一种晶圆位置检测装置及其方法、立式晶炉.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115752242A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211535423.4(22)申请日2022.11.30(71)申请人西安奕斯伟材料科技有限公司地址710000陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室申请人西安奕斯伟硅片技术有限公司(72)发明人贺鹏同嘉锡郭超超(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243专利代理师李彦红(51)Int.Cl.G01B11/00(2006.01)C30B15/20(2006.01)C30B29/06(2006.01)G01B11/27(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称一种晶圆位置检测装置及其方法、立式晶炉(57)摘要本公开提供一种晶圆位置检测装置及其方法、立式晶炉，该晶圆位置检测装置包括用于设置在承载有被测晶圆的承载面的至少两个感应器，至少两个感应器沿着预定方向间隔地分布，且感应器被配置为承载面上的被测晶圆遮挡时会触发第一信号，预定方向为：被测晶圆处于承载面上预定位置时，沿着被测晶圆的周向上第一边缘线延伸的方向，且在从被测晶圆中心指向第一边缘线的方向上，感应器与第一边缘线之间具有预定距离，以使被测晶圆处于预定位置上时不会遮挡感应器。本公开实施例提供了一种晶圆位置检测装置及其方法、立式晶炉，其可对反应舟上放置的晶圆进行位置检测，以防止晶圆位置偏移导致的碎片或滑落等问题。CN115752242ACN115752242A权利要求书1/1页1.一种晶圆位置检测装置，其特征在于，包括用于设置在承载有被测晶圆的承载面的至少两个感应器，至少两个所述感应器沿着预定方向间隔地分布，且所述感应器被配置为所述承载面上的所述被测晶圆遮挡时会触发第一信号，所述预定方向为：所述被测晶圆处于所述承载面上预定位置时，沿着所述被测晶圆的周向上第一边缘线延伸的方向，且在从所述被测晶圆中心指向所述第一边缘线的方向上，所述感应器与所述第一边缘线之间具有预定距离，以使所述被测晶圆处于所述预定位置上时不会遮挡所述感应器。2.根据权利要求1所述的晶圆位置检测装置，其特征在于，所述被测晶圆的形状为不完整的圆形，其包括不能构成圆形外轮廓的异形部分，所述第一边缘线至少包括所述异形部分的边缘线。3.根据权利要求2所述的晶圆位置检测装置，其特征在于，所述被测晶圆为半圆状时，所述异形部分的边缘线为直线边缘线。4.根据权利要求1所述的晶圆位置检测装置，其特征在于，所述感应器包括光电传感器，所述光电传感器包括：光发射器，用于朝向所述被测晶圆所在方向发射检测光；光接收器，用于当接收到经所述被测晶圆反射的检测光时产生所述第一信号。5.根据权利要求1所述的晶圆位置检测装置，其特征在于，还包括：处理器，所述处理器用于接收到任一所述感应器反馈的所述第一信号时，判断该所述被测晶圆位置未处于所述预定位置上。6.根据权利要求5所述的晶圆位置检测装置，其特征在于，所述处理器具体还用于当至少两个所述感应器中的一个感应器反馈所述第一信号，另一个感应器未反馈所述第一信号时，判断当前所述被测晶圆朝向反馈所述第一信号的感应器所在方向倾斜。7.一种立式晶炉，其特征在于，包括：反应舟，所述反应舟包括用于承载被测晶圆的承载面；及如权利要求1至6任一项所述的晶圆位置检测装置，所述至少两个感应器设置在所述承载面。8.根据权利要求7所述的立式晶炉，其特征在于，所述承载面的下方对应所述感应器的位置设有镂空孔，所述感应器安装至所述镂空孔的下方。9.一种晶圆位置检测方法，其特征在于，应用于如权利要求1至6任一项所述的晶圆位置检测装置，所述方法包括如下步骤：将被测晶圆放置于所述承载面上预定位置，选取此时所述被测晶圆周向上的第一边缘线，并沿所述第一边缘线的延伸方向间隔开分布至少两个所述感应器；当至少两个所述感应器中任一所述感应器被触发所述第一信号时，判断所述被测晶圆当前未处于所述预定位置上。10.根据权利要求9所述的晶圆位置检测方法，其特征在于，所述当至少两个所述感应器中任一所述感应器被触发所述第一信号时，判断所述被测晶圆当前未处于所述预定位置上，具体包括：当至少两个所述感应器中的一个感应器反馈所述第一信号，另一个感应器未反馈所述第一信号时，判断当前所述被测晶圆朝向反馈所述第一信号的感应器所在方向倾斜。2CN115752242A说明书1/5页一种晶圆位置检测装置及其方法、立式晶炉技术领域[0001]本发明涉及拉晶技术领域，尤其涉及一种晶圆位置检测装置及其方法、立式晶炉。背景技术[0002]单晶硅棒大部分采用Czochralski法，又或被称之为直拉法制造生产，在单晶硅拉晶特性测试过程中，为保证单晶硅拉晶特性测试的准确性，对晶圆的测试条件提出更高的要求。为满