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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109411591A(43)申请公布日2019.03.01(21)申请号201811071469.9(22)申请日2018.09.14(71)申请人汕头市骏码凯撒有限公司地址515065广东省汕头市龙湖区万吉工业区万吉北街6号(72)发明人周振基周博轩任智(74)专利代理机构广东卓建律师事务所44305代理人陈江雄(51)Int.Cl.H01L33/62(2010.01)C22C5/06(2006.01)C22F1/14(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称一种LED封装用银合金线及其制作方法(57)摘要本发明公开了一种LED封装用银合金线及其制作方法,LED封装用银合金线包括银合金键合丝、包覆在银合金键合丝外的第一混合层以及包覆在所述第一混合层外的第二混合层,所述第一混合层按重量计钯含量大于50%,其余为高熔点金属;所述第二混合层按重量计高熔点金属含量大于50%,其余为钯。本发明的银合金线由于高熔点金属在钯中有一定的溶解性,而正是这种溶解使得钯在烧球过程中向银球内扩散的过程受到了制约,从而促使钯和高熔点金属都均匀地分布于自由空气球的表面。另一方面,由于钯和高熔点金属的密度都高于银,所以使得钯和高熔点金属会优先富集在自由空气球的底部,从而可以延缓铝垫上的铝向自由空气球扩散,从而提高产品的可靠性。CN109411591ACN109411591A权利要求书1/1页1.一种LED封装用银合金线,其特征在于,包括银合金键合丝、包覆在银合金键合丝外的第一混合层以及包覆在所述第一混合层外的第二混合层,所述第一混合层按重量计钯含量大于50%,其余为高熔点金属;所述第二混合层按重量计高熔点金属含量大于50%,其余为钯。2.根据权利要求1所述的LED封装用银合金线,其特征在于,所述第一混合层的厚度为15-25纳米,所述第二混合层的厚度为7-10纳米。3.根据权利要求2所述的LED封装用银合金线,其特征在于,所述第一混合层的厚度为20纳米,所述第二混合层的厚度为7纳米。4.根据权利要求1所述的LED封装用银合金线,其特征在于,所述银合金键合丝按重量计氧含量低于5ppm,掺杂元素含量在8-100ppm之间,其余为银,所述掺杂元素为钙、铜、铁和硅中的一种或其中多种的组合。5.根据权利要求1所述的LED封装用银合金线,其特征在于,所述高熔点金属为铑、钌、铱或者铂。6.一种LED封装用银合金线的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、制作银合金键合丝;S2、在所述银合金键合丝的表面上镀钯,形成钯层;S3、在所述钯层的外表面上镀高熔点金属,形成高熔点金属层;S4、将镀有钯层和高熔点金属层的银合金键合丝进行热扩散处理,使钯层和高熔点金属层之间的原子相互扩散,形成包覆在银合金键合丝外的第一混合层以及包覆在所述第一混合层外的第二混合层,获得银合金线;所述第一混合层按重量计钯含量大于50%,其余为高熔点金属;所述第二混合层按重量计高熔点金属含量大于50%,其余为钯。7.根据权利要求6所述的LED封装用银合金线的制作方法,其特征在于,在所述步骤S4中热扩散处理的条件为:采用氮气作为退火气氛,退火炉有效长度为600mm,温度在500-700℃之间,走线速率为100m/min。8.根据权利要求6所述的LED封装用银合金线的制作方法,其特征在于,所述步骤S1中制作银合金键合丝步骤为:S11、在按重量计的氧含量低于5ppm的银中加入掺杂元素,所述掺杂元素含量在8-100ppm之间,所述掺杂元素为钙、铜、铁和硅中的一种或其中多种的组合,经过定向连续拉工艺,获得直径为6-8毫米的线材;S12、对步骤S11中获得的线材进行拉丝,获得线径为15-50微米的银合金键合丝;拉丝包括多次拉丝操作,在拉丝过程中,对线材进行一次以上的中间退火,中间退火中采用氮气或Forminggas作为退火气氛;拉丝结束后,对银合金键合丝进行最后退火,最后退火中采用氮气或Forminggas作为退火气氛。9.根据权利要求6所述的LED封装用银合金线的制作方法,其特征在于,所述第一混合层的厚度为15-25纳米,所述第二混合层的厚度为7-10纳米。10.根据权利要求6所述的LED封装用银合金线的制作方法,其特征在于,所述高熔点金属为铑、钌、铱或者铂。2CN109411591A说明书1/5页一种LED封装用银合金线及其制作方法技术领域[0001]本发明涉及LED封装技术领域,更具体地说是涉及一种LED封装用银合金线及其制作方法。背景技术[0002]键合丝(bondingwire)是连接芯片与外部封装基板(substrate)和/或多层线路板(PCB)的主要连接方式。键合丝发展趋势,从应用方向上主要是线径细微