一种太阳能电池硼扩散方法及硼扩散装置.pdf
是浩****32
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一种太阳能电池硼扩散方法及硼扩散装置.pdf
本发明公开了一种太阳能电池硼扩散方法及硼扩散装置,属于太阳能电池制作技术领域。本发明包括以下步骤:将需要进行硼扩散的硅片放入扩散炉内,升温;通入硼源、二氯乙烯、氧气和氮气进行硼扩散;停止通硼源、氧气和二氯乙烯,在氮气氛围下保持温度在900℃‑960℃,持续时间15min‑40min,氮气流量为10‑20L/min;降温,取出硅片,完成扩散过程。本发明是在BBr
硼扩散方法.pdf
本发明涉及光伏电池技术领域,提供一种硼扩散方法,包括将硅片放入至扩散炉内,并调整扩散炉内的温度和压力;对硅片进行前氧化操作、以在硅片的表面形成氧化层;向扩散炉内通入氧气和硼源,进行沉积处理;将沉积处理时的气态反应生成物以及剩余的硼源排出至扩散炉的外部;升高扩散炉内的温度,进行一次推进处理至目标量的硼扩散至硅片内;向扩散炉内通入水蒸气、以对硅片表面进行清洗;升高扩散炉内的温度,进行二次推进处理;调整扩散炉内的温度和压力,并将硅片从扩散炉内取出。如此设置,解决了现有技术中在降低硼含量时存在的硼含量分布不均匀的
晶体硅太阳能电池的硼扩散装置及方法.pdf
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的硼扩散装置及方法。硼扩散装置包括:炉管,具有第一进气口;以及尾气瓶,与炉管的尾部连通;第一进气口设置在炉管的管壁上,且位于炉管的水平方向中分面以上。通过将进气口设置在炉管的水平方向中分面以上的管壁上,相对于现有技术中将进气口设置在炉管的水平方向中分面上的情况,提高了硼源进气口距离硅片的相对高度,延长了硅片沉积扩散的时间和距离,较好地解决了硼源在扩散过程中因重力太大导致较快地沉积到炉管底部,以至于部分硅片表面扩散方阻均匀性差的问题,避免了过多的硼沉积到炉管底部生成硼硅玻璃(
一种低温硼扩散方法.pdf
本发明涉及硼扩散领域,特别是公开了一种低温硼扩散方法,通过将表面制绒的N型硅片放入硼扩散炉中,在第一温度下进行首次硼扩散沉积;将环境温度从所述第一温度升至第二温度,进行二次硼扩散沉积;将环境温度从所述第二温度升至第三温度,进行三次硼扩散沉积;将环境温度从所述第三温度升至推进温度,对经过所述三次硼扩散的N型硅片进行推进;将环境温度从所述推进温度降至后氧化温度,对经过推进的N型硅片进行通源氧化。本发明采用三次变温沉积,使得硅片表面沉积了充足的硼源,因此推进温度可以优化减低,提高机台以及石英载具的使用寿命,降低
晶体硅太阳能电池的硼扩散方法.pdf
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的硼扩散方法,包括如下步骤:(1)将制绒清洗后的硅片放入扩散炉管内,升温至900~1100℃,通氮气以及较大流量的硼源、氧气进行硼扩散,扩散时间为5~60min;(2)保持步骤(1)中的温度通入氮气以及较低流量的硼源、氧气进行硼扩散,扩散时间为15~80min;(3)保持步骤(1)中的温度或升温至910~1100℃,通入氮气、以及较大流量的硼源、氧气进行硼扩散,扩散时间为2~30min;(4)完成扩散过程。本发明的硼扩散方法在硅片表层较浅的深度范围内形成较高的杂质浓度,以利