一种低温硼扩散方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115083893A(43)申请公布日2022.09.20(21)申请号202210742920.5(22)申请日2022.06.28(71)申请人上饶捷泰新能源科技有限公司地址334100江西省上饶市上饶经济开发区兴业大道8号(72)发明人何帅付少剑郁寅珑范洵王泊温(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227专利代理师夏菁(51)Int.Cl.H01L21/223(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称一种低温硼扩散方法(57)摘要本发明涉及硼扩散领域，特别是公开了一种低温硼扩散方法，通过将表面制绒的N型硅片放入硼扩散炉中，在第一温度下进行首次硼扩散沉积；将环境温度从所述第一温度升至第二温度，进行二次硼扩散沉积；将环境温度从所述第二温度升至第三温度，进行三次硼扩散沉积；将环境温度从所述第三温度升至推进温度，对经过所述三次硼扩散的N型硅片进行推进；将环境温度从所述推进温度降至后氧化温度，对经过推进的N型硅片进行通源氧化。本发明采用三次变温沉积，使得硅片表面沉积了充足的硼源，因此推进温度可以优化减低，提高机台以及石英载具的使用寿命，降低成本，更进一步采用湿氧氧化，将氧化耗时从60分钟降低至20分钟，大大提升生产效率。CN115083893ACN115083893A权利要求书1/1页1.一种低温硼扩散方法，其特征在于，包括：将表面制绒的N型硅片放入硼扩散炉中，在第一温度下进行首次硼扩散沉积；将环境温度从所述第一温度升至第二温度，进行二次硼扩散沉积；将环境温度从所述第二温度升至第三温度，进行三次硼扩散沉积；将环境温度从所述第三温度升至推进温度，对经过所述三次硼扩散的N型硅片进行推进；将环境温度从所述推进温度降至后氧化温度，对经过推进的N型硅片进行通源氧化。2.如权利要1所述的低温硼扩散方法，其特征在于，在所述推进温度降低至所述后氧化温度的过程中，对经过推进的N型硅片进行通源氧化。3.如权利要1所述的低温硼扩散方法，其特征在于，所述通源氧化过程中使用的氧气为湿氧。4.如权利要3所述的低温硼扩散方法，其特征在于，所述通源氧化过程中的大氧流量的范围为500sccm至1000sccm，包括端点值；所述通源氧化过程中的小氧流量的范围为500sccm至1000sccm，包括端点值。5.如权利要3所述的低温硼扩散方法，其特征在于，所述通源氧化的时间范围为15分钟至20分钟，包括端点值。6.如权利要1所述的低温硼扩散方法，其特征在于，所述后氧化温度的范围为850设置度至950摄氏度，包括端点值。7.如权利要1所述的低温硼扩散方法，其特征在于，所述第一温度的范围为785摄氏度至850摄氏度，包括端点值；所述首次硼扩散沉积的时间为2分钟至4分钟，包括端点值。8.如权利要1所述的低温硼扩散方法，其特征在于，所述第二温度与所述第一温度的差值的范围为5摄氏度至20摄氏度，包括端点值；所述二次硼扩散沉积的时间为3分钟至5分钟，包括端点值。9.如权利要1所述的低温硼扩散方法，其特征在于，所述第三温度与所述第二温度的差值的范围为5摄氏度至20摄氏度，包括端点值；所述二次硼扩散沉积的时间为1分钟至3分钟，包括端点值。10.如权利要1至9任一项所述的低温硼扩散方法，其特征在于，在所述首次硼扩散沉积之前，还包括：在前氧化温度下对所述N型硅片进行前氧化，得到表面氧化层；其中，所述前氧化温度低于所述第一温度；相应地，在经过所述通源氧化之后，还包括：去除所述表面氧化层。2CN115083893A说明书1/6页一种低温硼扩散方法技术领域[0001]本发明涉及硼扩散领域，特别是涉及一种低温硼扩散方法。背景技术[0002]高效低成本晶体硅电池是光伏产业发展的方向，目的是为了降低发射结表面浓度，有效降低电池表面的复合速度，进而提高器件少数载流子寿命，以及电池的短波光谱响应，搭配丝网密栅技术，可以有效增加短路电流和开路电压，实现更高的效率和功率提升；近年来，N型太阳能电池因其光衰减较低、稳定性较高、双面发电等优点越来越受到各个大厂的关注，N型电池的市场占比也越来越大。[0003]但是目前的硼扩散工艺温度较高(＞1000℃)，对机台损伤较大，长时间的高温会降低机台以及石英载具的使用寿命，增加成本，严重影响产能。[0004]因此，如何找到一种在不影响硼扩散质量的前提下，降低扩散温度，延长机台寿命的方法，是本领域技术人员亟待解决的问题。发明内容[0005]本发明的目的是提供一种低温硼扩散方法，以解决现有技术中硼扩散温度过高，导致机台使用寿命降低的问题。[0006]为解决上述技术问题，本发明提供一种低温硼扩散方法，包括：[0007]将表面制绒的N型硅片放入