硼扩散方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115547818A(43)申请公布日2022.12.30(21)申请号202211194270.1(22)申请日2022.09.28(71)申请人三一集团有限公司地址410100湖南省长沙市经开区三一路三一工业城三一行政中心三楼(72)发明人不公告发明人(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限公司11002专利代理师李梦晨(51)Int.Cl.H01L21/223(2006.01)H01L31/18(2006.01)H01L31/06(2012.01)权利要求书1页说明书10页附图1页(54)发明名称硼扩散方法(57)摘要本发明涉及光伏电池技术领域，提供一种硼扩散方法，包括将硅片放入至扩散炉内，并调整扩散炉内的温度和压力；对硅片进行前氧化操作、以在硅片的表面形成氧化层；向扩散炉内通入氧气和硼源，进行沉积处理；将沉积处理时的气态反应生成物以及剩余的硼源排出至扩散炉的外部；升高扩散炉内的温度，进行一次推进处理至目标量的硼扩散至硅片内；向扩散炉内通入水蒸气、以对硅片表面进行清洗；升高扩散炉内的温度，进行二次推进处理；调整扩散炉内的温度和压力，并将硅片从扩散炉内取出。如此设置，解决了现有技术中在降低硼含量时存在的硼含量分布不均匀的问题。CN115547818ACN115547818A权利要求书1/1页1.一种硼扩散方法，其特征在于，包括：将硅片放入至扩散炉内，并调整所述扩散炉内的温度和压力；对所述硅片进行前氧化操作、以在所述硅片的表面形成氧化层；向所述扩散炉内通入氧气和硼源，进行沉积处理；将所述沉积处理时的气态反应生成物以及剩余的所述硼源排出至所述扩散炉的外部；升高所述扩散炉内的温度和压力，进行一次推进处理至目标量的硼扩散至所述硅片内；向所述扩散炉内通入水蒸气、以对所述硅片表面进行清洗；升高所述扩散炉内的温度，进行二次推进处理；调整所述扩散炉内的温度和压力，并将所述硅片从所述扩散炉内取出。2.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，所述向所述扩散炉内通入水蒸气，包括：向所述扩散炉内通入氮气和水蒸气，所述氮气的流量大于所述水蒸气的流量。3.根据权利要求2所述的硼扩散方法，其特征在于，所述水蒸气的体积流量为100‑2000sccm。4.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，所述硼源为三氯化硼气体，所述三氯化硼气体的体积流量为50‑1000sccm，所述氧气的体积流量为100‑5000sccm。5.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，所述一次推进处理在氮气氛围下进行。6.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，所述二次推进处理在氮气和氧气的氛围下进行。7.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，所述向所述扩散炉内通入氧气和硼源，包括：向所述扩散炉内通入氮气、所述氧气和所述硼源的混合气体。8.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，所述将硅片放入至扩散炉内和所述将所述硅片从所述扩散炉内取出时，持续向所述扩散炉内通入氮气。9.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其特征在于，所述调整所述扩散炉内的温度和压力，包括：对所述扩散炉进行抽气处理，使所述扩散炉内的压力降低至目标压力；升高所述扩散炉内的温度至目标温度。10.根据权利要求9所述的硼扩散方法，其特征在于，所述使所述扩散炉内的压力降低至目标压力之后，还包括：对所述扩散炉的气密性进行检测。2CN115547818A说明书1/10页硼扩散方法技术领域[0001]本发明涉及光伏电池技术领域，尤其涉及一种硼扩散方法。背景技术[0002]在N型晶体硅太阳能电池的制备过程中，一般采用硼扩散工艺制作PN结。对于硼扩散工艺，不仅所制得的PN结中的硼含量对N型晶体硅太阳能电池的性能和效率具有重要影响，硼扩散的均匀性还会影响到后续制作工艺的参数管控。[0003]为确保N型晶体硅太阳能电池的性能和效率，一般会控制N型晶体硅太阳能电池中的硼含量，防止硼含量过高，从而提高方阻值。但现有技术中，在降低硼含量、提高方阻值时，往往容易出现硼源分布不均匀等情况，造成单个硅片内的硼含量分布不均匀，且相同扩散炉内的不同硅片的硼含量的一致性较差。随着产量的提升以及硅片尺寸的增加，硼含量得不均匀性更是明显。[0004]因此，如何解决现有技术中在降低硼含量时存在的硼含量分布不均匀的问题，成为本领域技术人员所要解决的重要技术问题。发明内容[0005]本发明提供一种硼扩散方法，用以解决现有技术中在降低硼含量时存在的硼含量分布不均匀的缺陷。[0006]本发明提供一种硼扩散方法，包括：[0007]将硅片放入至扩散炉内，并调整所述扩散炉内的温度和压力；[0008]对所述硅片进行前氧化操作、以在所述硅片的表面形成氧化层；[0009]向所述扩散炉内通入氧气和