周方向设有多个出气孔,所述炉门外侧设有保护气体支路和清洗气体支路,所述保护气体支路和清洗气体支路均与所述缓冲腔室连通。本发明具有结构简单,有利于减少对炉门系统和炉管的腐蚀,提高设备稳定性和使用寿命等优点。
硼扩散方法.pdf
本发明涉及光伏电池技术领域,提供一种硼扩散方法,包括将硅片放入至扩散炉内,并调整扩散炉内的温度和压力;对硅片进行前氧化操作、以在硅片的表面形成氧化层;向扩散炉内通入氧气和硼源,进行沉积处理;将沉积处理时的气态反应生成物以及剩余的硼源排出至扩散炉的外部;升高扩散炉内的温度,进行一次推进处理至目标量的硼扩散至硅片内;向扩散炉内通入水蒸气、以对硅片表面进行清洗;升高扩散炉内的温度,进行二次推进处理;调整扩散炉内的温度和压力,并将硅片从扩散炉内取出。如此设置,解决了现有技术中在降低硼含量时存在的硼含量分布不均匀的