一种大功率LED封装用基板、基板制作方法及其封装结构.pdf
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一种大功率LED封装用基板、基板制作方法及其封装结构.pdf
本发明涉及一种大功率LED封装用基板、基板制作方法及其封装结构,包括基板和封装结构,所述基板上设置有铜线路、导热绝缘层、石墨层和石墨烯镀层的金属块,所述封装结构包括LED芯片、金属绑定线、引线框架和封装树脂,所述基板外露在封装结构的一侧,所述金属绑定线,所述LED芯片和线路之间,以及所述铜线路和引线框架之间通过金属绑定线连接,所述封装树脂设置在基板的外侧。大功率LED封装用基板、基板制作方法及其封装结构,在石墨层中设置了带有石墨烯镀层的金属嵌块,保持原有石墨层横向导热优异的特性的同时,石墨层在纵向的导热系
封装基板及其制作方法、封装结构.pdf
一种封装基板包括第一导电线路层以及绝缘层。第一导电线路层包括相对的第一端部以及第二端部。绝缘层包覆第二端部并填充第一导电线路层所形成的间隙,以使第一导电线路层内埋于绝缘层中,第一端部的宽度大于第二端部的宽度。绝缘层内开设多个用于暴露第一导电线路层的盲孔,盲孔中形成有导电部。绝缘层上还形成有第二导电线路层。第二导电线路层与绝缘层接触的部分设有一第二铜箔层。第二导电线路层包括临近第二端部设置的第三端部以及与第三端部相对的第四端部。第三端部的宽度大于第四端部的宽度。第一导电线路层和第二导电线路层上形成有防焊层。
封装基板及其制作方法、芯片封装结构及芯片封装体制作方法.pdf
一种封装基板,其包括铜箔基板、溅镀铜层、多个导电接点、介电层及导电线路层,所述溅镀铜层形成于所述铜箔基板表面,所述多个导电接点形成于所述溅镀铜层远离所述铜箔基板的表面,所述介电层位于所述导电线路层合所述溅镀铜层之间,所述介电层内形成有与多个导电接点一一对应的多个导电盲孔,所述导电线路层包括与多个导电盲孔一一电导通的多条导电线路及与所述多条导电线路一一电连接的多个连接垫,每个导电接点通过一个对应的导电盲孔、一条对应的导电线路与一个对应的连接垫相互电导通。本发明还提供该封装基板的制作方法及封装结构及芯片封装体
一种封装基板的结构及其封装方法.pdf
本发明涉及一种封装基板的结构及其封装方法,属于半导体封装技术领域。其包括普通基板(20)、超高密度基板(10)、高密度芯片(51)、低密度芯片(53)和包封层Ⅰ(310),超高密度基板(10)嵌于包封层Ⅰ(310)内,超高密度基板(10)与高密度芯片(51)倒装连接,在超高密度基板(10)的垂直区域外形成若干个基板外层金属电极(110),基板外层金属电极(110)通过盲孔Ⅱ(150)与普通基板(20)连接、其上表面与低密度芯片(53)倒装连接,部分基板外层金属电极(110)的下表面与超高密度基板(10)的
嵌埋封装基板制作方法及封装基板.pdf
本发明公开了一种嵌埋封装基板制作方法及封装基板,包括提供一底板,底板的表面设置有成品次外层线路以及设置在成品次外层线路上的第一通孔柱;提供一承载板,承载板的表面贴装有电子元器件,电子元器件有源面的连接端子与承载板接触连接;提供一封装材料,并将底板、封装材料和承载板进行层叠压合,其中,封装材料位于底板和承载板之间且覆盖于成品次外层线路和第一通孔柱,电子元器件位于封装材料的一侧;移除承载板,以露出电子元器件有源面的连接端子,得到半成品。不呢发明可以简化加工流程,减少物料的浪费,减少电子元器件封装后的加工工序,